IXGH 24N170
IXGT 24N170
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
18
25
100
2400
V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V ， F = 1兆赫
120
33
106
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V, V
CE
= 0.5 V
CES
感性负载，T
J
= 25°C
°
I
C
= I
C25
, V
GE
= 15 V
V
CE
= 0.8 V
CES
, R
G
= R
关闭
= 5
备注：开关时间可能
增加V
CE
（钳） > 0.8 V
CES
,
更高的温度
J
或加强研究
G
°
感性负载，T
J
= 125°C
I
C
= I
C25
, V
GE
= 15 V
V
CE
= 0.8 V
CES
, R
G
= R
关闭
= 5
备注：开关时间可能
增加V
CE
（钳） > 0.8 V
CES
,
更高的温度
J
或加强研究
G
18
32
42
39
200
250
8
50
55
2.0
200
360
12
400
500
S
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
DIM 。
e
P
的TO- 247的AD概要
g
fs
I
C（ ON）
C
IES
C
OES
C
水库
Q
g
Q
ge
Q
gc
t
D（上）
t
ri
t
D（关闭）
t
fi
E
关闭
t
D（上）
t
ri
E
on
t
D（关闭）
t
fi
E
关闭
R
thJC
R
thCK
I
C
= I
C90
; V
CE
= 10 V,
脉冲测试，T
≤
300
s,
占空比
≤
2 %
V
GE
= 10V, V
CE
= 10V
12兆焦耳
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
0.5 K / W
毫米
分钟。
马克斯。
A
4.7
5.3
A
1
2.2
2.54
2.2
2.6
A
2
b
1.0
1.4
b
1
1.65
2.13
b
2
2.87
3.12
C
.4
.8
D
20.80 21.46
E
15.75 16.26
e
5.20
5.72
L
19.81 20.32
L1
4.50
P
3.55
3.65
Q
5.89
6.40
R
4.32
5.49
S
6.15 BSC
英寸
分钟。马克斯。
.185 .209
.087 .102
.059 .098
.040 .055
.065 .084
.113 .123
.016 .031
.819 .845
.610 .640
0.205 0.225
.780 .800
.177
.140 .144
0.232 0.252
.170 .216
242 BSC
TO- 268外形
(TO-247)
0.25
K / W
DIM 。
闵推荐足迹
A
A
1
A
2
b
b
2
C
D
E
E
1
e
H
L
L1
L2
L3
L4
毫米
分钟。
马克斯。
4.9
5.1
2.7
2.9
.02
.25
1.15
1.45
1.9
2.1
.4
.65
13.80 14.00
15.85 16.05
13.3
13.6
5.45 BSC
18.70 19.10
2.40
2.70
1.20
1.40
1.00
1.15
0.25 BSC
3.80
4.10
英寸
分钟。马克斯。
.193 .201
.106 .114
.001 .010
.045 .057
.75
.83
.016 .026
.543 .551
.624 .632
.524 .535
0.215 BSC
.736 .752
.094 .106
.047 .055
.039 .045
0.010 BSC
.150 .161
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利：
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
6,306,728B1
IXGH24N170
IXGT24N170
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
g
fs
I
C（ ON）
C
IES
C
OES
C
水库
Q
g
Q
ge
Q
gc
t
D（上）
t
ri
t
D（关闭）
t
fi
E
关闭
t
D（上）
t
ri
E
on
t
D（关闭）
t
fi
E
关闭
R
thJC
R
乡镇卫生院
(TO-247)
0.25
感性负载，T
J
= 25°C
I
C
= I
C25
, V
GE
= 15V
V
CE
= 0.8 V
CES
, R
G
= R
关闭
= 5Ω
备注：开关时间可能
增加V
CE
（钳） > 0.8 V
CES
,
更高的温度
J
或加强研究
G
感性负载，T
J
= 125°C
I
C
= I
C25
, V
GE
= 15V
V
CE
= 0.8 V
CES
, R
G
= R
关闭
= 5Ω
备注：开关时间可能
增加V
CE
（钳） > 0.8 V
CES
,
更高的温度
J
或加强研究
G
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15V, V
CE
= 0.5 V
CES
V
CE
= 25V, V
GE
= 0V ， F = 1MHz的
I
C
= I
C90
, V
CE
= 10V ，注1
V
CE
= 10V, V
GE
= 10V
特征值
分钟。
典型值。
马克斯。
18
25
100
2400
120
33
106
18
32
42
39
200
250
8
50
55
2.0
200
360
12
0.50
400
500
12
S
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
° C / W
° C / W
的TO- 247的AD概要
1
2
3
端子： 1 - 门
2 - 漏极
DIM 。
毫米
分钟。马克斯。
A
4.7
5.3
A
1
2.2
2.54
A
2
2.2
2.6
b
1.0
1.4
1.65
2.13
b
1
b
2
2.87
3.12
C
.4
.8
D
20.80 21.46
E
15.75 16.26
e
5.20
5.72
L
19.81 20.32
L1
4.50
P
3.55
3.65
Q
5.89
6.40
R
4.32
5.49
英寸
分钟。马克斯。
.185 .209
.087 .102
.059 .098
.040 .055
.065 .084
.113 .123
.016 .031
.819 .845
.610 .640
0.205 0.225
.780 .800
.177
.140 .144
0.232 0.252
.170 .216
TO- 268外形
注1 ：脉冲检验，t
≤
300μS ，占空比D
≤
2%.
闵推荐足迹
端子： 1 - 门
2 - 漏极
高级技术信息
本文中所呈现的产品正在开发中。所提供的技术规格衍生
从主观设计的评价，基于先前的知识和经验，并构成
"considered reflection"的预期效果。 IXYS保留更改限制的权利，测试
条件和尺寸，恕不另行通知。
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT覆盖
4,835,592
通过以下一种或多项美国专利： 4850072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,381,025
5,486,715
6,162,665
6,259,123 B1
6,306,728 B1
6,404,065 B1
6,534,343
6,583,505
6,683,344
6,727,585
7,005,734 B2
6,710,405 B2 6,759,692
7,063,975 B2
6,710,463
6,771,478 B2 7,071,537
7,157,338B2
QQ：2880707522 复制
