IXGH24N170AH1
IXGT24N170AH1
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
g
fs
C
IES
C
OES
C
水库
Q
g
Q
ge
Q
gc
t
D（上）
t
ri
E
on
t
D（关闭）
t
fi
E
关闭
t
D（上）
t
ri
E
on
t
D（关闭）
t
fi
E
关闭
R
thJC
R
thCK
感性负载，T
J
= 125°C
I
C
= 24A ，V
GE
= 15V
V
CE
= 0.5
V
CES
, R
G
= 10Ω
注1
感性负载，T
J
= 25°C
I
C
= 24A ，V
GE
= 15V
V
CE
= 0.5
V
CES
, R
G
= 10Ω
注1
I
C
= 16A ，V
GE
= 15V, V
CE
= 0.5
V
CES
I
C
= 24A ，V
CE
= 10V ，注意2
V
CE
= 25V, V
GE
= 0V ， F = 1MHz的
特征值
分钟。
典型值。
马克斯。
13
22
2860
198
58
140
18
60
21
36
2.97
336
40
0.79
23
31
3.60
360
96
1.47
0.21
S
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
0.50 ° C / W
° C / W
e
TO- 247 （ IXGH ）大纲
1
2
3
P
端子： 1 - 门
3 - 来源
2 - 漏极
标签 - 漏
DIM 。
80
1.50
(TO-247)
毫米
分钟。马克斯。
A
4.7
5.3
2.2
2.54
A
1
2.2
2.6
A
2
b
1.0
1.4
1.65
2.13
b
1
b
2
2.87
3.12
C
.4
.8
D
20.80 21.46
E
15.75 16.26
e
5.20
5.72
L
19.81 20.32
L1
4.50
P
3.55
3.65
Q
5.89
6.40
R
4.32
5.49
S
6.15 BSC
英寸
分钟。马克斯。
.185 .209
.087 .102
.059 .098
.040 .055
.065 .084
.113 .123
.016 .031
.819 .845
.610 .640
0.205 0.225
.780 .800
.177
.140 .144
0.232 0.252
.170 .216
242 BSC
TO- 268 （ IXGT ）大纲
反向二极管（ FRED ）
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
V
F
I
RM
t
rr
I
RM
t
rr
R
thJC
注意事项：
1.
2.
切换时间可能会增加V
CE
（钳） > 0.5 V
CES
,
更高的温度
J
或加强研究
G
.
脉冲测试，T
≤
300μS ;占空比D
≤
2%.
I
F
= 20A ，V
GE
= 0V
T
J
= 125°C
特征值
分钟。
典型值。
马克斯。
2.5
2.5
15
80
20
200
2.95
V
V
A
ns
A
ns
0.9 ° C / W
I
F
= 20A ， - 二
F
/ DT = 150A / μs的，
V
R
= 1200V, V
GE
= 0V
T
J
= 125°C
初步技术信息
本文中所呈现的产品正在开发中。所提供的技术规格衍生
从过程的初步工程很多客观的刻画收集的数据;但也可能还
包含在预生产设计评价提供了一些信息。 IXYS保留权利
更改限制，试验条件和尺寸，恕不另行通知。
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT覆盖
4,835,592
通过以下一种或多项美国专利： 4850072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,381,025
5,486,715
6,162,665
6,259,123 B1
6,306,728 B1
6,404,065 B1
6,534,343
6,583,505
6,683,344
6,727,585
7,005,734 B2
6,710,405 B2 6,759,692
7,063,975 B2
6,710,463
6,771,478 B2 7,071,537
7,157,338B2
IXGH24N170AH1
IXGT24N170AH1
图。 7.跨导
36
T
J
= - 40C
32
28
25C
125C
16
14
12
V
CE
= 850V
I
C
= 24A
I
G
= 10毫安
图。 8.栅极电荷
g
F小号
-
SIEMENS
24
20
16
12
8
4
0
0
10
20
30
40
50
V
GE
- 伏特
60
70
10
8
6
4
2
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
I
C
- 安培
Q
G
- nanocoulombs
图。 9.电容
10,000
60
图。 10.反向偏置安全工作区
f
= 1兆赫
50
电容 - 皮法
资本投资者入境计划
1,000
40
I
C
- 安培
卓越中心
100
30
20
T
J
= 125C
CRES
10
0
5
10
15
20
25
30
35
40
10
R
G
= 10
的dV / dt < 10V / ns的
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
1800
V
CE
- 伏特
V
CE
- 伏特
图。 11.最大瞬态热阻抗
1.00
Z
（日） JC
- C / W
0.10
0.01
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
脉冲宽度 - 秒
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS REF ： G_24N170 （ 6N ） 09年5月7日
QQ：2881677436 复制
