【HiPerFASTTMIGBT与二极管C2级高速的IGBT初步数据表IXGR 50N60C2IXGR】,IC型号IXGR50N60C2D1,IXGR50N60C2D1 PDF资料,IXGR50N60C2D1经销商,ic,电子元器件-51电子网

HiPerFAST

TM

IGBT与二极管

C2级高速的IGBT

初步数据表

IXGR 50N60C2

IXGR 50N60C2D1

V

CES

I

C25

V

CE （ SAT ）

t

网络连接（典型值）

= 600 V

= 75 A

= 2.7 V

= 48 ns的

符号

V

CES

V

CGR

V

GES

V

创业板

I

C25

I

C110

I

CM

SSOA

（ RBSOA ）

P

C

V

ISOL

T

J

T

JM

T

英镑

重量

测试条件

T

J

= 25 ℃至150 ℃的

T

J

= 25 ℃至150 ℃;

GE

= 1 M

连续

短暂

T

C

= 25°C

T

C

= 110°C

T

C

= 25 ° C， 1毫秒

V

GE

= 15 V ，T

VJ

= 125 ° C，R

G

= 10

钳位感性负载@ V

CE

≤

600 V

T

C

= 25°C

50/60赫兹RMS ， T = 1米

最大额定值

600

±20

±30

75

36

300

I

CM

= 100

V

A

特点

甚高频IGBT和

反并联FRED在一个封装

广场RBSOA

高电流处理能力

MOS管的栅极导通驱动器的简单

快速恢复外延二极管（ FRED ）

软恢复和低I

RM

应用

开关模式和谐振模

电源

不间断电源（ UPS ）

直流斩波器

交流电机调速

直流伺服和机器人的驱动器

G =门

E =发射器

（隔离TAB ）

ISOPLUS247

（ IXGR ）

C =收藏家

200

2500

-55 ... +150

150

-55 ... +150

5

W

V

°C

g

°C

最大无铅焊接温度的

从案例10秒1.6毫米（ 0.062英寸）

300

符号

测试条件

特征值

(T

J

= 25 ° C，除非另有规定编）

分钟。典型值。马克斯。

3.0

T

J

= 25°C

T

J

= 125°C

5.0

650

5

±100

T

J

= 25°C

T

J

= 125°C

2.7

1.8

V

A

mA

nA

V

优势

节省空间（二合一设备

包）

易与1个螺丝安装

V

GE （日）

I

CES

I

GES

V

CE （ SAT ）

I

C

= 250

A,

V

CE

= V

GE

V

CE

= V

CES

V

GE

= 0 V

V

CE

= 0 V, V

GE

=

±20

V

I

C

= 40 A，V

GE

= 15 V

注1

DS99163(04/04)

IXGR 50N60C2

IXGR 50N60C2D1

符号

测试条件

特征值

(T

J

= 25 ° C，除非另有规定编）

分钟。典型值。马克斯。

40

51

3700

290

50

138

25

40

18

感性负载，T

J

= 25°C

°

I

C

= 40 A，V

GE

= 15 V

V

CE

= 480 V ，R

G

= R

关闭

= 2.0

25

115 150

48

0.38

18

25

1.4

170

60

0.74

S

pF

nC

ns

0.7兆焦耳

ns

mJ

ns

mJ

ISOPLUS 247外形

g

fs

C

IES

C

OES

C

水库

Q

g

Q

ge

Q

gc

t

D（上）

t

ri

t

D（关闭）

t

fi

E

关闭

t

D（上）

t

ri

E

on

t

D（关闭）

t

fi

E

关闭

R

thJC

R

thCK

I

C

= 40 A; V

CE

= 10 V,

注1

V

CE

= 25 V, V

GE

= 0 V ， F = 1兆赫

I

C

= 40 A，V

GE

= 15 V, V

CE

= 0.5 V

CES

感性负载，T

J

= 125°C

°

I

C

= 40 A，V

GE

= 15 V

V

CE

= 480 V ，R

G

= R

关闭

= 2.0

0.62 K / W

0.15

K / W

反向二极管（ FRED ）

符号

V

F

I

RM

t

rr

R

thJC

测试条件

I

F

= 60 A，V

GE

= 0 V,

注1

特征值

(T

J

= 25 ° C，除非另有规定编）

分钟。典型值。马克斯。

2.1

1.4

8.3

35

V

A

ns

0.85 K / W

T

J

= 150°C

I

F

= 60 A，V

GE

= 0 V ， - 二

F

/ DT = 100 A / μ牛逼

J

= 100°C

V

R

= 100 V

I

F

= 1 ; -di / DT = 200 A / MS; V

R

= 30 V

注1 ：脉冲检验，t

≤

300

s,

占空比

≤

2 %

IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。

IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或多个

：下列美国专利

4,850,072

4,835,592

4,931,844

4,881,106

5,034,796

5,017,508

5,063,307

5,049,961

5,237,481

5,187,117

5,381,025

5,486,715

6,404,065B1

6,306,728B1

6,162,665

6,534,343

6,583,505

6,259,123B1 6,306,728B1 6,683,344

IXGR 50N60C2

IXGR 50N60C2D1

图。 1.输出Characte ristics

@ 25度。

80

70

60

V

GE

= 15V

13V

11V

9V

280

240

320

V

GE

= 15V

13V

11V

图。 2.扩展的输出Characte ristics

@ 25代克。

7V

I

C

- 安培

50

40

30

20

10

0

0.5

1

1.5

2

2.5

3

3.5

4

6V

I

C

- 安培

200

160

120

9V

7V

80

40

5V

0

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

5V

V

权证

- 伏特

图。 3.输出特性

@ 125度。

80

70

60

V

GE

= 15V

13V

11V

9V

7V

1.1

1.2

V

权证

- 伏特

图。 V 4.德彭代NCE

CE （ SAT ）

on

tem温度

V

GE

= 15V

V

权证（ S A T）

- 归

1.0

0.9

0.8

0.7

0.6

I

C

= 40A

I

C

- 安培

I

C

= 80A

50

40

30

20

10

5V

0

0.5

1

1.5

2

2.5

3

3.5

4

6V

I

C

= 20A

0.5

25

50

75

100

125

150

V

CE

- 伏特

图。 5.收集到EM伊特尔电压

与门到EM伊特尔电压

4.8

4.5

4.2

T

J

= 25C

200

180

160

I

C

= 80A

40A

20A

T

J

- 摄氏

图。 6.输入上将ittance

V

权证

- 伏特

3.9

3.6

3.3

3

2.7

2.4

5

6

7

8

I

C

- 安培

140

120

100

80

60

40

20

0

T

J

= 125C

25C

9

10 11 12

13 14 15 16 17

4

4.5

5

5.5

6

6.5

7

7.5

8

8.5

9

V

摹ê

- 伏特

V

摹ê

- 伏特

IXGR 50N60C2

IXGR 50N60C2D1

图。 7.跨导

70

60

50

40

30

20

10

0

20

40

60

80

100 120 140 160 180 200

T

J

= 25C

125C

3

2.7

2.4

T

J

= 125C

V

GE

= 15V

V

CE

= 480V

I

C

= 80A

图。 8.依赖性关断

能源R上

G

E

F F

- 毫焦耳

g

F小号

- 西门子

2.1

1.8

1.5

1.2

I

C

= 40A

0.9

0.6

0.3

0

2

4

6

8

10

12

14

16

18

I

C

= 20A

I

C

- 安培

图。 9.依赖的导通关

能在我

c

2.2

2

1.8

R

G

= 2

R

G

= 10

- - - -

V

GE

= 15V

V

CE

= 480V

2.4

2.1

1.8

R

G

- 欧姆

图。 10.依赖性的Turn-关闭

精力tem温度

R

G

= 2

R

G

= 10

- - - -

V

GE

= 15V

V

CE

= 480V

I

C

= 80A

E

F F

- 毫焦耳

1.4

1.2

1

0.8

0.6

0.4

0.2

0

20

30

40

50

60

70

80

T

J

= 25C

T

J

= 125C

E

F F

- 毫焦耳

1.6

1.5

1.2

0.9

0.6

0.3

I

C

= 40A

I

C

= 20A

0

25

35

45

55

65

75

85

95

105 115 125

I

C

- 安培

图。 11.依赖的关断

SW瘙痒添ê R上

G

450

200

T

J

- 摄氏

图。 12.依赖性的Turn-关闭

SW痒蒂姆E在我

c

180

160

140

120

100

T

J

= 25C

80

60

40

切换时间 - 纳秒

350

300

250

200

T

J

= 125C

V

GE

= 15V

V

CE

= 480V

切换时间 - 纳秒

400

t

D（关闭）

t

fi

-

- - - - -

t

D（关闭）

t

fi

- - - - - -

R

G

= 2

V

GE

= 15V

V

CE

= 480V

T

J

= 125C

I

C

= 40A

150

100

50

2

4

6

8

10

12

14

I

C

= 80A

I

C

= 20A

16

18

20

30

40

50

60

70

80

R

G

- 欧姆

IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。

IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或多个

：下列美国专利

4,850,072

4,835,592

4,931,844

4,881,106

5,034,796

5,017,508

5,063,307

5,049,961

5,237,481

5,187,117

5,381,025

5,486,715

I

C

- 安培

6,404,065B1

6,306,728B1

6,162,665

6,534,343

6,583,505

6,259,123B1 6,306,728B1 6,683,344

IXGR 50N60C2

IXGR 50N60C2D1

图。 13.依赖的关断

SW瘙痒添E在tem温度

200

90

180

160

140

120

100

80

60

40

20

25

35

45

55

65

75

85

95

105 115 125

I

C

= 20A

I

C

= 40A

图。 14.反向偏置

安全工作区

80

切换时间 - 纳秒

t

D（关闭）

t

fi

-

- - - - -

R

G

= 2

V

GE

= 15V

V

CE

= 480V

I

C

= 20A

70

60

I

C

- 安培

I

C

= 80A

50

40

30

20

10

0

100

200

300

400

权证

- 伏特

T

J

= 125

C

R

G

= 10

的dv / dt < 10V / ns的

500

600

T

J

- 摄氏

V

图。 15.栅极电荷

16

14

12

V

CE

= 300V

I

C

= 40A

I

G

= 10毫安

10000

图。 16.电容

F = 1 MHz的

电容 - picoFarrads

C

IES

1000

V

摹ê

- 伏特

10

8

6

4

2

0

30

60

90

120

150

100

C

OES

C

水库

10

0

5

10

15

20

25

30

35

40

Q

G

- nanocoulombs

V

权证

- 伏特

图。 16。M的Axim嗯牛逼一个S即NT牛逼赫姆人再s是棕褐色的CE

0. 7 0

0. 6 0

0. 5 0

0. 4 0

0. 3 0

0. 2 0

0. 1 0

0. 0 0

1

10

10 0

1 0 00

R

T H， J·C

- C / W

PULS东西ID - 米利斯EC哔声