IXGH30N120B3D1
IXGT30N120B3D1
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
g
fs
C
IES
C
OES
C
水库
Q
g
Q
ge
Q
gc
t
D（上）
t
ri
E
on
t
D（关闭）
t
fi
E
关闭
t
D（上）
t
ri
E
on
t
D（关闭）
t
fi
E
关闭
R
thJC
R
乡镇卫生院
感性负载，T
J
= 25°C
°
I
C
= 30A ，V
GE
= 15V ，注2
V
CE
= 0.8
V
CES
, R
G
= 5Ω
I
C
= 30A ，V
GE
= 15V, V
CE
= 0.5
V
CES
V
CE
= 25V, V
GE
= 0V ， F = 1MHz的
I
C
= 30A ，V
CE
= 10V ，注1
特征值
分钟。
典型值。
马克斯。
11
19
1750
120
46
87
15
39
16
37
3.47
127
204
2.16
18
38
6.70
216
255
5.10
0.21
200
380
4.0
S
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
0.42
° C / W
° C / W
DIM 。
P
的TO- 247的AD概要
e
感性负载，T
J
= 125°C
°
I
C
= 30A ，V
GE
= 15V ，注2
V
CE
= 0.8
V
CES
,R
G
= 5Ω
毫米
分钟。马克斯。
A
4.7
5.3
2.2
2.54
A
1
A
2
2.2
2.6
b
1.0
1.4
b
1
1.65
2.13
b
2
2.87
3.12
C
.4
.8
D
20.80 21.46
E
15.75 16.26
e
5.20
5.72
L
19.81 20.32
L1
4.50
P
3.55
3.65
Q
5.89
6.40
R
4.32
5.49
英寸
分钟。马克斯。
.185 .209
.087 .102
.059 .098
.040 .055
.065 .084
.113 .123
.016 .031
.819 .845
.610 .640
0.205 0.225
.780 .800
.177
.140 .144
0.232 0.252
.170 .216
TO- 268外形
反向二极管（ FRED ）
符号
测试条件
I
F
= 30A ，V
GE
= 0V ，说明1
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。
典型值。马克斯。
2.8
T
J
= 150°C
1.6
4
100
V
V
A
ns
0.9 ° C / W
V
F
I
RM
t
rr
R
thJC
I
F
= 30A ，V
GE
= 0V ， - 二
F
/ DT = 100A / μs的，T
J
= 100°C
V
R
= 300V
T
J
= 100°C
注1 ：脉冲检验，t
≤
300μS ，占空比D
≤
2%.
2.切换时间可能会增加为V
CE
（钳） ＆ GT ; 0.8 V
CES
,
更高的温度
J
或加强研究
G
.
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT覆盖
4,835,592
由一个或moreof以下美国专利： 4850072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,381,025
5,486,715
6,162,665
6,259,123 B1
6,306,728 B1
6,404,065 B1
6,534,343
6,583,505
6,683,344
6,727,585
7,005,734 B2
6,710,405 B2 6,759,692
7,063,975 B2
6,710,463
6,771,478 B2 7,071,537
7,157,338B2
IXGH30N120B3D1
IXGT30N120B3D1
图。 7.跨导
26
24
22
20
25C
125C
T
J
= - 40C
16
14
12
V
CE
= 600V
I
C
= 30A
I
G
= 10毫安
图。 8.栅极电荷
g
F小号
-
SIEMENS
18
14
12
10
8
6
4
2
0
0
10
20
30
40
50
60
70
V
GE
- 伏特
16
10
8
6
4
2
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
I
C
- 安培
Q
G
- nanocoulombs
图。 9.电容
10,000
70
图。 10.反向偏置安全工作区
f
= 1兆赫
60
电容 - 皮法
1,000
资本投资者入境计划
50
I
C
- 安培
40
30
20
10
0
200
卓越中心
100
T
J
= 125C
R
G
= 5
的dV / dt < 10V / ns的
CRES
10
0
5
10
15
20
25
30
35
40
400
600
800
1000
1200
V
CE
- 伏特
V
CE
- 伏特
图。 11.最大瞬态热阻抗
1.00
Z
（日） JC
- C / W
0.10
0.01
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
脉冲宽度 - 秒
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS REF ： G_30N120B3 （ 4A ） 08年5月6日-A
QQ：2880707522 复制
