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IXKH 47N60C
的CoolMOS
1)
功率MOSFET
低R
DSON
，高V
DSS
超结MOSFET
D
V
DSS
= 600 V
I
D25
= 47 A
R
DS （ ON） MAX
= 70 mΩ
TO-247
G
G
D
S
S
TAB
E72873
MOSFET
符号
V
DSS
V
GS
I
D25
I
D100
E
AS
E
AR
dv / dt的
符号
T
C
= 25°C
T
C
= 100°C
单脉冲I
D
= 10 A;牛逼
C
= 25°C
重复
I
D
= 20 A;牛逼
C
= 25°C
MOSFET的dV / dt坚固V
DS
= 0...480 V
条件
条件
T
VJ
= 25°C
最大额定值
600
±
20
47
30
1800
待定
待定
V
V
A
A
mJ
mJ
V / ns的
特点
第三代超结功率
MOSFET
- 高阻断能力
- 最低电阻
- 雪崩额定松开
感应开关（ UIS）
- 低热阻
由于减少了芯片的厚度
应用
开关模式电源（SMPS ）
不间断电源（UPS ）
功率因数校正（ PFC ）
焊接
感应加热
1)
特征值
(T
VJ
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。
典型值。
60
2
T
VJ
= 25°C
T
VJ
= 150°C
马克斯。
70
4
25
250
±100
待定
待定
255
30
110
20
27
111
10
0.3
650
mΩ
V
A
A
nA
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
K / W
R
DSON
V
GS （ TH）
I
DSS
I
GSS
C
国际空间站
C
OSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
R
thJC
V
GS
= 10 V ;我
D
= I
D100
V
DS
= V
GS
; I
D
= 2毫安
V
DS
= V
DSS
; V
GS
= 0 V
V
GS
=
±
20 V; V
DS
= 0 V
V
GS
= 0 V; V
DS
= 100 V
F = 1 MHz的
V
GS
= 010伏; V
DS
= 350 V ;我
D
= 40 A
的CoolMOS
是一个商标
在科幻霓虹科技股份公司。
V
GS
= 10 V; V
DS
= 380 V
I
D
= 47 A;
G
= 4.7
Ω
脉冲测试，T < 300微秒，占空比 < 2 ％
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
20080523a
版权所有 2008 IXYS所有权利。
1-4
IXKH 47N60C
源极 - 漏极二极管
符号
条件
特征值
(T
VJ
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。
I
S
V
SD
t
rr
Q
RM
I
RM
V
GS
= 0 V
I
F
= 40 A; V
GS
= 0 V
I
F
= 40 A; - 二
F
/ DT = 100 A / μs的; V
R
= 640 V
典型值。
马克斯。
A
V
ns
C
A
部件
符号
T
VJ
T
英镑
M
d
符号
条件
操作
安装力矩
条件
最大额定值
-55...+150
-55...+150
1.13
°C
°C
Nm
特征值
分钟。
典型值。
待定
2.7
马克斯。
K / W
g
R
thCH
重量
与复合散热器
的TO- 247概要
符号
A
A1
A2
D
E
E2
e
L
L1
P
Q
S
b
b2
b4
c
D1
D2
E1
P1
英寸
民
最大
0.185
0.209
0.087
0.102
0.059
0.098
0.819
0.845
0.610
0.640
0.170
0.216
0.215 BSC
0.780
0.800
-
0.177
0.140
0.144
0.212
0.244
0.242 BSC
0.039
0.055
0.065
0.094
0.102
0.135
0.015
0.035
0.515
-
0.020
0.053
0.530
-
-
0.291
MILLIMETERS
民
最大
4.70
5.30
2.21
2.59
1.50
2.49
20.79
21.45
15.48
16.24
4.31
5.48
5.46 BSC
19.80
20.30
-
4.49
3.55
3.65
5.38
6.19
6.14 BSC
0.99
1.40
1.65
2.39
2.59
3.43
0.38
0.89
13.07
-
0.51
1.35
13.45
-
-
7.39
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
20080523a
版权所有 2008 IXYS所有权利。
2-4
IXKH 47N60C
图。 1.输出特性
@ 25度。
50
45
40
35
图。 2.扩展的输出特性
@ 25度。
180
160
140
t
P = 300μS
V
GS
= 10V
6V
5V
t
P = 300μS
V
GS
= 10V
7V
I
D
- 安培
30
25
20
15
10
5
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4V
4.5V
I
D
- 安培
120
100
80
60
40
20
0
0
2
4
6
8
10
12
6V
5V
14
16
18
V
S
- 伏特
图。 3.输出特性
@ 125度。
50
45
40
V
S
- 伏特
图。 4.
DS （ ON）
规范alized到我
D100
价值
- 结tem温度
2.8
2.5
V
GS
= 10V
t
P = 300μS
V
GS
= 10V
5V
t
P = 300μS
I
D
- 安培
35
30
25
20
15
10
5
0
0
1
2
3
4
5
6
7
4V
4.5V
R
S（上）
- 归
2.2
1.9
1.6
1.3
1
0.7
0.4
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I
D
= 30A
I
D
= 15A
V
S
- 伏特
图。 5.
DS （ ON）
规范alized到
I
D100
价值与我
D
4
3.7
3.4
V
GS
= 10V
50
45
40
T
J
= 125C
35
T
J
- 摄氏
图。 6.漏电流与案例
tem温度
t
P = 300μS
R
S（上）
- 归
3.1
2.8
2.5
2.2
1.9
1.6
1.3
1
0.7
0
20
40
60
80
I
D
- 安培
T
J
= 25C
100
120
140
160
180
30
25
20
15
10
5
0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I
D
- 安培
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
T
C
- 摄氏
20080523a
版权所有 2008 IXYS所有权利。
3-4
IXKH 47N60C
图。 7.输入上将ittance
120
100
90
100
80
80
图。 8.跨导
I
D
- 安培
g
F小号
- 西门子
70
60
50
40
30
20
10
T
J
= -40C
25C
125C
60
40
20
T
J
= 125C
25C
-40C
0
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
5.5
6
0
0
20
40
60
80
100
120
V
的s
- 伏特
图。 9.源电流和源TO -
漏极电压
100
90
80
10
9
8
7
V
DS
= 350V
I
D
= 40A
I
G
= 10毫安
I
D
- 安培
图。 10.栅极电荷
I
S
- 安培
70
V
的s
- 伏特
T
J
= 25C
60
50
40
30
20
10
0
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
T
J
= 125C
6
5
4
3
2
1
0
0
30
60
90
120
150
180
210
240
270
V
S.D。
- 伏特
图。 11.电容
100000
F = 1MHz的
C
国际空间站
1
Q
G
- nanocoulombs
图。 12.马克西姆嗯瞬态千卡人
阻力
电容 - pF的
10000
R
（ TH） J·C
- （ C / W）
1000
C
OSS
0.1
100
C
RSS
10
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
0.01
1
10
100
1000
V
DS
- 伏特
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
脉冲宽度 - 毫秒
20080523a
版权所有 2008 IXYS所有权利。
4-4
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推荐型号
INDR166B
INS8253
IRKNF102-10GK
IDT7203L12D
IDT7206S120JB
IC61S25632T-166TQI
IS61NLF25672
IP117MAHVE
IXFR40N50Q2
IS42S32400D-6BL
ILC6380CP-33
IRF6215
IRKKF111-04CM
IDT6198S15D
IDT70V261S55PF
IDT54FCT374
ISL6615AIBZ
IXTP182N055T
IRF522R
IS27C256-12PLI
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单价/备注
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    IXKH47N60C
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    -
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