高电压IGBT的
W /二极管
IXGH40N120B2D1
IXGT40N120B2D1
V
CES
= 1200V
= 40A
V
CE （ SAT ）
≤
3.5V
t
网络连接（典型值）
=
140ns
I
C110
TO- 247 （ IXGH ）
符号
V
CES
V
CGR
V
GES
V
创业板
I
C25
I
C110
I
F110
I
CM
SSOA
（ RBSOA ）
P
C
T
J
T
JM
T
英镑
T
L
T
出售
M
d
重量
测试条件
T
C
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25° C到150° C，R
GE
= 1M
Ω
连续
短暂
T
C
= 25 ° C（由铅有限公司）
T
C
= 110°C
T
C
= 110°C
T
C
= 25 ° C， 1毫秒
V
GE
= 15V ，T
VJ
= 125 ° C，R
G
= 2
Ω
钳位感性负载
T
C
= 25°C
最大额定值
1200
1200
± 20
± 30
75
40
25
200
I
CM
= 80
@ 0.8
≤
V
CES
380
-55 ... +150
150
-55 ... +150
V
V
V
V
A
A
A
A
A
V
W
°C
°C
°C
°C
°C
纳米/ lb.in 。
g
g
特点
国际标准封装
IGBT和反并联的FRED
谐振式电源供应器
- 感应加热
- 电饭煲
广场RBSOA
快速恢复外延二极管
（ FRED ）
- 软恢复低我
RM
优势
高功率密度
低栅极驱动要求
G =门
E =发射器
G
C
C（ TAB ）
E
TO- 268 （ IXGT ）
G
E
C（ TAB ）
C =收藏家
TAB =收藏家
1.6毫米（ 0.062英寸）从案例10秒
塑料体10秒
安装扭矩（ TO- 247 ）
TO-247
TO-268
300
260
1.13/10
6
4
符号测试条件
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
V
GE （日）
I
CES
I
GES
V
CE （ SAT ）
I
C
= 250μA ，V
CE
= V
GE
V
CE
= V
CES ，
V
GE
= 0V
特征值
分钟。
典型值。
马克斯。
3.0
T
J
= 125°C
5.0
100
3
±100
2.9
3.5
V
μA
mA
nA
V
V
CE
= 0V, V
GE
= ± 20V
I
C
= 40A ，V
GE
= 15V ，注1
2009 IXYS公司，所有RrightsRreserved
DS99555B(02/09)
IXGH40N120B2D1
IXGT40N120B2D1
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
g
fS
C
IES
C
OES
C
水库
Q
g
Q
ge
Q
gc
t
D（上）
t
ri
E
on
t
D（关闭）
t
fi
E
关闭
t
D（上）
t
ri
E
on
t
D（关闭）
t
fi
E
关闭
R
thJC
R
乡镇卫生院
0.21
感性负载，T
J
= 125°C
I
C
= 40A ，V
GE
= 15V
V
CE
= 960V ，R
G
= 2
Ω
感性负载，T
J
= 25°C
I
C
= 40A ，V
GE
= 15V
V
CE
= 960V ，R
G
= 2
Ω
I
C
= 40A ，V
GE
= 15V, V
CE
= 0.5 V
CES
V
CE
= 25V, V
GE
= 0V ， F = 1MHz的
I
C
= 40A ，V
CE
= 10V ，注1
特征值
MIN 。 TYP 。
马克斯。
23
37
3360
190
63
138
20
48
21
55
4.5
290
140
3.0
21
58
6.5
350
420
8.3
0.33
270
6.0
S
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
° C / W
° C / W
TO- 247 （ IXGH ）大纲
1
2
3
P
e
端子： 1 - 门
3 - 来源
2 - 漏极
标签 - 漏
DIM 。
注2
注2
毫米
分钟。马克斯。
A
4.7
5.3
2.2
2.54
A
1
2.2
2.6
A
2
b
1.0
1.4
1.65
2.13
b
1
b
2
2.87
3.12
C
.4
.8
D
20.80 21.46
E
15.75 16.26
e
5.20
5.72
L
19.81 20.32
L1
4.50
P
3.55
3.65
Q
5.89
6.40
R
4.32
5.49
S
6.15 BSC
英寸
分钟。马克斯。
.185 .209
.087 .102
.059 .098
.040 .055
.065 .084
.113 .123
.016 .031
.819 .845
.610 .640
0.205 0.225
.780 .800
.177
.140 .144
0.232 0.252
.170 .216
242 BSC
TO- 268 （ IXGT ）大纲
反向二极管（ FRED ）
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
V
F
I
RM
t
rr
R
thJC
I
F
= 30A ，V
GE
= 0V
T
J
= 150°C
I
F
= 30A ， -di / DT = 100A / μs的，
V
R
= 300V,V
GE
= 0V
T
J
= 100°C
T
J
= 100°C
100
1.6
4
特征值
分钟。
典型值。
马克斯。
2.8
V
V
A
ns
0.9 ° C / W
注1 ：脉冲检验，t
≤
300μS ，占空比D
≤
2%.
2.切换时间可能会增加为V
CE
（钳） > 0.8 V
CES
,
更高的温度
J
或加强研究
G
.
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT覆盖
4,835,592
通过以下一种或多项美国专利： 4850072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,381,025
5,486,715
6,162,665
6,259,123 B1
6,306,728 B1
6,404,065 B1
6,534,343
6,583,505
6,683,344
6,727,585
7,005,734 B2
6,710,405 B2 6,759,692
7,063,975 B2
6,710,463
6,771,478 B2 7,071,537
7,157,338B2
IXGH40N120B2D1
IXGT40N120B2D1
图。 1.输出特性
@ 25C
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
7V
9V
V
GE
= 15V
13V
11V
250
225
200
175
11V
V
GE
= 15V
13V
图。 2.扩展的输出特性
@ 25C
I
C
-
安培
I
C
- 安培
150
125
100
75
50
25
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
7V
9V
V
CE
- 伏特
V
CE
- 伏特
图。 3.输出特性
@ 125C
80
70
60
V
GE
= 15V
13V
11V
1.6
1.5
1.4
图。 4.依赖的V
CE （ SAT ）
on
结温
V
GE
= 15V
I
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
I
C
C
I
C
- 安培
50
40
30
20
10
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
9V
7V
V
CE （ SAT ）
- 归
= 80A
= 40A
5V
0.7
0.6
4.0
4.5
-50
-25
0
25
I
C
= 20A
75
100
125
150
50
V
CE
- 伏特
T
J
- 摄氏
图。 5.集电极 - 发射极电压
与门极 - 发射极电压
7
T
J
= 25C
6
I
C
图。 6.输入导纳
120
100
= 80A
40A
20A
5
I
C
-
安培
80
V
CE
- 伏特
60
4
40
3
20
T
J
= 125C
25C
- 40C
2
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
0
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
7.0
7.5
8.0
8.5
9.0
V
GE
- 伏特
V
GE
- 伏特
2009 IXYS公司，所有RrightsRreserved
IXGH40N120B2D1
IXGT40N120B2D1
图。 7.跨导
55
50
45
40
25C
125C
12
T
J
= - 40C
16
14
V
CE
= 600V
I
C
= 40A
I
G
= 10毫安
图。 8.栅极电荷
g
F小号
-
SIEMENS
30
25
20
15
10
5
0
0
10
20
30
40
50
60
70
V
GE
- 伏特
90
100 110
120
35
10
8
6
4
2
0
80
0
20
40
60
80
100
120
140
I
C
- 安培
Q
G
- nanocoulombs
图。 9.电容
10,000
90
图。 10.反向偏置安全工作区
f
= 1兆赫
电容 - 皮法
资本投资者入境计划
80
70
I
C
- 安培
1,000
60
50
40
30
卓越中心
100
CRES
20
10
T
J
= 125C
R
G
= 2
的dV / dt < 10V / ns的
10
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0
200
300
400
500
600
700
800
900
1000 1100 1200
V
CE
- 伏特
V
CE
- 伏特
图。 11.最大瞬态热阻抗
1.00
Z
（日） JC
- C / W
0.10
0.01
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
脉冲宽度 - 秒
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS REF ： G_40N120B2 （ 6ZC ） 06年3月30日
IXGH40N120B2D1
IXGT40N120B2D1
图。 12.感应开关能量损耗与
栅极电阻
18
I
16
C
图。 13.感应开关能量损耗与
结温
16
E
关闭
14
V
CE
= 960V
E
on
= 80A
----
R
G
= 2
,
V
GE
= 15V
I
C
= 80A
E
关闭
/ E
on
- 毫焦耳
E
关闭
12
10
8
6
4
V
CE
= 960V
E
on
-
---
T
J
= 125℃ ，V
GE
= 15V
E
关闭
/ E
on
- 毫焦耳
14
12
10
8
6
4
2
I
C
= 40A
I
C
= 40A
I
I
2
2
3
4
5
6
C
= 20A
0
8
9
10
25
35
45
55
65
75
C
= 20A
7
85
95
105
115
125
R
G
- 欧姆
T
J
- 摄氏
图。 14.感应开关能量损耗与
集电极电流
16
14
E
关闭
V
CE
= 960V
E
on
500
480
T
J
= 125C
460
图。 15.电感关断开关时间
与栅极电阻
t
f
V
CE
= 960V
t
D（关闭）
- - - -
I
C
620
= 80A ， 40A ， 20V
580
540
----
T
J
= 125°C ，V
GE
= 15V
R
G
= 2
,
V
GE
= 15V
E
关闭
/ E
on
- 毫焦耳
12
10
8
6
4
2
0
20
t
D（关闭）
- 纳秒
t
f
- 纳秒
440
420
400
380
360
340
320
I
C
= 80A ， 40A ， 20V
500
460
420
380
340
300
260
2
3
4
5
6
7
8
9
10
T
J
= 25C
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
I
C
- 安培
R
G
- 欧姆
图。 16.电感关断开关时间
- 结温
500
450
图。 17.电感关断开关时间
与集电极电流
480
440
400
460
440
t
f
450
400
t
D（关闭）
- - - -
420
390
= 20A, 40A, 80A
360
330
300
I
C
= 20A, 80A
270
240
210
125
R
G
= 2 , V
GE
= 15V
V
CE
= 960V
I
C
t
f
T
J
= 125C
V
CE
= 960V
t
D（关闭）
- - - -
420
t
D（关闭）
- 纳秒
t
t
f
- 纳秒
350
300
250
200
150
100
25
35
t
f
- 纳秒
360
320
280
240
200
160
120
80
20
25
R
G
= 2 , V
GE
= 15V
400
380
360
340
320
300
D（关闭）
- 纳秒
T
J
= 25C
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
280
260
45
55
65
75
85
95
105
115
T
J
- 摄氏
I
C
- 安培
2009 IXYS公司，所有RrightsRreserved
QQ：2881677436 复制
