IXGH 28N120B
IXGT 28N120B
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
15
23
1700
V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V ， F = 1兆赫
120
45
92
I
C
= 28A ，V
GE
= 15 V, V
CE
= 0.5 V
CES
13
35
30
感性负载，T
J
= 25°C
°
I
C
= 28 A，V
GE
= 15 V
V
CE
= 0.8 V
CES
, R
G
= R
关闭
= 5
20
210
170
2.2
35
28
感性负载，T
J
= 125°C
°
I
C
= 28A ，V
GE
= 15 V
V
CE
= 0.8 V
CES
, R
G
= R
关闭
= 5
28N120B
28N120BD1
0.3
1.4
250
340
4.6
280
320
S
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
DIM 。
e
P
的TO- 247的AD概要
g
fs
C
IES
C
OES
C
水库
Q
g
Q
ge
Q
gc
t
D（上）
t
ri
t
D（关闭）
t
fi
E
关闭
t
D（上）
t
ri
E
on
t
D（关闭）
t
fi
E
关闭
R
thJC
R
thCK
I
C
= 28A ; V
CE
= 10 V,
脉冲测试，T
≤
300
s,
占空比
≤
2 %
5.0兆焦耳
ns
ns
mJ
mJ
ns
ns
mJ
0.5 K / W
毫米
分钟。
马克斯。
A
4.7
5.3
A
1
2.2
2.54
A
2
2.2
2.6
b
1.0
1.4
b
1
1.65
2.13
b
2
2.87
3.12
C
.4
.8
D
20.80 21.46
E
15.75 16.26
e
5.20
5.72
L
19.81 20.32
L1
4.50
P
3.55
3.65
Q
5.89
6.40
R
4.32
5.49
S
6.15 BSC
英寸
分钟。马克斯。
.185 .209
.087 .102
.059 .098
.040 .055
.065 .084
.113 .123
.016 .031
.819 .845
.610 .640
0.205 0.225
.780 .800
.177
.140 .144
0.232 0.252
.170 .216
242 BSC
TO- 268外形
(TO-247)
0.25
K / W
DIM 。
闵推荐足迹
A
A
1
A
2
b
b
2
C
D
E
E
1
e
H
L
L1
L2
L3
L4
毫米
分钟。
马克斯。
4.9
5.1
2.7
2.9
.02
.25
1.15
1.45
1.9
2.1
.4
.65
13.80 14.00
15.85 16.05
13.3
13.6
5.45 BSC
18.70 19.10
2.40
2.70
1.20
1.40
1.00
1.15
0.25 BSC
3.80
4.10
英寸
分钟。马克斯。
.193 .201
.106 .114
.001 .010
.045 .057
.75
.83
.016 .026
.543 .551
.624 .632
.524 .535
0.215 BSC
.736 .752
.094 .106
.047 .055
.039 .045
0.010 BSC
.150 .161
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或多个
：下列美国专利
4,850,072
4,835,592
4,931,844
4,881,106
5,034,796
5,017,508
5,063,307
5,049,961
5,237,481
5,187,117
5,381,025
5,486,715
6,404,065B1
6,306,728B1
6,162,665
6,534,343
6,583,505
6,259,123B1 6,306,728B1 6,683,344
IXGH 28N120B
IXGT 28N120B
图。 1.输出Characte ristics
@ 25
C
56
49
42
V
GE
= 15V
13V
11V
图。 2.扩展的输出Characte ristics
@ 25
C
240
210
180
V
GE
= 17V
15V
13V
I
C
- 安培
35
28
21
I
C
- 安培
9V
150
120
90
60
30
9V
11V
7V
14
7
5V
0
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
7V
0
0
2
4
6
V
权证
- 伏特
图。 3.输出特性
@ 125
C
56
V
GE
= 15V
49
42
13V
11V
1.3
1.4
V
GE
= 15V
V
权证
- 伏特
8
10
12
14
16
18
20
图。 4.依赖的V
CE （ SAT ）
on
tem温度
I
C
= 56A
V
权证（SAT）
- 归
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
I
C
= 14A
I
C
= 28A
I
C
- 安培
35
28
21
14
7
0
1
1.5
2
2.5
9V
7V
5V
0.7
3
3.5
4
4.5
5
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
V
CE
- 伏特
T
J
- 摄氏
图。 6.输入上将ittance
100
T
J
= 25
C
90
80
图。 5.收集到EM伊特尔电压
与门到EM伊特尔电压
8
7
I
C
- 安培
V
权证
- 伏特
6
I
C
= 56A
28A
14A
70
60
50
40
30
20
10
T
J
= 125
C
25
C
-40
C
5
4
3
2
6
7
8
9
10
0
V
摹ê
- 伏特
11
12
13
14
15
16
17
4
5
6
V
摹ê
- 伏特
7
8
9
10
版权所有2004 IXYS所有权利。
IXGH 28N120B
IXGT 28N120B
图。 7.跨导
35
30
25
20
15
10
5
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
T
J
= -40
C
25
C
125
C
18
16
14
T
J
= 125
C
V
GE
= 15V
V
CE
= 960V
I
C
= 56A
图。 8.依赖性关断
R上烯RGY损失
G
E
F F
- 毫焦耳
g
F小号
- 西门子
12
10
8
6
4
2
0
I
C
= 28A
I
C
= 14A
I
C
- 安培
图。 9.依赖的导通关
10
9
8
R
G
= 5
V
GE
= 15V
0
10
20
30
R
G
- 欧姆
40
50
60
70
80
90
100
能源洛S上我
C
T
J
= 125
C
11
10
9
图。的关断10.德彭代NCE
在TEM PE叉涂抹烯RGY损失
R
G
= 5
V
GE
= 15V
V
CE
= 960V
I
C
= 56A
E
F F
- 毫焦耳
7
6
5
4
3
2
1
0
10
E
F F
- 毫焦耳
V
CE
= 960V
8
7
6
5
4
3
2
1
0
I
C
= 28A
T
J
= 25
C
I
C
= 14A
25
35
45
55
65
75
85
95
105 115 125
15
20
25
I
C
- 安培
30
35
40
45
50
55
60
T
J
- 摄氏
图。的关断12 DEPE ndence
450
图。 11.依赖的关断
1400
SW瘙痒添ê R上
G
t
D（关闭）
SW痒蒂姆E在我
C
切换时间 - 纳秒
1200
t
fi
- - - - - -
T
J
= 125C
V
GE
= 15V
V
CE
= 960V
切换时间 - 纳秒
400
350
300
250
200
150
100
T
J
= 125
C
t
D（关闭）
t
fi
- - - - - -
R
G
= 5
V
GE
= 15V
V
CE
= 960V
1000
800
600
I
C
= 14A
I
C
= 28A
I
C
= 56A
T
J
= 25
C
400
200
0
10
20
30
R
G
- 欧姆
40
50
60
70
80
90
100
10
15
20
25
I
C
- 安培
30
35
40
45
50
55
60
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或多个
：下列美国专利
4,850,072
4,835,592
4,931,844
4,881,106
5,034,796
5,017,508
5,063,307
5,049,961
5,237,481
5,187,117
5,381,025
5,486,715
6,404,065B1
6,306,728B1
6,162,665
6,534,343
6,583,505
6,259,123B1 6,306,728B1 6,683,344
QQ：2881677436 复制
