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HiPerFAST
TM
IGBT
IXGH 28N30B
IXGT 28N30B
V
CES
I
C25
V
CE ( SAT )典型值
t
网络连接(典型值)
= 300 V
= 56 A
= 2.1 V
= 55 ns的
符号
V
CES
V
CGR
V
GES
V
创业板
I
C25
I
C90
I
CM
SSOA
( RBSOA )
P
C
T
J
T
JM
T
英镑
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25 ℃至150 ℃;
GE
= 1兆瓦
连续
短暂
T
C
= 25°C
T
C
= 90°C
T
C
= 25 ° C, 1毫秒
V
GE
= 15 V ,T
VJ
= 125 ° C,R
G
= 10
W
钳位感性负载, L = 100
mH
T
C
= 25°C
最大额定值
300
300
±20
±30
56
28
112
I
CM
= 56
@ 0.8 V
CES
150
-55 ... +150
150
-55 ... +150
300
260
V
V
V
V
A
A
A
A
W
°C
°C
°C
°C
°C
AD TO- 247 ( IXGH )
G
C
E
TO-268
( IXGT )
G
E
( TAB )
G =门,
E =发射器,
C =收藏家,
TAB =收藏家
特点
国际标准封装
JEDEC TO -268表面和JEDEC
的TO- 247的AD
高电流处理能力
最新一代HDMOS
TM
过程
MOS栅极导通
- 驱动器的简单
应用
交流电机调速
直流伺服和机器人的驱动器
直流斩波器
不间断电源( UPS )
开关模式和谐振模
电源
最大无铅焊接温度的
从案例10秒1.6毫米( 0.062英寸)
最高选项卡下的10秒贴片焊接设备
M
d
重量
安装扭矩( M3 )
1.13 / 10牛米/ lb.in 。
的TO- 247的AD
TO-268
6
4
g
g
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C,除非另有规定编)
分钟。典型值。马克斯。
300
2.5
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
V
V
mA
mA
nA
V
BV
CES
V
GE (日)
I
CES
I
GES
V
CE ( SAT )
I
C
I
C
= 250
毫安,
V
GE
= 0 V
= 250
毫安,
V
CE
= V
GE
5
200
1
±100
2.1
2.4
优势
高功率密度
适用于表面贴装
开关速度高频率
应用
易于使用1个螺丝安装,
(隔绝安装螺纹孔)
V
CE
= 0.8 V
CES
V
GE
= 0 V
V
CE
= 0 V, V
GE
=
±20
V
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V
IXYS保留更改限制,试验条件和尺寸的权利。
97530A (9/98)
版权所有2000 IXYS所有权利。
1-2
IXGH 28N30B
IXGT 28N30B
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C,除非另有规定编)
分钟。典型值。马克斯。
12
18
1500
V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V , F = 1兆赫
130
40
90
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V, V
CE
= 0.5 V
CES
15
35
感性负载,T
J
= 25°C
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V , L = 100
mH的,
V
CE
= 0.8 V
CES
, R
G
= R
关闭
= 4.7
W
备注:开关时间可能
增加V
CE
(钳) > 0.8 V
CES
,
更高的温度
J
或加强研究
G
感性负载,T
J
= 125°C
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V , L = 100
mH
V
CE
= 0.8 V
CES
, R
G
= R
关闭
= 4.7
W
备注:开关时间可能
增加V
CE
(钳) > 0.8 V
CES
,
更高的温度
J
或加强研究
G
15
30
50
55
0.3
15
30
0.3
90
110
0.6
180
230
1.4
S
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
暗淡。毫米
分钟。马克斯。
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
19.81 20.32
20.80 21.46
15.75 16.26
3.55 3.65
4.32 5.49
5.4
6.2
1.65 2.13
-
4.5
1.0
1.4
10.8 11.0
4.7
0.4
5.3
0.8
英寸
分钟。马克斯。
0.780 0.800
0.819 0.845
0.610 0.640
0.140 0.144
0.170 0.216
0.212 0.244
0.065 0.084
-
0.177
0.040 0.055
0.426 0.433
0.185 0.209
0.016 0.031
0.087 0.102
AD TO- 247 ( IXGH )大纲
g
fs
C
IES
C
OES
C
水库
Q
g
Q
ge
Q
gc
t
D(上)
t
ri
t
D(关闭)
t
fi
E
关闭
t
D(上)
t
ri
E
on
t
D(关闭)
t
fi
E
关闭
R
thJC
R
thCK
I
C
= I
C90
; V
CE
= 10 V,
脉冲测试,T
300
女士,
占空比
2 %
1.5 2.49
0.83 K / W
0.25
K / W
TO- 268AA (D
3
PAK )
DIM 。
A
A
1
A
2
b
b
2
C
D
E
E
1
e
H
L
L1
L2
L3
L4
毫米
分钟。马克斯。
4.9
5.1
2.7
2.9
.02
.25
1.15
1.45
1.9
2.1
.4
.65
13.80 14.00
15.85 16.05
13.3
13.6
5.45 BSC
18.70 19.10
2.40
2.70
1.20
1.40
1.00
1.15
0.25 BSC
3.80
4.10
英寸
分钟。马克斯。
.193 .201
.106 .114
.001 .010
.045 .057
.75
.83
.016 .026
.543 .551
.624 .632
.524 .535
0.215 BSC
.736 .752
.094 .106
.047 .055
.039 .045
0.010 BSC
.150 .161
分钟。推荐足迹
版权所有2000 IXYS所有权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利:
4,835,592
4,881,106
5,017,508
5,049,961
5,187,117
5,486,715
4,850,072
4,931,844
5,034,796
5,063,307
5,237,481
5,381,025
2-2
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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    -
    -
    -
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
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