IXGH 28N90B
IXGT 28N90B
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
20
32
3200
V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V ， F = 1兆赫
160
32
100
I
C
= I
C110
, V
GE
= 15 V, V
CE
= 0.5 V
CES
感性负载，T
J
= 25°C
I
C
= I
C110
, V
GE
= 15 V
V
CE
= 0.8 V
CES
, R
G
= R
关闭
= 4.7
W
备注：开关时间可能
增加V
CE
（钳） > 0.8 V
CES
,
更高的温度
J
或加强研究
G
感性负载，T
J
= 125°C
I
C
= I
C110
, V
GE
= 15 V
V
CE
= 0.8 V
CES
, R
G
= R
关闭
= 4.7
W
备注：开关时间可能
增加V
CE
（钳） > 0.8 V
CES
,
更高的温度
J
或加强研究
G
18
40
30
30
100
130
1.2
30
35
0.3
280
190
2.5
170
220
150
28
70
S
P
的TO- 247的AD概要
g
fs
C
IES
C
OES
C
水库
Q
g
Q
ge
Q
gc
t
D（上）
t
ri
t
D（关闭）
t
fi
E
关闭
t
D（上）
t
ri
E
on
t
D（关闭）
t
fi
E
关闭
R
thJC
R
thCK
I
C
= I
C110
; V
CE
= 10 V,
脉冲测试，T
300
女士，
占空比
2 %
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
e
DIM 。
2兆焦耳
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
0.62 K / W
毫米
分钟。
马克斯。
A
4.7
5.3
A
1
2.2
2.54
A
2
2.2
2.6
b
1.0
1.4
b
1
1.65
2.13
b
2
2.87
3.12
C
.4
.8
D
20.80 21.46
E
15.75 16.26
e
5.20
5.72
L
19.81 20.32
L1
4.50
P
3.55
3.65
Q
5.89
6.40
R
4.32
5.49
S
6.15 BSC
英寸
分钟。马克斯。
.185 .209
.087 .102
.059 .098
.040 .055
.065 .084
.113 .123
.016 .031
.819 .845
.610 .640
0.205 0.225
.780 .800
.177
.140 .144
0.232 0.252
.170 .216
242 BSC
TO- 268外形
TO-247
0.25
K / W
闵推荐足迹
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利：
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
IXGH 28N90B
IXGT 28N90B
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
20
32
3200
V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V ， F = 1兆赫
160
32
100
I
C
= I
C110
, V
GE
= 15 V, V
CE
= 0.5 V
CES
感性负载，T
J
= 25°C
I
C
= I
C110
, V
GE
= 15 V
V
CE
= 0.8 V
CES
, R
G
= R
关闭
= 4.7
W
备注：开关时间可能
增加V
CE
（钳） > 0.8 V
CES
,
更高的温度
J
或加强研究
G
感性负载，T
J
= 125°C
I
C
= I
C110
, V
GE
= 15 V
V
CE
= 0.8 V
CES
, R
G
= R
关闭
= 4.7
W
备注：开关时间可能
增加V
CE
（钳） > 0.8 V
CES
,
更高的温度
J
或加强研究
G
18
40
30
30
100
130
1.2
30
35
0.3
280
190
2.5
170
220
150
28
70
S
P
的TO- 247的AD概要
g
fs
C
IES
C
OES
C
水库
Q
g
Q
ge
Q
gc
t
D（上）
t
ri
t
D（关闭）
t
fi
E
关闭
t
D（上）
t
ri
E
on
t
D（关闭）
t
fi
E
关闭
R
thJC
R
thCK
I
C
= I
C110
; V
CE
= 10 V,
脉冲测试，T
300
女士，
占空比
2 %
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
e
DIM 。
2兆焦耳
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
0.62 K / W
毫米
分钟。
马克斯。
A
4.7
5.3
A
1
2.2
2.54
A
2
2.2
2.6
b
1.0
1.4
b
1
1.65
2.13
b
2
2.87
3.12
C
.4
.8
D
20.80 21.46
E
15.75 16.26
e
5.20
5.72
L
19.81 20.32
L1
4.50
P
3.55
3.65
Q
5.89
6.40
R
4.32
5.49
S
6.15 BSC
英寸
分钟。马克斯。
.185 .209
.087 .102
.059 .098
.040 .055
.065 .084
.113 .123
.016 .031
.819 .845
.610 .640
0.205 0.225
.780 .800
.177
.140 .144
0.232 0.252
.170 .216
242 BSC
TO- 268外形
TO-247
0.25
K / W
闵推荐足迹
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利：
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
QQ：2880707522 复制
