IXGK82N120A3
IXGX82N120A3
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
g
fs
C
IES
C
OES
C
水库
Q
G（ ON）的
Q
ge
Q
gc
t
D（上）
t
ri
E
on
t
D（关闭）
t
fi
E
关闭
t
D（上）
t
ri
E
on
t
D（关闭）
t
fi
E
关闭
R
thJC
R
thCK
0.15
感性负载，T
J
= 125°C
I
C
= 80A ，V
GE
= 15V
V
CE
= 0.5 V
CES
, R
G
= 2Ω
注3
感性负载，T
J
= 25°C
I
C
= 80A ，V
GE
= 15V
V
CE
= 0.5 V
CES
, R
G
= 2Ω
注3
I
C
= I
C110
, V
GE
= 15V, V
CE
= 0.5 V
CES
V
CE
= 25V, V
GE
= 0V中，f = 1 MHz的
I
C
= 60A ，V
CE
= 10V ，注意2
特征值
分钟。
典型值。
马克斯。
40
66
7700
520
190
340
54
146
34
75
5.5
265
780
12.5
32
77
6.7
340
1250
22.5
1300
20.0
S
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
0.10 ° C / W
° C / W
DIM 。
A
A1
A2
b
b1
b2
c
D
E
e
J
K
L
L1
P
Q
Q1
R
R1
S
T
毫米
分钟。
马克斯。
4.82
5.13
2.54
2.89
2.00
2.10
1.12
1.42
2.39
2.69
2.90
3.09
0.53
0.83
25.91 26.16
19.81 19.96
5.46 BSC
0.00
0.25
0.00
0.25
20.32 20.83
2.29
2.59
3.17
3.66
6.07
6.27
8.38
8.69
3.81
4.32
1.78
2.29
6.04
6.30
1.57
1.83
英寸
分钟。
马克斯。
.190
.202
.100
.114
.079
.083
.044
.056
.094
.106
.114
.122
.021
.033
1.020
1.030
.780
.786
0.215 BSC
.000
.010
.000
.010
.800
.820
.090
.102
.125
.144
.239
.247
.330
.342
.150
.170
.070
.090
.238
.248
.062
.072
TO- 264 AA （ IXGK ）大纲
PLUS247
TM
（ IXGX ）大纲
注意事项：
1.部分必须heatsunk的高温我
CES
测量。
2.脉冲检验，t
≤
300μS ，占空比D
≤
2%.
3.开关时间&能量损失可能会增加对较高的V
CE
（钳） ，T
J
或R
G
.
端子： 1 - 门
2 - 漏极（集电极）
3 - 源（发射极）
初步技术信息
本文中所呈现的产品正在开发中。所提供的技术规格衍生
从过程的初步工程很多客观的刻画收集的数据;但也可能还
包含在预生产设计评价提供了一些信息。 IXYS保留权利
更改限制，试验条件和尺寸，恕不另行通知。
DIM 。
A
A
1
A
2
b
b
1
b
2
C
D
E
e
L
L1
Q
R
6,404,065 B1
6,534,343
6,583,505
毫米
分钟。马克斯。
4.83
2.29
1.91
1.14
1.91
2.92
5.21
2.54
2.16
1.40
2.13
3.12
英寸
分钟。马克斯。
.190
.090
.075
.045
.075
.115
.205
.100
.085
.055
.084
.123
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT覆盖
4,835,592
通过以下一种或多项美国专利： 4850072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,381,025
5,486,715
6,162,665
6,259,123 B1
6,306,728 B1
0.61
0.80
20.80 21.34
15.75 16.13
5.45 BSC
19.81 20.32
3.81
4.32
5.59
6.20
4.32
4.83
.024 .031
.819 .840
.620 .635
0.215 BSC
.780 .800
.150 .170
.220 0.244
.170 .190
7,157,338B2
6,683,344
6,727,585
7,005,734 B2
6,710,405 B2 6,759,692
7,063,975 B2
6,710,463
6,771,478 B2 7,071,537
IXGK82N120A3
IXGX82N120A3
图。 12.感应开关
能量损失与集电极电流
30
E
关闭
25
V
CE
= 600V
E
on
12
30
E
关闭
10
25
V
CE
= 600V
E
on
图。 13.感应开关
能量损失与结温
12
----
----
10
R
G
= 2
,
V
GE
= 15V
R
G
= 2
,
V
GE
= 15V
E
关闭
- 毫焦耳
E
关闭
- 毫焦耳
20
T
J
= 125C
8
E
on
- 毫焦耳
20
I
C
= 80A
15
8
E
on
- 毫焦耳
15
6
6
10
T
J
= 25C
4
10
I
C
= 40A
4
5
2
5
2
0
20
30
40
50
60
70
80
0
0
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
0
125
I
C
- 安培
T
J
- 摄氏
图。 14.感应开启关闭
开关时间与集电极电流
1.8
1.6
1.4
1.6
1.8
1.6
图。 15.感应开启关闭
开关时间与结温
0.8
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
t
fi
V
CE
= 600V
t
D（关闭）
- - - -
t
F I
V
CE
= 600V
t
D（关闭）
- - - -
R
G
= 2 , V
GE
= 15V
R
G
= 2 , V
GE
= 15V
0.7
0.6
0.5
t
D（关闭）
- 微秒
t
F I
- 微秒
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
20
30
40
50
60
70
80
T
J
= 25C
t
F I
- 微秒
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
25
t
D（关闭）
- 微秒
T
J
= 125C
I
C
= 40A, 80A
0.4
0.3
0.2
0.1
125
0.4
0.2
0.0
35
45
55
65
75
85
95
105
115
I
C
- 安培
T
J
- 摄氏
图。 16.感应开启式
开关时间与集电极电流
120
36
110
100
34
90
图。 17.感应开启式
开关时间与结温
42
100
t
R I
V
CE
= 600V
t
D（上）
- - - -
t
R I
V
CE
= 600V
t
D（上）
- - - -
40
38
R
G
= 2 , V
GE
= 15V
T
J
= 25C, 125C
R
G
= 2 , V
GE
= 15V
t
D（上）
- 纳秒
t
D（上）
- 纳秒
t
R I
- 纳秒
t
R I
- 纳秒
80
32
80
70
60
50
40
I
C
36
I
C
= 80A
34
32
30
= 40A
28
26
24
125
60
30
40
28
20
26
30
0
20
30
40
50
60
70
80
24
20
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
I
C
- 安培
T
J
- 摄氏
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IXYS REF ： G_82N120A3 （ 8T ） 09年6月23日
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