先进的技术信息
IGBT与反
阻断能力
IXRH 50N120
V
CES
= 1000 / 1200 V
IXRH 50N100
I
C25
= 60 A
V
CE （ SAT ）
= 2.5 V
t
f
= 75 ns的
的TO- 247的AD
G
C
E
E
G =门，
E =发射器，
C =收藏家，
TAB =收藏家
C
G
C（ TAB ）
IGBT
符号
V
CES
V
GES
I
C25
I
C90
I
CM
V
CEK
P
合计
T
C
= 25°C
T
C
= 90°C
V
GE
= 0/15 V ;
G
= 22
;
T
VJ
= 125°C
RBSOA ，钳位感性负载; L = 100 μH
T
C
= 25°C
条件
T
VJ
= 25 ℃至150 ℃的
IXRH 50N120
IXRH 50N100
最大额定值
±
1200
±
1000
±
20
60
40
80
500
300
V
V
V
A
A
特点
q
q
q
A
V
W
q
IGBT与NPT （非穿通）
结构
反向阻断能力indepen-
从栅极电压凹陷
- 串联二极管的功能，单片
集成
- 无需外部二极管系列
- 软反向恢复
正温度系数
饱和电压
- 最佳的电流分布
当并联
以247封装符合环氧
UL 94V- 0
符号
条件
特征值
(T
VJ
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。
典型值。马克斯。
2.5
3.0
4
3.0
500
80
100
380
75
3.6
2.1
4
150
58
840
3.1
8
0.4
V
V
V
mA
mA
nA
ns
ns
ns
ns
mJ
mJ
nF
nC
A
ns
0.42 K / W
应用
需要反向阻断器
功能：
- 电流源逆变器
- 矩阵变换器
- 双向开关
- 谐振转换器
- 感应加热
- 软开关辅助开关
在主电流路径
V
CE （ SAT ）
V
GE （日）
I
CES
I
GES
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on
E
关闭
C
IES
Q
坤
I
RM
t
rr
R
thJC
I
C
= 40 A; V
GE
= 15 V ;牛逼
VJ
= 25°C
T
VJ
= 125°C
I
C
= 2毫安; V
GE
= V
CE
V
CE
= 0.8 V
CES
; V
GE
= 0 V ;牛逼
VJ
= 25°C
T
VJ
= 125°C
V
CE
= 0 V; V
GE
=
±
20 V
感性负载，T
VJ
= 125°C
V
CE
= 500 V ;我
C
= 40 A
V
GE
= 0/15 V ;
G
= 22
V
CE
= 25 V; V
GE
= 0 V ; F = 1 MHz的
V
CE
= 500V; V
GE
= 15 V ;我
C
= 40 A
I
F
= 40 A;的dI
C
/ DT = -400 A / μs的;牛逼
VJ
= 125°C
V
CE
= -500 V; V
GE
= 15 V
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
版权所有2000 IXYS所有权利。
IXYS半导体有限公司
Edisonstr 。 15 ，
D- 68623兰佩尔泰姆
电话： + 49-6206-503-0 ，传真： + 49-6206-503627
1-2
IXYS公司
3540巴西特街，圣克拉拉CA 95054
电话： （ 408 ） 982-0700 ，传真： 408-496-0670
038
先进的技术信息
IGBT与反
阻断能力
IXRH 50N120
V
CES
= 1000 / 1200 V
IXRH 50N100
I
C25
= 60 A
V
CE （ SAT ）
= 2.5 V
t
f
= 75 ns的
的TO- 247的AD
G
C
E
E
G =门，
E =发射器，
C =收藏家，
TAB =收藏家
C
G
C（ TAB ）
IGBT
符号
V
CES
V
GES
I
C25
I
C90
I
CM
V
CEK
P
合计
T
C
= 25°C
T
C
= 90°C
V
GE
= 0/15 V ;
G
= 22
;
T
VJ
= 125°C
RBSOA ，钳位感性负载; L = 100 μH
T
C
= 25°C
条件
T
VJ
= 25 ℃至150 ℃的
IXRH 50N120
IXRH 50N100
最大额定值
±
1200
±
1000
±
20
60
40
80
500
300
V
V
V
A
A
特点
q
q
q
A
V
W
q
IGBT与NPT （非穿通）
结构
反向阻断能力indepen-
从栅极电压凹陷
- 串联二极管的功能，单片
集成
- 无需外部二极管系列
- 软反向恢复
正温度系数
饱和电压
- 最佳的电流分布
当并联
以247封装符合环氧
UL 94V- 0
符号
条件
特征值
(T
VJ
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。
典型值。马克斯。
2.5
3.0
4
3.0
500
80
100
380
75
3.6
2.1
4
150
58
840
3.1
8
0.4
V
V
V
mA
mA
nA
ns
ns
ns
ns
mJ
mJ
nF
nC
A
ns
0.42 K / W
应用
需要反向阻断器
功能：
- 电流源逆变器
- 矩阵变换器
- 双向开关
- 谐振转换器
- 感应加热
- 软开关辅助开关
在主电流路径
V
CE （ SAT ）
V
GE （日）
I
CES
I
GES
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
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I
C
= 40 A; V
GE
= 15 V ;牛逼
VJ
= 25°C
T
VJ
= 125°C
I
C
= 2毫安; V
GE
= V
CE
V
CE
= 0.8 V
CES
; V
GE
= 0 V ;牛逼
VJ
= 25°C
T
VJ
= 125°C
V
CE
= 0 V; V
GE
=
±
20 V
感性负载，T
VJ
= 125°C
V
CE
= 500 V ;我
C
= 40 A
V
GE
= 0/15 V ;
G
= 22
V
CE
= 25 V; V
GE
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V
CE
= 500V; V
GE
= 15 V ;我
C
= 40 A
I
F
= 40 A;的dI
C
/ DT = -400 A / μs的;牛逼
VJ
= 125°C
V
CE
= -500 V; V
GE
= 15 V
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
版权所有2000 IXYS所有权利。
IXYS半导体有限公司
Edisonstr 。 15 ，
D- 68623兰佩尔泰姆
电话： + 49-6206-503-0 ，传真： + 49-6206-503627
1-2
IXYS公司
3540巴西特街，圣克拉拉CA 95054
电话： （ 408 ） 982-0700 ，传真： 408-496-0670
038
QQ：2880707522 复制
