IXGR 40N60B2
IXGR 40N60B2D1
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
20
36
2560
V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V ， F = 1兆赫
210
54
100
I
C
= 30 A，V
GE
= 15 V, V
CE
= 300 V
15
36
18
感性负载，T
J
= 25°C
°
I
C
= 30 A，V
GE
= 15 V
V
CE
= 400 V ，R
G
= 3.3
20
130
82
0.4
18
感性负载，T
J
= 125°C
°
I
C
= 30 A，V
GE
= 15 V
V
CE
= 400 V ，R
G
= 3.3
20
0.3
240
150
1.10
200
150
S
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ISOPLUS 247外形
g
fs
C
IES
C
OES
C
水库
Q
g
Q
ge
Q
gc
t
D（上）
t
ri
t
D（关闭）
t
fi
E
关闭
t
D（上）
t
ri
E
on
t
D（关闭）
t
fi
E
关闭
R
thJC
R
thCK
I
C
= 30 A; V
CE
= 10 V,
脉冲测试，T
≤
300
s,
占空比
≤
2 %
0.8兆焦耳
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
0.75 K / W
0.15
K / W
反向二极管（ FRED ）
符号
V
F
I
RM
t
rr
R
thJC
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
T
J
=150°C
1.6
2.5
4
V
V
A
ns
ns
I
F
= 30 A，V
GE
= 0 V ，脉冲测试
t
≤
300
s,
占空比
≤
2 %
I
F
= 30 A，V
GE
= 0 V ， - 二
F
/ DT = 100 A / μs的，T
J
= 100°C
V
R
= 100 V
T
J
= 100°C 100
I
F
= 1 ; -di / DT = 100 A / μs的; V
R
= 30 V
25
0.9
1.1 K / W
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖
一个或moreof以下美国专利：
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,381,025
5,486,715
6,162,665
6,259,123 B1
6,306,728 B1
6,404,065 B1
6,534,343
6,583,505
6,683,344
6,710,405B2
6,710,463
6,727,585
IXGR 40N60B2
IXGR 40N60B2D1
图。 1.输出Characte ristics
@ 25度。
60
V
GE
= 15V
13V
11V
9V
180
150
7V
210
V
GE
= 15V
13V
11V
图。 2.扩展的输出Characte ristics
@ 25代克。
50
I
C
- 安培
I
C
- 安培
40
9V
120
90
60
30
7V
20
10
5V
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
30
5V
0
0
1
2
3
4
5
6
7
V
权证
- 伏特
图。 3.输出特性
@ 125度。
60
V
GE
= 15V
13V
11V
9V
1.3
1.4
V
权证
- 伏特
图。 V 4.德彭代NCE
CE （ SAT ）
on
tem温度
V
GE
= 15V
I
C
= 60A
50
V
权证（SAT）
- 归
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
I
C
- 安培
40
7V
30
20
I
C
= 30A
10
5V
I
C
= 15A
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
V
CE
- 伏特
图。 5.收集到EM伊特尔电压
与门到EM伊特尔电压
4
T
J
= 25C
3.5
150
I
C
= 60A
30A
15A
180
T
J
- 摄氏
图。 6.输入上将ittance
2.5
I
C
- 安培
3
V
权证
- 伏特
120
90
2
60
T
J
= 125C
25C
-40C
1.5
30
1
5
6
7
8
9
10 11 12
13 14 15 16 17
0
3
4
5
6
7
8
9
10
V
摹ê
- 伏特
版权所有2004 IXYS所有权利。
V
摹ê
- 伏特
IXGR 40N60B2
IXGR 40N60B2D1
图。 13.依赖的关断
SW瘙痒添E在tem温度
275
250
15
图。 14.栅极电荷
V
CE
= 300V
I
C
= 30A
I
G
= 10毫安
切换时间 - 纳秒
t
D（关闭）
t
fi
-
- - - - -
R
G
= 3.3
V
GE
= 15V
V
CE
= 400V
12
225
200
175
150
125
100
75
25
I
C
= 15A
I
C
= 30A
I
C
= 60A
V
摹ê
- 伏特
9
6
3
0
35
45
T
J
- 摄氏
55
65
75
85
95
105 115 125
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
Q
G
- nanocoulombs
图。 15.电容
10000
F = 1 MHz的
电容 - P F
1000
C
IES
C
OES
100
C
水库
10
0
5
10
15
20
25
30
35
40
V
权证
- 伏特
F IG 。 13. M aximu米陈德良思恩第t ermal esistan CE
0.8
0.7
0.6
R
（ TH） J·C
- （ C / W）
0.5
0.4
0.3
0.2
0 .1
0
1
10
10 0
100 0
PULS东西ID - 米利斯EC哔声
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