IXSA16N60
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
3.3
5.0
50
920
V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V ， F = 1兆赫
65
14
40
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V, V
CE
= 0.5 V
CES
感性负载，T
J
= 25°C
°
I
C
= 16A ，V
GE
= 15 V ， L = 300
H
V
CE
= 0.8 V
CES
, R
G
= 22
13
18
30
30
100
310
1.9
感性负载，T
J
= 125°C
°
I
C
= 16A ，V
GE
= 15 V ， L = 300
H
V
CE
= 0.8 V
CES
, R
G
= 22
30
30
0.12
150
510
3.0
420
470
2.9
S
A
pF
pF
pF
DIM 。
IXSP16N60
的TO-220 AB概要
g
fs
I
C（ ON）
C
IES
C
OES
C
水库
Q
g
Q
ge
Q
gc
t
D（上）
t
ri
t
D（关闭）
t
fi
E
关闭
t
D（上）
t
ri
E
on
t
D（关闭）
t
fi
E
关闭
R
thJC
I
C
= I
C90
; V
CE
= 10 V,
脉冲测试，T
≤
300
s,
占空比
≤
2 %
V
GE
= 15 V, V
CE
= 10 V
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
1.25 K / W
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
M
N
Q
R
毫米
分钟。
马克斯。
12.70
14.93
14.23
16.50
9.66
10.66
3.54
4.08
5.85
2.29
1.15
2.79
0.64
2.54
4.32
0.64
0.51
2.04
6.85
2.79
1.77
6.35
0.89
BSC
4.82
1.39
0.76
2.49
英寸
分钟。
马克斯。
0.500
0.580
0.560
0.650
0.380
0.420
0.139
0.161
0.230
0.090
0.045
0.110
0.025
0.100
0.170
0.025
0.020
0.080
0.270
0.110
0.070
0.250
0.035
BSC
0.190
0.055
0.030
0.115
TO- 263 AA大纲
注1 ：开关时间可能会增加V
CE
（钳） > 0.8 V
CES
，更高的温度
J
or
加强研究
G
1.
2.
3.
4.
门
集热器
辐射源
收藏家底部侧面
分钟。推荐足迹
DIM 。
A
A1
b
b2
c
c2
D
D1
E
E1
e
L
L1
L2
L3
L4
R
（尺寸以英寸（毫米） ）
毫米
分钟。
马克斯。
4.06
4.83
2.03
2.79
0.51
0.99
1.14
1.40
0.46
0.74
1.14
1.40
8.64
9.65
7.11
8.13
9.65
10.29
6.86
8.13
2.54
BSC
14.61
15.88
2.29
2.79
1.02
1.40
1.27
1.78
0
0.38
0.46
0.74
英寸
分钟。马克斯。
.160
.190
.080
.110
.020
.039
.045
.055
.018
.029
.045
.055
.340
.380
.280
.320
.380
.405
.270
.320
.100 BSC
.575
.625
.090
.110
.040
.055
.050
.070
0
.015
.018
.029
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利：
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
QQ：2881677436 复制
