IXYS
动力
通过技术效率
2009年1月
概观
否E瓦特
P ，R 0 ü （C T）
B R I E F
600V GenX3 的IGBT
新一代600V的IGBT为功率转换应用
IXYS扩展其GenX3
TM
绝缘栅双极晶体管（IGBT）的产品线，以
600伏。这些新的IGBT使用先进设备，最先进的IXYS “ GenX3制造
TM
IGBT工艺和利用IXYS公司先进的冲压，尽管（ PT ）技术，量身定制
以提供较高的浪涌电流能力，低饱和电压，并且降低
开关损耗。
为了适应最佳的部件选型，设计人员在选择的选择
三者之间的子类表示为A3，B3和C3 。这些分类可以
设计师以“拨号”静态的（导通）之间的最佳平衡，并
动态（切换）的损失，提高过所有系统的效率在各种
通过平衡的关键要求，如开关电源转换应用
频率，效率和成本结构。在A3级都低了优化
饱和电压V （饱和），并且非常适合于需要切换应用
频率高达5kHz的。同样， B3级提供低饱和电压，但
经过优化，以适应需要“中速”切换应用程序
操作从5kHz至40kHz的。在C3 -类是“高速”切换进行了优化
从40kHz至100kHz和高达谐振开关操作的操作
400kHz.
IXYS 600V GenX3
TM
IGBT的在各种标准封装，包括
表面全域安装和分立封装与36额定电流
安培到210安培。此外，一些设备将在PLUS可以提供与
ISOPLUS隔离封装，具有UL认证2500V的隔离和卓越
散热性能。可使用这些新设备的合作，盒装变种
IXYS “ HiPerFRED
TM
超快恢复二极管，提供卓越的快速恢复
和软开关特性。
这些IGBT的设计实现中应用，例如作为最优解
电源逆变器， UPS ，电机驱动器，开关电源， PFC ，电池充电器，电焊机，
灯镇流器，浪涌电流保护电路和直流斩波器。
www.ixys.com
ISOPLUS
TM
封装内部氧化铝DCB隔离*
DCB
陶瓷的
连接线
LEADS
铜
铜
SOLDER
芯片
模
提供2500V ， UL认可的隔离和优异的导热性能（ E153432 ） 。
提高termperature和功率循环能力。
符合成本效益的夹具安装。
* IXYS专利包，专利号6404065
*有关IXYS ISOPLUS包的信息，请访问http://www.ixys.com/IXAN0022.pdf
600V GenX3
TM
（ A3 ）的IGBT汇总表
a3-class
n
超低V （SAT）的IGBT
n
高达5kHz的
开关和传导损耗为A3级为子5kHz的开关频率的应用进行了优化。
性能改进这种分类包括最多在饱和电压Vce下降了16 ％ （饱和）相比
前一代的产品。
产品型号
IXGP36N60A3
IXGH36N60A3
IXGH36N60A3D4
IXGA36N60A3
IXGR64N60A3
IXGP48N60A3
IXGH48N60A3
IXGH48N60A3D1
IXGA48N60A3
IXGR72N60A3
IXGR72N60A3U1
IXGH64N60A3
IXGT64N60A3
IXGH72N60A3
IXGH72N60A3
IXGT72N60A3
IXGX120N60A3
IXGN120N60A3
IXGN120N60A3D1
IXGK120N60A3
IXGN320N60A3
IXGN400N60A3
IXGX320N60A3
IXGK320N60A3
VCES
(V)
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
IC @ T = 110
o
c
(a)
36
36
36
36
47
48
48
48
48
52
52
64
64
72
72
72
120
120
120
120
170
190
210
210
VCE （ sat）的TJ = 25
o
c
(V)
1.4
1.4
1.4
1.4
1.35
1.35
1.35
1.35
1.35
1.35
1.35
1.35
1.35
1.35
1.35
1.35
1.35
1.35
1.35
1.35
1.25
1.25
1.25
1.25
TFI （典型值）
（纳秒）
325
325
325
325
222
224
224
224
224
250
250
222
222
250
250
250
260
260
260
260
740
270
740
740
典型的Eoff
（兆焦耳）
3
3
3
3
3.28
2.9
2.9
2.9
2.9
3.5
3.5
3.28
3.28
3.5
3.5
3.5
6.6
6.6
6.6
6.6
na
na
na
na
RthJC
(
o
C / W ）
0.56
0.56
0.56
0.56
0.62
0.42
0.42
0.42
0.42
0.62
0.62
0.27
0.27
0.23
0.23
0.23
0.16
0.21
0.21
0.16
0.17
0.15
0.125
0.125
包
TO-220
TO-247
TO-247
TO-263
ISOPLUS247
TO-220
TO-247
TO-247
TO-263
ISOPLUS247
ISOPLUS247
TO-247
TO-268
TO-247
TO-247
TO-268
PLUS247
SOT-227B
SOT-227B
TO-264
SOT-227B
SOT-227
PLUS247
TO-264
600V GenX3
TM
（ B3 ）的IGBT汇总表
B3-class
n
中速的IGBT
n
高达40KHz
开关和传导损耗的B3级达40kHz的最优化。性能改进被纳入到
产量可达每脉冲低22 ％关断能量（的Eoff ），并降低10 ％的热阻，提高功率处理。
产品型号
IXGR48N60B3
IXGR48N60B3D1
IXGH36N60B3D1
IXGH36N60B3D4
IXGP48N60B3
IXGH48N60B3D1
IXGH48N60B3
IXGA48N60B3
IXGH56N60B3D1
IXGX64N60B3D1
IXGH64N60B3
IXGK64N60B3D1
IXGT64N60B3
IXGX72N60B3H1
IXGH72N60B3
IXGK72N60B3H1
IXGT72N60B3
IXGL200N60B3
IXGH90N60B3
IXGX120N60B3
IXGK120N60B3
IXGB200N60B3
IXGN200N60B3
VCES
(V)
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
IC @ T = 110
o
c
(a)
27
27
36
36
48
48
48
48
56
64
64
64
64
72
72
72
72
90
90
120
120
200
200
VCE （ sat）的TJ = 25
o
c
(V)
2.1
2.1
1.8
1.8
1.8
1.8
1.8
1.8
1.8
1.8
1.8
1.8
1.8
1.8
1.8
1.8
1.8
1.5
1.8
1.8
1.8
1.5
1.5
TFI （典型值）
（纳秒）
116
116
100
100
116
116
116
116
95
88
88
88
88
92
92
92
92
183
148
145
145
183
183
典型的Eoff
（兆焦耳）
0.66
0.66
0.8
0.8
0.66
0.66
0.66
0.66
1.05
1
1
1
1
1
1
1
1
2.9
1.37
3.5
3.5
2.9
2.9
RthJC
(
o
C / W ）
0.83
0.83
0.5
0.5
0.42
0.42
0.42
0.42
0.375
0.27
0.27
0.27
0.27
0.23
0.23
0.23
0.23
0.31
0.19
0.16
0.16
0.1
0.15
包
ISOPLUS247
ISOPLUS247
TO-247
TO-247
TO-220
TO-247
TO-247
TO-263
TO-247
PLUS247
TO-247
TO-264
TO-268
PLUS247
TO-247
TO-264
TO-268
ISOPLUS264
TO-247
PLUS247
TO- 264 AA
PLUS264
SOT-227B
600V GenX3
TM
（ C3 ）的IGBT汇总表
c3-class
n
高速的IGBT
n
高达100kHz
开关和传导损耗，为C3级的切换频率高达100khz的最优化。在C3级性能
改进包括最多的降低，以提高功率处理的耐热性为12％ ，并还包括最多低22 ％的关断
每个脉冲（的Eoff ）能源显著降低开关损耗与前代高速IGBT的。
产品型号
IXGR48N60C3D1
IXGP30N60C3
IXGH30N60C3D1
IXGA30N60C3
IXGR72N60C3D1
IXGP48N60C3
IXGH48N60C3
IXGH48N60C3D1
IXGA48N60C3
IXGH60N60C3
IXGH60N60C3D1
IXGX72N60C3H1
IXGH72N60C3
VCES
(V)
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
IC @ T = 110
o
c
(a)
26
30
30
30
35
48
48
48
48
60
60
72
72
VCE （ sat）的TJ = 25
o
c
(V)
2.7
3
3
3
2.7
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
TFI （典型值）
（纳秒）
38
47
47
47
55
38
38
38
38
55
55
55
55
典型的Eoff
（兆焦耳）
0.23
0.09
0.09
0.09
0.48
0.23
0.23
0.23
0.23
0.42
0.42
0.48
0.48
RthJC
(
o
C / W ）
1
0.56
0.56
0.56
0.62
0.42
0.42
0.42
0.42
0.33
0.33
0.23
0.23
包
ISOPLUS 247
TO-220
TO-247
TO-263
ISOPLUS 247
TO-220
TO-247
TO-247
TO-263
TO-247
TO-247
PLUS247
TO-247
应用
电源逆变器
不间断电源
电机驱动
开关模式电源
功率因数校正电路
焊接机
灯镇流器
特点
优化的低开关&
导通损耗
广场RBSOA
高电流处理能力
国际标准封装
好处
高功率密度
低栅极驱动要求
多进程高频逆变焊机
L1
整流器器
D1
D2
230VAC
动力
因素
更正
BOOST
变流器
Q1
C1
D5
功率级
全桥逆变器
Q2
Q4
在左侧的图中示出了通用电路
拓扑结构的逆变焊接电源。这
电路拓扑结构是由四个阶段： A）整流器
阶段， B）中的PFC &升压阶段，C）的输出级，和D）
输出级。从电网输入功率进入
D3
D4
PFC
调节器
Q3
Q5
在整改阶段，要予以纠正，以直流值
并通过功率因数校正升压处理
栅极驱动器
调节器
输出级
VOUT +
C4
R2
C3
C2
D7
L2
R1
D6
转换器。从那里进入功率级而
下台
变压器
采用全桥逆变器转换电压
回交流高频通常在50kHz
到100kHz 。交流信号，然后通过T1下台
变压器，然后被整流和滤波
出在输出级。
压脚
C5
交流电机驱动器（谐振直流环节逆变器）
在右边的图中示出的交流电动机
驱动器采用了谐振直流环节逆变器。一
谐振链路（ L1，C2 ）被固定到所述DC总线
的脉冲宽度调制逆变器的。共振
链接然后'兴奋' ，并保持共振
流经IGBT的一种方式的控制时
谐振直流母线电压达到频繁
零伏。 IGBT的导通和关断
零电压和同步，以匹配
零电压交叉点，以获得所需的低
开关损耗。有源钳位电路（Q7 ，C1）是
加时取缔不必要的过冲
直流变频电流减小引起的突然
由IGBT的开关特性。
栅极驱动器
3相交流
Vs
C2
C1
Q7
L1
Q1
Q3
Q5
汽车
Q2
Q4
Q6
2009年1月
www.ixys.com
PB60IGBTA3B3C3 1.4
QQ：2880707522 复制
