【GenX3TM600V IGBTW /二极管（电气绝缘标签）Medium速度低甚小孔径终端PT IG】,IC型号IXGR72N60B3H1,IXGR72N60B3H1 PDF资料,IXGR72N60B3H1经销商,ic,电子元器件-51电子网

GenX3

TM

600V IGBT

W /二极管

（电气绝缘标签）

Me

dium速度低甚小孔径终端PT IGBT

为5-40 kHz开关

符号

V

CES

V

CGR

V

GES

V

创业板

I

C25

I

C110

I

F110

I

CM

SSOA

（ RBSOA ）

P

C

T

J

T

JM

T

英镑

V

ISOL

F

C

T

L

T

出售

重量

50/60赫兹1分钟

安装力

测试条件

T

J

= 25 ℃至150 ℃的

T

J

= 25° C到150° C，R

GE

= 1M

连续

短暂

T

C

= 25°C （受引线）

T

C

= 110C

T

C

= 110C

T

C

= 25 ° C， 1毫秒

V

GE

= 15V ，T

VJ

= 125 ° C，R

G

= 3

钳位感性负载

T

C

= 25C

IXGR72N60B3H1

V

CES

I

C110

V

CE （ SAT ）

t

网络连接（典型值）

ISOPLUS247

TM

=

600V

40A

1.80V

92ns

最大额定值

600

20

30

75

40

34

450

I

CM

= 240

V

CE

V

CES

200

-55 ... +150

150

-55 ... +150

2500

20..120/4.5..27

300

260

5

W

C

V~

N /磅

°C

g

优势

V

A

G

C

E

孤立的标签

G =门

E =发射器

C

=收藏家

特点

硅芯片上直接键合铜

（DCB ）底物

隔离安装面

优化的低通和

开关损耗

2500V的电气隔离

广场RBSOA

反并联超快二极管

最大无铅焊接温度的

1.6毫米（ 0.062英寸）从案例10秒

高功率密度

低栅极驱动要求

应用

符号

测试条件

(T

J

= 25 ℃，除非另有规定）

V

GE （日）

I

CES

I

GES

V

CE （ SAT ）

I

C

= 250μA ，V

CE

= V

GE

T

J

= 125C

V

CE

= V

CES

, V

GE

= 0V

V

CE

= 0V, V

GE

=

20V

I

C

= 60A ，V

GE

= 15V ，注1

I

C

= 120A

特征值

分钟。

典型值。

马克斯。

3.0

5.0

300

5

V

A

mA

nA

V

100

1.50

1.75

1.80

电源逆变器

UPS

电机驱动

SMPS

PFC电路

电池充电器

焊接机

灯镇流器

DS99875B(7/13)

IXGR72N60B3H1

符号

测试条件

(T

J

= 25 ℃，除非另有规定）

g

fs

C

IES

C

OES

C

水库

Q

g

Q

ge

Q

gc

t

D（上）

t

ri

E

on

t

D（关闭）

t

fi

E

关闭

t

D（上）

t

ri

E

on

t

D（关闭）

t

fi

E

关闭

R

thJC

R

乡镇卫生院

感性负载，T

J

= 125°C

I

C

= 50A ，V

GE

= 15V

V

CE

= 480V ，R

G

= 3

注2

感性负载，T

J

= 25°C

I

C

= 50A ，V

GE

= 15V

V

CE

= 480V ，R

G

= 3

注2

I

C

= 60A ，V

GE

= 15V, V

CE

= 0.5

V

CES

V

CE

= 25V, V

GE

= 0V ， F = 1MHz的

I

C

= 50A ，V

CE

= 10V ，注1

特征值

分钟。

典型值。

马克斯。

45

76

6800

576

80

225

40

82

31

33

1.4

152

92

1.0

29

34

2.7

228

142

2.2

0.15

240

150

2.0

S

pF

nC

ns

mJ

ns

mJ

ns

mJ

ns

mJ

0.62

° C / W

1

2

3

- 门

- 集电极

- 发射极

ISOPLUS247 （ IXGR ）大纲

反向二极管（ FRED ）

（符号

测试条件

(T

J

= 25 ℃，除非另有规定）

V

F

I

RM

t

rr

R

thJC

I

F

= 60A ，V

GE

= 0V ，说明1

特征值

分钟。

典型值。

马克斯。

T

J

= 150°C

1.6

1.4

8.3

140

2.3

1.8

V

A

ns

0.80 ° C / W

I

F

= 60A ，V

GE

= 0V,

T

J

= 100°C

- 二

F

/ DT = 200A / μs的，V

R

= 300V

I

F

= 60A ， -di / DT = 200A / μs的，V

R

= 300V ，T

J

= 100°C

注意事项：

1.脉冲检验，t

300μS ，占空比D

2%.

2.切换时间&能量损失可能会增加更高的V

CE

（钳），T

J

或R

G

.

IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。

IXYS MOSFET和IGBT覆盖

4,835,592

由一个或moreof以下美国专利： 4860072

4,881,106

4,931,844

5,017,508

5,034,796

5,049,961

5,063,307

5,187,117

5,237,481

5,381,025

5,486,715

6,162,665

6,259,123 B1

6,306,728 B1

6,404,065 B1

6,534,343

6,583,505

6,683,344

6,727,585

7,005,734 B2

6,710,405 B2 6,759,692

7,063,975 B2

6,710,463

6,771,478 B2 7,071,537

7,157,338B2

IXGR72N60B3H1

图。 1.输出特性@ T

J

= 25C

120

V

GE

= 15V

13V

11V

9V

300

V

GE

= 15V

13V

11V

图。 2.扩展的输出特性@ T

J

= 25C

100

250

I

C

-

安培

I

C

- 安培

80

200

9V

60

7V

150

40

100

7V

20

50

0

0.0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

1.6

1.8

2.0

2.2

2.4

0

1

2

3

4

5

6

7

8

V

CE

- 伏特

V

CE

- 伏特

图。 3.输出特性@ T

J

= 125C

120

V

GE

= 15V

13V

11V

9V

1.3

V

GE

= 15V

1.2

图。 4.依赖的V

CE （ SAT ）

on

结温

100

I

C

= 120A

V

CE （ SAT ）

- 归

I

C

- 安培

80

7V

1.1

I

C

= 60A

1.0

60

40

0.9

20

5V

0

0.0

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

0.8

I

C

= 30A

0.7

-50

-25

0

25

50

75

100

125

150

V

CE

- 伏特

T

J

- 摄氏

4.5

4.0

3.5

图。 5.集电极 - 发射极电压

与门极 - 发射极电压

T

J

= 25C

I

C

= 120A

60A

30A

180

160

140

图。 6.输入导纳

3.0

2.5

2.0

I

C

-

安培

120

100

80

60

40

T

J

= 125C

25C

- 40C

V

CE

- 伏特

1.5

1.0

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

15

20

0

4.0

4.5

5.0

5.5

6.0

6.5

7.0

7.5

8.0

V

GE

- 伏特

V

GE

- 伏特

IXGR72N60B3H1

图。 7.跨导

16

120

T

J

= - 40C

14

100

12

V

CE

= 300V

I

C

= 60A

I

G

= 10毫安

图。 8.栅极电荷

25C

g

F小号

-

SIEMENS

125C

60

V

GE

- 伏特

140

160

180

200

80

10

8

6

40

4

20

2

0

20

40

60

80

100

120

0

20

40

60

80

100

120

140

160

180

200

220

240

0

I

C

- 安培

Q

G

- nanocoulombs

图。 9.电容

10,000

资本投资者入境计划

图。 10.反向偏置安全工作区

280

240

200

电容 - 皮法

I

C

- 安培

1,000

卓越中心

160

120

80

100

CRES

T

J

= 125C

R

G

= 3

的dV / dt < 10V / ns的

40

f

= 1兆赫

10

0

5

10

15

20

25

30

35

40

0

100

200

300

400

500

600

V

CE

- 伏特

V

CE

- 伏特

图。 11.最大瞬态热阻抗

1

Z

（日） JC

- C / W

0.1

0.01

0.0001

0.001

0.01

0.1

1

10

脉冲宽度 - 秒

IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。

IXYS REF ： G_72N60B3 （ 76 ） 09年2月10日-D

IXGR72N60B3H1

图。 12.感应开关能量损耗与

栅极电阻

8

7

6

I

C

=100A

9

8

7

6

E

关闭

V

CE

= 480V

E

on

-

7

6

5

E

关闭

V

CE

= 480V

E

on

图。 13.感应开关能量损耗与

集电极电流

7

----

T

J

= 125C

R

G

= 3

V

GE

= 15V

6

5

4

3

T

J

= 25C

2

1

0

100

E

on

- 毫焦耳

E

关闭

- 毫焦耳

5

4

3

2

1

0

5

10

15

20

25

30

35

40

45

50

55

E

关闭

- 毫焦耳

E

on

- 毫焦耳

---

I

C

= 50A

4

3

2

1

0

20

30

40

50

60

70

80

90

T

J

= 125℃ ，V

GE

= 15V

5

4

3

2

1

I

C

= 25A

R

G

- 欧姆

I

C

- 安培

7

6

5

图。 14.感应开关能量损耗与

结温

7

6

图。 15.电感关断开关时间与

栅极电阻

240

220

200

I

C

= 25A, 50A, 100A

1300

1150

1000

850

700

550

400

I

C

= 25A

t

F I

- 纳秒

I

C

= 100A

5

t

D（关闭）

- 纳秒

E

关闭

- 毫焦耳

I

C

= 100A

E

on

- 毫焦耳

180

160

140

120

4

E

关闭

3

2

1

0

25

35

45

55

65

75

85

95

I

C

= 25A

105

115

V

CE

= 480V

E

on

4

----

3

I

C

= 50A

2

1

0

125

I

C

= 50A

R

G

= 3

V

GE

= 15V

t

F I

V

CE

= 480V

t

D（关闭）

- - - -

250

100

45

50

55

100

80

0

5

10

T

J

= 125°C ，V

GE

= 15V

15

20

25

30

35

40

T

J

- 摄氏

R

G

- 欧姆

图。 16.电感关断开关时间与

集电极电流

230

210

190

250

235

220

图。 17.电感关断开关时间与

结温

220

200

180

260

245

230

I

C

= 25A, 50A, 100A

160

140

120

100

80

60

25

35

45

55

65

75

85

95

105

115

215

200

185

T

J

= 125C

t

F I

- 纳秒

170

150

130

110

90

70

20

R

G

= 3

, V

GE

= 15V

V

CE

= 480V

205

190

175

160

T

J

= 25C

145

130

100

t

F I

- 纳秒

t

fi

t

D（关闭）

- - - -

t

D（关闭）

- 纳秒

t

D（关闭）

- 纳秒

t

ri

V

CE

= 480V

t

D（关闭）

- - - -

170

155

140

125

R

G

= 3

, V

GE

= 15V

30

40

50

60

70

80

90

I

C

- 安培

T

J

- 摄氏