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初步数据表
HiPerFAST
TM
IGBT
IXGK 35N120C
IXGX 35N120C
IXGK 35N120CD1
IXGX 35N120CD1
(D1)
V
CES
= 1200 V
I
C25
=
70 A
V
CE ( SAT )
= 4.0 V
t
网络连接(典型值)
=
115纳秒
符号
V
CES
V
CGR
V
GES
V
创业板
I
C25
I
C90
I
CM
SSOA
( RBSOA )
P
C
T
J
T
JM
T
英镑
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25 ℃至150 ℃;
GE
= 1 M
连续
短暂
T
C
= 25°C
T
C
= 90°C
T
C
= 25 ° C, 1毫秒
V
GE
= 15 V ,T
VJ
= 125 ° C,R
G
= 5
钳位感性负载
T
C
= 25°C
最大额定值
1200
1200
±20
±30
70
35
140
I
CM
= 90
@ 0.8 V
CES
350
-55 ... +150
150
-55 ... +150
300
V
V
V
V
A
A
A
A
W
°C
°C
°C
°C
TO- 264 AA ( IXGK )
G
C
E
C( TAB )
PLUS 247
TM
( IXGX )
G
C( TAB )
C
E
最大无铅焊接温度的
从案例10秒1.6毫米( 0.062英寸)
G =门,
E =发射器,
特点
C =收藏家,
TAB =收藏家
M
d
重量
安装扭矩( M3 ) ( IXGK )
1.13/10Nm/lb.in.
TO- 264 AA
PLUS247
TM
10
6
g
g
国际标准封装
JEDEC TO- 264和PLUS247
TM
低开关损耗,低V
(SAT)
MOS栅极导通
- 驱动器的简单
应用
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C,除非另有规定编)
分钟。典型值。马克斯。
1200
2.5
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
5
250
5
±100
4.0
T
J
= 125°C
3.2
V
V
A
mA
nA
V
V
交流电机调速
直流伺服和机器人的驱动器
直流斩波器
不间断电源
( UPS )
开关模式和谐振模
电源
BV
CES
V
GE (日)
I
CES
I
GES
V
CE ( SAT )
I
C
I
C
= 1毫安, V
GE
= 0 V
= 750
A,
V
CE
= V
GE
V
CE
= V
CES
V
GE
= 0 V
V
CE
= 0 V, V
GE
=
±20
V
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V
优势
高功率密度
易与1个螺丝安装,
(隔绝安装螺纹孔)
弹簧夹或钳总成
可能。
DS98961 ( 10/02 )
版权所有2002 IXYS所有权利。
IXGK 35N120C
IXGX 35N120C
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C,除非另有规定编)
分钟。典型值。马克斯。
30
40
4620
V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V , F = 1兆赫
260
90
170
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V, V
CE
= 0.5 V
CES
28
57
感性负载,T
J
= 25°C
°
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V
V
CE
= 0.8 V
CES
, R
G
= R
关闭
= 5
备注:开关时间可能
增加V
CE
(钳) > 0.8 V
CES
,
更高的温度
J
或加强研究
G
感性负载,T
J
= 125°C
°
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V
V
CE
= 0.8 V
CES
, R
G
= R
关闭
= 5
备注:开关时间可能
增加V
CE
(钳) > 0.8 V
CES
,
更高的温度
J
或加强研究
G
50
27
150
115
3.0
55
31
2.6
220
260
6.2
220
190
S
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
IXGK
IXGX
35N120CD1
35N120CD1
TO- 264 AA纲要( IXGK )
g
fs
C
IES
C
OES
C
水库
Q
g
Q
ge
Q
gc
t
D(上)
t
ri
t
D(关闭)
t
fi
E
关闭
t
D(上)
t
ri
E
on
t
D(关闭)
t
fi
E
关闭
R
thJC
R
thCK
I
C
= I
C90
; V
CE
= 10 V,
脉冲测试,T
300
s,
占空比
2 %
DIM 。
A
A1
A2
b
b1
b2
c
D
E
e
J
K
L
L1
P
Q
Q1
R
R1
S
T
毫米
分钟。
马克斯。
4.82
5.13
2.54
2.89
2.00
2.10
1.12
1.42
2.39
2.69
2.90
3.09
0.53
0.83
25.91
26.16
19.81
19.96
5.46 BSC
0.00
0.25
0.00
0.25
20.32
20.83
2.29
2.59
3.17
3.66
6.07
6.27
8.38
8.69
3.81
4.32
1.78
2.29
6.04
6.30
1.57
1.83
分钟。
英寸
马克斯。
4.2兆焦耳
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
0.35 K / W
.190
.202
.100
.114
.079
.083
.044
.056
.094
.106
.114
.122
.021
.033
1.020
1.030
.780
.786
0.215 BSC
.000
.010
.000
.010
.800
.820
.090
.102
.125
.144
.239
.247
.330
.342
.150
.170
.070
.090
.238
.248
.062
.072
PLUS247
TM
纲要( IXGX )
0.15
K / W
反向二极管( FRED )
符号
V
F
I
RM
t
rr
R
thJC
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C,除非另有规定编)
分钟。典型值。马克斯。
2.35
32
225
40
36
60
V
A
ns
ns
终端:
1 - GATE
2 - 漏极(集电极)
3 - 源(发射极)
4 - 漏极(集电极)
I
F
= I
C90
, V
GE
= 0 V ,脉冲测试,
t
300
s,
占空比
2 %, T
J
= 125°C
I
F
= I
C90
, V
GE
= 0 V , - 二
F
/ DT = 480 A / μs的
V
R
= 540 V
T
J
=100°C
I
F
= 1 ; -di / DT = 200 A / μs的; V
R
= 30 V T,
J
= 25°C
DIM 。
A
A
1
A
2
b
b
1
b
2
C
D
E
e
L
L1
Q
R
5,049,961
5,063,307
0.65 K / W
IXYS保留更改限制,试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利:
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
毫米
分钟。马克斯。
4.83
5.21
2.29
2.54
1.91
2.16
1.14
1.40
1.91
2.13
2.92
3.12
0.61
0.80
20.80 21.34
15.75 16.13
5.45 BSC
19.81 20.32
3.81
4.32
5.59
6.20
4.32
4.83
5,187,117
5,237,481
英寸
分钟。马克斯。
.190 .205
.090 .100
.075 .085
.045 .055
.075 .084
.115 .123
.024 .031
.819 .840
.620 .635
0.215 BSC
.780 .800
.150 .170
.220 0.244
.170 .190
5,486,715
5,381,025
6,306,728B1
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