添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线：13692101218  13751165337
Pdf资料  |  热门库存  |  IC详细资料  |  网站地图
IC供应 PDF资料 非IC供应
51电子网联系电话：13692101218
首页
供应信息
求购信息
非IC专区
技术资料
电子资讯
招聘中心
会展信息 51旺铺 会员中心
位置：首页 > IC型号导航 > 首字符I型号页 > 首字符I的型号第484页 > IXGT32N90B2
高级技术信息
HiPerFAST
TM
IGBT
IXGH 32N90B2
B2级高速IGBT的IXGT 32N90B2
V
CES
I
C25
V
CE （ SAT ）
t
fi
典型值
= 900 V
= 64 A
= 2.7 V
= 150纳秒
符号
V
CES
V
CGR
V
GES
V
创业板
I
C25
I
C110
I
CM
SSOA
（ RBSOA ）
P
C
T
J
T
JM
T
英镑
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25 ℃至150 ℃;
GE
= 1 MΩ
连续
短暂
T
C
= 25°C （受引线）
T
C
= 110°C
T
C
= 25 ° C， 1毫秒
V
GE
= 15 V ，T
VJ
= 125 ° C，R
G
= 10
Ω
钳位感性负载@
≤
600V
T
C
= 25°C
最大额定值
900
900
±20
±30
64
32
200
I
CM
= 64
300
-55 ... +150
150
-55 ... +150
300
260
V
V
V
V
A
A
A
A
W
°C
°C
°C
°C
°C
TO- 247 （ IXGH ）
C（ TAB ）
G
C
E
TO- 268 （ IXGT ）
G
E
C（ TAB ）
G =门，
E =发射器，
C =收藏家，
TAB =收藏家
特点
高频IGBT
高电流处理能力
MOS栅极导通
- 驱动器的简单
应用
PFC电路
不间断电源（ UPS ）
开关模式和谐振模
电源
交流电机调速
直流伺服和机器人的驱动器
直流斩波器
优势
高功率密度
非常快的开关速度高
频率的应用
最大无铅焊接温度的
从案例10秒1.6毫米（ 0.062英寸）
塑料机身10秒
M
d
重量
安装扭矩（ TO- 247 ）
TO-247
TO-268
1.13/10Nm/lb.in.
6
4
g
g
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
3.0
T
J
= 25°C
T
J
= 150°C
5.0
50
750
±100
T
J
= 125°C
2.2
2.1
2.7
V
μA
μA
nA
V
V
V
GE （日）
I
CES
I
GES
V
CE （ SAT ）
I
C
= 250
μA,
V
CE
= V
GE
V
CE
= V
CES
V
GE
= 0 V
V
CE
= 0 V, V
GE
=
±20
V
I
C
= I
C110
, V
GE
= 15 V
版权所有2005 IXYS所有权利
DS99384(12/05)
IXGH 32N90B2
IXGT 32N90B2
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
18
28
1790
V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V ， F = 1兆赫
121
49
89
I
C
= I
C110
, V
GE
= 15 V, V
CE
= 0.5 V
CES
15
34
20
感性负载，T
J
= 25°C
°
I
C
= I
C110
, V
GE
= 15 V
V
CE
= 720 V ，R
G
= R
关闭
= 5
Ω
22
260
150
2.6
20
感性负载，T
J
= 125°C
°
I
C
= I
C110
A，V
GE
= 15 V
V
CE
= 720 V ，R
G
= R
关闭
= 5
Ω
注1
22
0.5
3.8
360
330
5.75
400
S
P
的TO- 247的AD概要
g
fs
C
IES
C
OES
C
水库
Q
g
Q
ge
Q
gc
t
D（上）
t
ri
t
D（关闭）
t
fi
E
关闭
t
D（上）
t
ri
E
on
t
D（关闭）
t
fi
E
关闭
R
thJC
R
乡镇卫生院
I
C
= I
C110
A; V
CE
= 10 V,
脉冲测试，T
≤
300
μs,
占空比
≤
2 %
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
4.5兆焦耳
ns
ns
mJ
mJ
ns
ns
mJ
0.42 K / W
e
DIM 。
毫米
分钟。马克斯。
A
4.7
5.3
2.2
2.54
A
1
2.2
2.6
A
2
b
1.0
1.4
b
1
1.65
2.13
b
2
2.87
3.12
C
.4
.8
D
20.80 21.46
E
15.75 16.26
e
5.20
5.72
L
19.81 20.32
L1
4.50
P
3.55
3.65
Q
5.89
6.40
R
4.32
5.49
S
6.15 BSC
英寸
分钟。马克斯。
.185 .209
.087 .102
.059 .098
.040 .055
.065 .084
.113 .123
.016 .031
.819 .845
.610 .640
0.205 0.225
.780 .800
.177
.140 .144
0.232 0.252
.170 .216
242 BSC
TO- 268外形
(TO-247)
0.25
K / W
注1 ：电子
on
与DSEP 30-12A超快二极管钳位测量。
分钟。推荐足迹
（尺寸以英寸毫米）
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖
下面的一个美国专利或多个：
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,381,025
5,486,715
6,162,665
6,259,123 B1
6,306,728 B1
6,404,065 B1
6,534,343
6,583,505
6,683,344
6,710,405B2
6,710,463
6,727,585
6,759,692
6771478 B2
IXGH 32N90B2
IXGT 32N90B2
图。 1.输出特性
@ 25
C
70
V
GE
= 15V
60
50
13V
11V
9V
200
11V
图。 2.扩展的输出特性
@ 25
C
240
V
GE
= 15V
13V
I
C
- 安培
40
30
20
10
5V
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
7V
I
C
- 安培
160
120
9V
80
7V
40
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
V
权证
- 伏特
图。 3.输出特性
@ 125
C
70
V
GE
= 15V
60
50
13V
11V
9V
40
30
20
10
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
7V
1.5
1.4
V
GE
= 15V
V
权证
- 伏特
图。 4.依赖的V
CE （ SAT ）
on
tem温度
V
权证（SAT）
- 归
1.3
1.2
1.1
I
C
= 64A
I
C
- 安培
I
C
= 32A
1.0
0.9
0.8
0.7
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I
C
= 16A
5V
V
CE
- 伏特
图。 5.收集到EM伊特尔电压
与门到EM伊特尔电压
6
5.5
5
I
C
= 64A
32A
16A
T
J
= 25
C
140
120
100
T
J
- 摄氏
图。 6.输入上将ittance
I
C
- 安培
V
权证
- 伏特
4.5
4
3.5
3
2.5
2
1.5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
80
60
40
20
0
4
5
6
7
8
9
10
T
J
= 125
C
25
C
-40
C
V
摹ê
- 伏特
V
摹ê
- 伏特
版权所有2005 IXYS所有权利
IXGH 32N90B2
IXGT 32N90B2
图。 7.跨导
35
30
25
20
15
10
5
0
0
20
40
60
80
100
T
J
=
-40
C
25
C
1
C
25
16
14
12
图。 8.栅极电荷
V
CE
= 450V
I
C
= 32A
0mA
I
G
=1
g
F小号
- 西门子
V
摹ê
- 伏特
10
8
6
4
2
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
I
C
- 安培
图。 9.电容
10000
F = 1 MHz的
C
IES
60
50
40
30
20
10
0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
100
200
70
Q
G
- nanocoulombs
图。 10.反向偏置安全
工作区
电容 - P F
1000
C
OES
100
I
C
- 安培
T
J
= 125
C
R
G
= 10Ω
的dv / dt < 10V / ns的
C
水库
10
300
400
500
600
700
800
900
V
权证
- 伏特
V
权证
- 伏特
图。 11.马克西姆嗯瞬态千卡人抵抗
1
R
T H， J·C
- C / W
0.1
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度 - 毫秒
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXGH 32N90B2
IXGT 32N90B2
图。 12.依赖性的Turn-关闭
在栅极电阻的能量损耗
18
16
14
I
C
= 64A
T
J
= 125
C
V
GE
= 15V
V
CE
= 720V
I
C
= 32A
16
14
T
J
= 125
C
12
10
8
6
4
2
I
C
= 16A
0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
0
0
5
10
15
20
25
30
35
I
C
= 16A
40
45
50
I
C
= 32A
V
GE
= 15V
V
CE
= 720V
图。 13.依赖的导通
在栅极电阻的能量损耗
E
F F
- 毫焦耳
12
10
8
6
4
2
E
0：N
- 毫焦耳
I
C
= 64A
R
G
- 欧姆
图。 14.依赖的关断
在集电极电流能量损失
16
14
R
G
= 5Ω
V
GE
= 15V
T
J
= 125
C
9
8
7
R
G
= 5Ω
V
GE
= 15V
V
CE
= 720V
R
G
- 欧姆
图。 15.依赖的导通
在集电极电流能量损失
T
J
= 125
C
E
F F
- 毫焦耳
12
10
8
6
4
2
0
10
E
0：N
- 毫焦耳
V
CE
= 720V
6
5
4
3
2
1
0
T
J
= 25
C
T
J
= 25
C
20
30
40
50
60
70
10
20
30
40
50
60
70
I
C
- 安培
图。 16.依赖的关断
在tem温度能量损失
16
14
12
10
8
6
4
2
0
25
35
45
55
65
75
85
95
I
C
= 16A
105 115 125
I
C
= 32A
R
G
= 5Ω
V
GE
= 15V
10
9
8
I
C
= 64A
R
G
= 5
V
GE
= 1
5V
V
CE
= 720V
I
C
- 安培
图。 17.依赖的导通
在tem温度能量损失
I
C
= 64A
E
F F
- 毫焦耳
E
0：N
- 毫焦耳
V
CE
= 720V
7
6
5
4
3
2
1
0
25
I
C
= 32A
I
C
= 16A
35
45
55
65
75
85
95
105
115 125
T
J
- 摄氏
T
J
- 摄氏
版权所有2005 IXYS所有权利
查看更多IXGT32N90B2PDF信息
推荐型号
IRKE250-24
IS61VF25618A-7.5TQ
IC41C44002ASL-50T
IDT82V2058BB
ISL32177EIRZ
IPB80N04S3-04
ITR-9608
ITR9608
IL4809S
IM7364CPG
IS61SF6436-10TQI
ICS83940D
IMP1232
IDT72T7295L10BBI
I20DB08K1W
ISD2532P
IP82C50A-5
ISL59446IRZ
IDT70V9389L12PFI
IS61LPD51236A-200TQLI
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    IXGT32N90B2
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
深圳市创芯联盈电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881793588 复制

电话：0755-88291559
联系人：陈泽强
地址：深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
IXGT32N90B2
IXYS/艾赛斯
2443+
23000
TO-268
一级代理专营，原装现货，价格优势
深圳市科雨电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：97877805 复制

电话：171-4729-0036（微信同号）
联系人：卢小姐，171-4729-0036微信同号，无线联通更快捷
地址：体验愉快问购元件！帮您做大生意！！深圳市福田区3037号南光捷佳大厦2418室
IXGT32N90B2
IXYS
24+
326
TO-268
86￥/片,★体验愉快问购元件！！就找我吧!单价:86元
深圳和润天下电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1139848500 复制

电话：0755-83798683
联系人：许先生
地址：深圳市前海深港合作区前湾一路 1 号 A 栋 201 室
IXGT32N90B2
IXYS/艾赛斯
23+
65000
TO-268
原装正品 华强现货
上海熠富电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：892174007 复制 点击这里给我发消息 QQ：2300949663 复制 点击这里给我发消息 QQ：2719079875 复制

电话：15821228847 // 13764057178 // 15026993318
联系人：销售部
地址：门市：上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
IXGT32N90B2
IXYS
2024
22348
TO-268
原装现货上海库存，欢迎查询
深圳市金泽顺电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1101329890 复制 点击这里给我发消息 QQ：1803862608 复制

电话：0755-８２７８９２９６
联系人：朱先生／公司可以开13％的税
地址：深圳市福田区华强北振兴路华康大厦2栋211室。
IXGT32N90B2
IXYS
1545+
8600
TO-268
一级代理原装现货热卖!
北京首天伟业科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ：2881290686 复制

电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人：刘经理
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
IXGT32N90B2
IXYS
22+
3500
TO-268
全新原装正品/质量有保证
深圳市宏捷佳电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2885134554 复制 点击这里给我发消息 QQ：2885134398 复制

电话：0755-22669259 83214703
联系人：李先生，夏小姐
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路上步工业区102栋618室
IXGT32N90B2
IXYS
2116+
44500
TO-268
全新原装现货
北京显周科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：5645336 复制
电话：13910052844（微信同步）
联系人：刘先生
地址：北京市海淀区增光路27号院
IXGT32N90B2
ROHM Semiconductor
㊣10/11+
8784
贴◆插
【dz37.com】实时报价有图&PDF
北京显周科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：5645336 复制
电话：13910052844（微信同步）
联系人：刘先生
地址：北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
IXGT32N90B2
√ 欧美㊣品
▲10/11+
9089
贴◆插
【dz37.com】实时报价有图&PDF
深圳市金嘉锐电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2581021098 复制

电话：0755-22929859
联系人：朱先生
地址：深圳福田区振兴路华康大厦211
IXGT32N90B2
IXYS
2025+
26820
TO-268-3
【原装优势★★★绝对有货】
查询更多IXGT32N90B2供应信息
深圳市碧威特网络技术有限公司
 复制成功！