IXGH 50N60B IXGK 50N60B
IXGJ 50N60B IXGT 50N60B
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。 （典型值） 。米一X 。
25
42
4100
V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V ， F = 1兆赫
310
95
160
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V, V
CE
= 0.5 V
CES
30
55
感性负载，T
J
= 25°C
°
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V
V
CE
= 0.8 V
CES
, R
G
= R
关闭
= 2.7
备注：开关时间可能会增加
对于V
CE
（钳） > 0.8 V
CES
，更高的温度
J
or
加强研究
G
感性负载，T
J
= 125°C
°
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V
V
CE
= 0.8 V
CES
, R
G
= R
关闭
= 2.7
备注：开关时间可能会增加
对于V
CE
（钳） > 0.8 V
CES
，更高的温度
J
or
加强研究
G
50
50
150
120
3.0
50
50
3
200
250
4.2
0.42
TO- 247 & TO- 268封装引线
TO- 264封装
0.25
0.15
250
250
4.5
S
1
2
3
AD TO- 247 （ IXGH ）大纲
g
fs
C
IES
C
OES
C
水库
Q
G
Q
GE
Q
GC
t
D（上）
t
ri
t
D（关闭）
t
fi
E
关闭
t
D（上）
t
ri
E
on
t
D（关闭）
t
fi
E
关闭
R
thJC
R
thCK
I
C
= I
C90
; V
CE
= 10 V,
脉冲测试，T
≤
300
s,
占空比
≤
2 %
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
K / W
K / W
K / W
DIM 。
A
A
1
A
2
b
b
1
b
2
C
D
E
e
L
L1
P
Q
R
S
毫米
分钟。
马克斯。
4.7
2.2
2.2
1.0
1.65
2.87
.4
20.80
15.75
5.20
19.81
3.55
5.89
4.32
6.15
5.3
2.54
2.6
1.4
2.13
3.12
.8
21.46
16.26
5.72
20.32
4.50
3.65
6.40
5.49
BSC
终端：
1 - GATE
2 -collector
3发射极
制表收藏家
英寸
分钟。
马克斯。
.185
.087
.059
.040
.065
.113
.016
.819
.610
0.205
.780
.140
0.232
.170
242
.209
.102
.098
.055
.084
.123
.031
.845
.640
0.225
.800
.177
.144
0.252
.216
BSC
TO- 264 AA （ IXGK ）大纲
TO- 268 （ IXGT ）大纲
TO- 268 （ IXGJ ）含铅大纲
DIM 。
A
A1
A2
b
b1
b2
c
D
E
e
J
K
L
L1
P
Q
Q1
R
R1
S
T
毫米
分钟。
马克斯。
4.82
5.13
2.54
2.89
2.00
2.10
1.12
1.42
2.39
2.69
2.90
3.09
0.53
0.83
25.91
26.16
19.81
19.96
5.46 BSC
0.00
0.25
0.00
0.25
20.32
20.83
2.29
2.59
3.17
3.66
6.07
6.27
8.38
8.69
3.81
4.32
1.78
2.29
6.04
6.30
1.57
1.83
分钟。
英寸
马克斯。
终端：
1 - GATE
2-
集热器
.190
.202
.100
.114
.079
.083
.044
.056
.094
.106
.114
.122
.021
.033
1.020
1.030
.780
.786
0.215 BSC
.000
.010
.000
.010
.800
.820
.090
.102
.125
.144
.239
.247
.330
.342
.150
.170
.070
.090
.238
.248
.062
.072
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利：
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
6,306,728B1
IXGH 50N60B IXGK 50N60B
IXGJ 50N60B IXGT 50N60B
图7.依赖的E
ON
与ê
关闭
关于我
C
6
T
J
= 125°C
图8.依赖的E
ON
与ê
关闭
R上
G
12
6
5
T
J
= 125°C
E
（上）
I
C
= 100A
E
（关闭）
12
10
5
E
（上）
- 毫焦耳
R
G
= 4.7
E
（上）
10
E
（关闭）
- 毫焦耳
E
（关闭）
- 毫焦耳
4
E
（关闭）
8
6
4
2
0
100
E
（上）
- 毫焦耳
4
3
2
1
E
（上）
I
C
=25A
E
（上）
E
（关闭）
E
（关闭）
8
6
I
C
= 50A
3
2
1
0
0
20
40
60
80
4
2
0
0
0
10
20
30
40
50
60
I
C
- 安培
R
G
- 欧姆
图9.栅极电荷
16
I
C
= 25A
V
CE
= 250V
图10.关断安全工作区
600
100
12
I
C
- 安培
V
GE
- 伏特
8
10
T
J
= 125°C
R
G
= 6.2
的dV / dt < 5V / ns的
4
1
0
0
40
80
120
160
200
0.1
0
100
200
300
400
500
600
Q
g
- nanocoulombs
V
CE
- 伏特
图11. IGBT瞬态热阻
1
Z
thJC
（K / W）
0.1
D=0.5
D=0.2
D=0.1
D=0.05
D=0.02
D=0.01
单脉冲
0.01
D =占空比
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
脉冲宽度 - 秒
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利：
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
6,306,728B1
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