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的CoolMOS
TM
功率MOSFET
IXKC 20N60C
在ISOPLUS220
TM
包
电气隔离返回地面
N沟道增强模式
低R
DS （ ON）
，超结MOSFET
初步数据表
V
DSS
= 600 V
I
D25
= 14 A
R
DS （ ON）
= 190 m
符号
V
DSS
V
GS
I
D25
I
D90
I
D（ RMS）
E
AS
E
AR
P
D
T
J
T
JM
T
英镑
T
L
V
ISOL
F
C
重量
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
连续
T
C
= 25°C ;注1
T
C
= 90 ° C，注1
封装引线电流限制
I
o
I
o
= 10A ，T
C
= 25°C
= 20A
最大额定值
600
±20
14
10
45
690
1
125
-55 ... +150
150
-55 ... +125
V
V
A
A
A
mJ
mJ
W
°C
°C
°C
°C
V~
ISOPLUS 220LV
TM
E153432
G
D
S
孤立的背面*
D =排水，
G =门，
S =源
*专利申请中
T
C
= 25°C
特点
对直接铜键合硅片
基板
- 高功率耗散
- 隔离安装面
- 2500V电气隔离
3
RD
新一代的CoolMOS功率MOSFET
- 高阻断能力
- 低导通电阻
- 雪崩额定松开电感
开关（ UIS ）
由于减少了低热阻
切屑厚度
低漏片电容（ <30pF ）
应用
从案例10秒1.6毫米（ 0.062英寸）
有效值引线到标签上， 50/60赫兹， t为1分钟
安装力
300
2500
11 ... 65 / 2.4 ... 11 N /磅
3
g
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
160
463
3.5
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
10
±100
190 m
m
5.5
1
V
A
A
nA
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
I
DSS
I
GSS
V
GS
= 10 V，I
D
= I
D90
，注3
V
GS
= 10 V，I
D
= I
D90
，注意3个T
J
= 125°C
V
DS
= V
GS
, I
D
= 1毫安
V
DS
= V
DSS
V
GS
= 0 V
V
GS
=
±20
V
DC
, V
DS
= 0
开关模式电源（ SMPS ）
不间断电源（ UPS ）
功率因数校正（ PFC ）
焊接
感应加热
优势
易于组装：无螺丝或隔离
需要箔
节省空间
高功率密度
COOLMOS是英飞凌的商标。
科技股份公司
版权所有2004 IXYS所有权利。
DS98848C(1/04)
IXKC 20N60C
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
79
V
GS
= 10 V, V
DS
= 350 V，I
D
= 20 A
21
46
20
V
GS
= 10 V, V
DS
= 380V
I
D
= 20 A，R
G
= 3.3
55
60
10
1
0.30
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
K / W
K / W
TO- 220LV大纲
Q
G（ ON）的
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
R
thJC
R
thCH
逆向传导
符号
V
SD
测试条件
I
F
= 10 A，V
GS
= 0 V
注3
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
0.8
1.2
V
注：1， MOSFET芯片的能力
2.本征二极管能力
3.脉冲检验，t
≤
300
s,
占空比
≤
2 %
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或多个
：下列美国专利
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
6,306,728B1
6,404,065B1
6,259,123B1
6,162,665
6,306,728B1
6,534,343
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    IXKC20N60C
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