【GenX3TMA3-ClassIGBT的超低甚小孔径终端PT型IGBT的高达5kHz的开关IXGK1】,IC型号IXGX120N60A3,IXGX120N60A3 PDF资料,IXGX120N60A3经销商,ic,电子元器件-51电子网

GenX3

TM

A3-Class

IGBT的

超低甚小孔径终端PT型IGBT的

高达5kHz的开关

IXGK120N60A3

IXGX120N60A3

V

CES

= 600V

I

C110

= 120A

V

CE （ SAT ）

≤

1.35V

TO- 264 （ IXGK ）

符号

V

CES

V

CGR

V

GES

V

创业板

I

C25

I

C110

I

LRMS

I

CM

SSOA

（ RBSOA ）

P

C

T

J

T

JM

T

英镑

T

L

T

出售

M

d

F

C

重量

测试条件

T

J

= 25 ℃至150 ℃的

T

J

= 25° C到150° C，R

GE

= 1MΩ

连续

短暂

T

C

= 25°C

T

C

= 110°C

终端电流限制

T

C

= 25 ° C， 1毫秒

V

GE

= 15V ，T

VJ

= 125 ° C，R

G

= 1.5Ω

钳位感性负载

T

C

= 25°C

最大额定值

600

±20

±30

200

120

75

600

I

CM

= 200

@

＆ LT ;

600

780

-55 ... +150

150

-55 ... +150

V

A

V

W

°C

纳米/ lb.in 。

N /磅。

g

特点

优化的低传导损耗

广场RBSOA

高电流处理能力

国际标准封装

优势

PLUS 247

TM

（ IXGX ）

G

C

（ TAB ）

E

G

C

（ TAB ）

E

G =门

C =收藏家

E

- 发射极

TAB =收藏家

最大无铅焊接温度的

从案例10 1.6毫米（ 0.062英寸）

安装扭矩（ IXGK ）

安装力（ IXGX ）

TO-264

PLUS247

300

260

1.13/10

20..120/4.5..27

10

6

符号

测试条件

(T

J

= 25 ° C，除非另有规定编）

V

GE （日）

I

CES

I

GES

V

CE （ SAT ）

I

C

= 500μA ，V

CE

= V

GE

T

J

= 125°C

V

CE

= 0V, V

GE

= ±20V

I

C

= 100A ，V

GE

= 15V ，注1

V

CE

= V

CES ，

V

GE

= 0V

特征值

分钟。

典型值。

马克斯。

3.0

5.0

V

50

μA

1.25毫安

± 400 nA的

1.20

1.35

V

高功率密度

低栅极驱动要求

应用

电源逆变器

UPS

电机驱动

SMPS

PFC电路

电池充电器

焊接机

灯镇流器

浪涌电流保护电路

DS99964A(02/09)

IXGK120N60A3

IXGX120N60A3

符号

测试条件

(T

J

= 25 ° C，除非另有规定编）

g

fs

C

IES

C

OES

C

水库

Q

G（ ON）的

Q

ge

Q

gc

t

D（上）

t

ri

E

on

t

D（关闭）

t

fi

E

关闭

t

D（上）

t

ri

E

on

t

D（关闭）

t

fi

E

关闭

R

thJC

R

thCK

0.15

感性负载，T

J

= 125°C

I

C

= 100A ，V

GE

= 15V

V

CE

= 480V ，R

G

= 1.5Ω

感性负载，T

J

= 25°C

I

C

= 100A ，V

GE

= 15V

V

CE

= 480V ，R

G

= 1.5Ω

I

C

= I

C110

, V

GE

= 15 V, V

CE

= 0.5 V

CES

V

CE

= 25 V, V

GE

= 0 V ， F = 1兆赫

I

C

= 60A ，V

CE

= 10 V ，注1

特征值

分钟。

典型值。

马克斯。

65

108

14.8

800

140

450

67

130

39

82

2.7

295

260

6.6

40

83

3.5

420

410

10.4

S

nF

pF

nC

ns

mJ

ns

mJ

ns

mJ

ns

mJ

0.16 ° C / W

° C / W

PLUS 247

TM

（ IXGX ）大纲

TO- 264 （ IXGK ）大纲

注： 1.脉冲检验，t

≤

300μS ;占空比D

≤

2%.

端子： 1 - 门

2 - 漏极（集电极）

3 - 源（发射极）

DIM 。

A

1

A

2

b

1

b

2

C

D

E

e

L

L1

Q

毫米

分钟。马克斯。

4.83

5.21

2.29

2.54

1.91

2.16

1.14

1.40

1.91

2.13

2.92

3.12

0.61

0.80

20.80 21.34

15.75 16.13

5.45 BSC

19.81 20.32

3.81

4.32

5.59

6.20

英寸

分钟。马克斯。

.190 .205

.090 .100

.075 .085

.045 .055

.075 .084

.115 .123

.024 .031

.819 .840

.620 .635

0.215 BSC

.780 .800

.150 .170

.220 0.244

IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。

IXYS MOSFET和IGBT覆盖

4,835,592

通过以下一种或多项美国专利： 4850072

4,881,106

4,931,844

5,017,508

5,034,796

5,049,961

5,063,307

5,187,117

5,237,481

5,381,025

5,486,715

6,162,665

6,259,123 B1

6,306,728 B1

6,404,065 B1

6,534,343

6,583,505

6,683,344

6,727,585

7,005,734 B2

6,710,405 B2 6,759,692

7,063,975 B2

6,710,463

6,771,478 B2 7,071,537

7,157,338B2

IXGK120N60A3

IXGX120N60A3

图。 1.输出特性

@ 25C

200

180

160

140

V

GE

= 15V

13V

11V

350

300

9V

250

V

GE

= 15V

11V

9V

图。 2.扩展的输出特性

@ 25C

I

C

- 安培

120

100

80

60

40

20

0

0.0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

I

C

-

安培

7V

200

150

100

50

7V

5V

0

1.6

1.8

0

1

2

5V

3

4

5

6

7

8

V

CE

- 伏特

V

CE

- 伏特

图。 3.输出特性

@ 125C

200

180

160

140

V

GE

= 15V

13V

11V

9V

1.4

图。 4.依赖的V

CE （ SAT ）

on

结温

V

GE

= 15V

1.3

I

= 200A

V

CE （ SAT ）

- 归

1.2

1.1

1.0

0.9

0.8

0.7

C

I

C

- 安培

120

100

80

60

40

20

0

0.0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

1.6

1.8

5V

7V

I

C

= 100A

I

C

= 50A

-50

-25

0

25

50

75

100

125

150

V

CE

- 伏特

T

J

- 摄氏

图。 5.集电极 - 发射极电压

与门极 - 发射极电压

3.0

2.8

2.6

2.4

T

J

= 25C

200

180

160

I

= 200A

100A

50A

140

图。 6.输入导纳

V

CE

- 伏特

2.2

2.0

1.8

1.6

1.4

1.2

1.0

0.8

5

6

7

C

I

C

-

安培

T

J

= - 40C

25C

125C

120

100

80

60

40

20

0

8

9

10

11

12

13

14

15

4.0

4.5

5.0

5.5

6.0

6.5

7.0

7.5

V

GE

- 伏特

V

GE

- 伏特

IXGK120N60A3

IXGX120N60A3

图。 7.跨导

200

180

160

T

J

= - 40C

14

12

25C

125C

16

V

CE

= 300V

I

C

= 120A

I

G

= 10毫安

图。 8.栅极电荷

g

F小号

-

SIEMENS

140

120

100

80

60

V

GE

- 伏特

10

8

6

4

40

20

0

20

40

60

80

100

120

140

160

180

200

220

2

0

50

100

150

200

250

300

350

400

450

500

I

C

- 安培

Q

G

- nanocoulombs

图。 9.电容

100,000

220

200

资本投资者入境计划

10,000

180

160

图。 10.反向偏置安全工作区

f

= 1兆赫

电容 - 皮法

I

C

- 安培

140

120

100

80

60

40

T

J

= 125C

R

G

= 1.5

的dV / dt < 10V / ns的

卓越中心

1,000

CRES

100

0

5

10

15

20

25

30

35

40

20

0

100

150

200

250

300

350

400

450

500

550

600

650

V

CE

- 伏特

V

CE

- 伏特

图。 11.最大瞬态热阻抗

1.000

Z

（日） JC

- C / W

0.100

0.010

0.001

0.00001

0.0001

0.001

0.01

0.1

1

10

脉冲宽度 - 秒

IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。

IXYS REF ： G_120N60A3 （ 86 ） 09年2月11日-B

IXGK120N60A3

IXGX120N60A3

图。 12.感应开关

能量损耗与栅极电阻

12

11

10

I

C

图。 13.感应开关

能量损失与集电极电流

5.0

4.5

12

11

10

E

关闭

V

CE

= 480V

E

on

5.5

----

5.0

4.5

4.0

= 100A

E

关闭

V

CE

= 480V

E

on

-

4.0

R

G

= 1.5

,

V

GE

= 15V

9

E

关闭

- 毫焦耳

E

关闭

- 毫焦耳

9

8

7

6

5

4

3

1

2

3

4

5

I

C

= 50A

---

3.5

3.0

2.5

2.0

1.5

1.0

0.5

E

8

7

6

5

4

3

2

1

50

55

60

65

70

75

80

85

90

95

T

J

= 25C

T

J

= 125C

3.5

3.0

2.5

2.0

1.5

1.0

0.5

0.0

100

E

on

- 毫焦耳

T

J

= 125℃ ，V

GE

= 15V

- 毫焦耳

6

7

8

9

10

R

G

- 欧姆

I

C

- 安培

图。 14.感应开关

能量损失与结温

12

11

10

9

E

关闭

V

CE

= 480V

I

C

= 100A

E

on

5.5

475

450

425

400

图。 15.感应开启关闭

开关时间与栅极电阻

1000

5.0

4.5

4.0

3.5

3.0

2.5

2.0

1.5

----

t

f

V

CE

= 480V

t

D（关闭）

- - - -

R

G

= 1.5

,

V

GE

= 15V

T

J

= 125C,

V

GE

= 15V

900

t

D（关闭）

- 纳秒

8

7

6

5

4

3

2

1

25

35

45

55

65

75

t

f

- 纳秒

800

700

I

C

E

关闭

- 毫焦耳

E

on

- 毫焦耳

= 100A

600

500

400

300

375

350

325

300

1

I

C

= 50A

I

C

= 50A

1.0

0.5

95

105

115

0.0

125

85

2

3

4

5

6

7

8

9

10

T

J

- 摄氏

R

G

- 欧姆

图。 16.感应开启关闭

开关时间与集电极电流

500

475

450

T

J

= 125C

500

475

450

425

400

450

425

400

图。 17.感应开启关闭

开关时间与结温

475

t

f

V

CE

= 480V

I

C

t

D（关闭）

- - - -

R

G

= 1.5 , V

GE

= 15V

450

425

t

f

- 纳秒

425

400

375

350

325

300

275

250

225

50

55

60

65

70

75

80

85

90

95

T

J

= 25C

t

D（关闭）

- 纳秒

t

D（关闭）

- 纳秒

t

f

- 纳秒

375

350

325

300

275

250

225

25

35

= 100A, 50A

400

375

350

325

300

275

250

125

t

f

V

CE

= 480V

t

D（关闭）

- - - -

375

350

325

300

275

250

225

100

R

G

= 1.5 , V

GE

= 15V

45

55

65

75

85

95

105

115

I

C

- 安培

T

J

- 摄氏

IXYS

动力

通过技术效率

2009年1月

概观

否E瓦特

P ，R 0 ü （C T）

B R I E F

600V GenX3 的IGBT

新一代600V的IGBT为功率转换应用

IXYS扩展其GenX3

TM

绝缘栅双极晶体管（IGBT）的产品线，以

600伏。这些新的IGBT使用先进设备，最先进的IXYS “ GenX3制造

TM

IGBT工艺和利用IXYS公司先进的冲压，尽管（ PT ）技术，量身定制

以提供较高的浪涌电流能力，低饱和电压，并且降低

开关损耗。

为了适应最佳的部件选型，设计人员在选择的选择

三者之间的子类表示为A3，B3和C3 。这些分类可以

设计师以“拨号”静态的（导通）之间的最佳平衡，并

动态（切换）的损失，提高过所有系统的效率在各种

通过平衡的关键要求，如开关电源转换应用

频率，效率和成本结构。在A3级都低了优化

饱和电压V （饱和），并且非常适合于需要切换应用

频率高达5kHz的。同样， B3级提供低饱和电压，但

经过优化，以适应需要“中速”切换应用程序

操作从5kHz至40kHz的。在C3 -类是“高速”切换进行了优化

从40kHz至100kHz和高达谐振开关操作的操作

400kHz.

IXYS 600V GenX3

TM

IGBT的在各种标准封装，包括

表面全域安装和分立封装与36额定电流

安培到210安培。此外，一些设备将在PLUS可以提供与

ISOPLUS隔离封装，具有UL认证2500V的隔离和卓越

散热性能。可使用这些新设备的合作，盒装变种

IXYS “ HiPerFRED

TM

超快恢复二极管，提供卓越的快速恢复

和软开关特性。

这些IGBT的设计实现中应用，例如作为最优解

电源逆变器， UPS ，电机驱动器，开关电源， PFC ，电池充电器，电焊机，

灯镇流器，浪涌电流保护电路和直流斩波器。

www.ixys.com

ISOPLUS

TM

封装内部氧化铝DCB隔离*

DCB

陶瓷的

连接线

LEADS

铜

SOLDER

芯片

模

提供2500V ， UL认可的隔离和优异的导热性能（ E153432 ）。

提高termperature和功率循环能力。

符合成本效益的夹具安装。

* IXYS专利包，专利号6404065

*有关IXYS ISOPLUS包的信息，请访问http://www.ixys.com/IXAN0022.pdf

600V GenX3

TM

（ A3 ）的IGBT汇总表

a3-class

n

超低V （SAT）的IGBT

n

高达5kHz的

开关和传导损耗为A3级为子5kHz的开关频率的应用进行了优化。

性能改进这种分类包括最多在饱和电压Vce下降了16 ％（饱和）相比

前一代的产品。

产品型号

IXGP36N60A3

IXGH36N60A3

IXGH36N60A3D4

IXGA36N60A3

IXGR64N60A3

IXGP48N60A3

IXGH48N60A3

IXGH48N60A3D1

IXGA48N60A3

IXGR72N60A3

IXGR72N60A3U1

IXGH64N60A3

IXGT64N60A3

IXGH72N60A3

IXGT72N60A3

IXGX120N60A3

IXGN120N60A3

IXGN120N60A3D1

IXGK120N60A3

IXGN320N60A3

IXGN400N60A3

IXGX320N60A3

IXGK320N60A3

VCES

(V)

600

IC @ T = 110

o

c

(a)

36

47

48

52

64

72

120

170

190

210

VCE （ sat）的TJ = 25

o

c

(V)

1.4

1.35

1.25

TFI （典型值）

（纳秒）

325

222

224

250

222

250

260

740

270

740

典型的Eoff

（兆焦耳）

3

3.28

2.9

3.5

3.28

3.5

6.6

na

RthJC

(

o

C / W ）

0.56

0.62

0.42

0.62

0.27

0.23

0.16

0.21

0.16

0.17

0.15

0.125

包

TO-220

TO-247

TO-263

ISOPLUS247

TO-220

TO-247

TO-263

ISOPLUS247

TO-247

TO-268

TO-247

TO-268

PLUS247

SOT-227B

TO-264

SOT-227B

SOT-227

PLUS247

TO-264

600V GenX3

TM

（ B3 ）的IGBT汇总表

B3-class

n

中速的IGBT

n

高达40KHz

开关和传导损耗的B3级达40kHz的最优化。性能改进被纳入到

产量可达每脉冲低22 ％关断能量（的Eoff ），并降低10 ％的热阻，提高功率处理。

产品型号

IXGR48N60B3

IXGR48N60B3D1

IXGH36N60B3D1

IXGH36N60B3D4

IXGP48N60B3

IXGH48N60B3D1

IXGH48N60B3

IXGA48N60B3

IXGH56N60B3D1

IXGX64N60B3D1

IXGH64N60B3

IXGK64N60B3D1

IXGT64N60B3

IXGX72N60B3H1

IXGH72N60B3

IXGK72N60B3H1

IXGT72N60B3

IXGL200N60B3

IXGH90N60B3

IXGX120N60B3

IXGK120N60B3

IXGB200N60B3

IXGN200N60B3

VCES

(V)

600

IC @ T = 110

o

c

(a)

27

36

48

56

64

72

90

120

200

VCE （ sat）的TJ = 25

o

c

(V)

2.1

1.8

1.5

1.8

1.5

TFI （典型值）

（纳秒）

116

100

116

95

88

92

183

148

145

183

典型的Eoff

（兆焦耳）

0.66

0.8

0.66

1.05

1

2.9

1.37

3.5

2.9

RthJC

(

o

C / W ）

0.83

0.5

0.42

0.375

0.27

0.23

0.31

0.19

0.16

0.1

0.15

包

ISOPLUS247

TO-247

TO-220

TO-247

TO-263

TO-247

PLUS247

TO-247

TO-264

TO-268

PLUS247

TO-247

TO-264

TO-268

ISOPLUS264

TO-247

PLUS247

TO- 264 AA

PLUS264

SOT-227B

600V GenX3

TM

（ C3 ）的IGBT汇总表

c3-class

n

高速的IGBT

n

高达100kHz

开关和传导损耗，为C3级的切换频率高达100khz的最优化。在C3级性能

改进包括最多的降低，以提高功率处理的耐热性为12％，并还包括最多低22 ％的关断

每个脉冲（的Eoff ）能源显著降低开关损耗与前代高速IGBT的。

产品型号

IXGR48N60C3D1

IXGP30N60C3

IXGH30N60C3D1

IXGA30N60C3

IXGR72N60C3D1

IXGP48N60C3

IXGH48N60C3

IXGH48N60C3D1

IXGA48N60C3

IXGH60N60C3

IXGH60N60C3D1

IXGX72N60C3H1

IXGH72N60C3

VCES

(V)

600

IC @ T = 110

o

c

(a)

26

30

35

48

60

72

VCE （ sat）的TJ = 25

o

c

(V)

2.7

3

2.7

2.5

TFI （典型值）

（纳秒）

38

47

55

38

55

典型的Eoff

（兆焦耳）

0.23

0.09

0.48

0.23

0.42

0.48

RthJC

(

o

C / W ）

1

0.56

0.62

0.42

0.33

0.23

包

ISOPLUS 247

TO-220

TO-247

TO-263

ISOPLUS 247

TO-220

TO-247

TO-263

TO-247

PLUS247

TO-247

应用

电源逆变器

不间断电源

电机驱动

开关模式电源

功率因数校正电路

焊接机

灯镇流器

特点

优化的低开关&

导通损耗

广场RBSOA

高电流处理能力

国际标准封装

好处

高功率密度

低栅极驱动要求

多进程高频逆变焊机

L1

整流器器

D1

D2

230VAC

动力

因素

更正

BOOST

变流器

Q1

C1

D5

功率级

全桥逆变器

Q2

Q4

在左侧的图中示出了通用电路

拓扑结构的逆变焊接电源。这

电路拓扑结构是由四个阶段： A）整流器

阶段， B）中的PFC &升压阶段，C）的输出级，和D）

输出级。从电网输入功率进入

D3

D4

PFC

调节器

Q3

Q5

在整改阶段，要予以纠正，以直流值

并通过功率因数校正升压处理

栅极驱动器

调节器

输出级

VOUT +

C4

R2

C3

C2

D7

L2

R1

D6

转换器。从那里进入功率级而

下台

变压器

采用全桥逆变器转换电压

回交流高频通常在50kHz

到100kHz 。交流信号，然后通过T1下台

变压器，然后被整流和滤波

出在输出级。

压脚

C5

交流电机驱动器（谐振直流环节逆变器）

在右边的图中示出的交流电动机

驱动器采用了谐振直流环节逆变器。一

谐振链路（ L1，C2 ）被固定到所述DC总线

的脉冲宽度调制逆变器的。共振

链接然后'兴奋' ，并保持共振

流经IGBT的一种方式的控制时

谐振直流母线电压达到频繁

零伏。 IGBT的导通和关断

零电压和同步，以匹配

零电压交叉点，以获得所需的低

开关损耗。有源钳位电路（Q7 ，C1）是

加时取缔不必要的过冲

直流变频电流减小引起的突然

由IGBT的开关特性。

栅极驱动器

3相交流

Vs

C2

C1

Q7

L1

Q1

Q3

Q5

汽车

Q2

Q4

Q6

2009年1月

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PB60IGBTA3B3C3 1.4