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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符I型号页 > 首字符I的型号第403页 > IXGQ90N27PB
初步技术信息
POLAR
TM
IGBT
对于PDP的应用
IXGQ90N27PB
V
CES
=
=
I
CP
V
CE （ SAT ）
≤
270 V
340 A
2.1 V
符号
测试条件
最大额定值
TO-3P
V
CES
V
创业板
I
C25
I
CPEAK
I
C（ RMS）
SSOA
（ RBSOA ）
P
C
T
J
T
JM
T
英镑
T
L
T
出售
M
d
重量
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
270
±30
V
V
A
A
A
A
G
C
E
（ TAB ）
T
C
= 25 ° C， IGBT芯片的能力
T
J
≤
150 ° C， TP
≤
1
μs,
D
≤
1%
铅限流
V
GE
= 15 V ，T
VJ
= 150℃ ，R
G
= 20
Ω
钳位感性负载，V
CE
< 270 V
T
C
= 25°C
90
340
75
I
CM
= 90
150
-55 ... +150
150
-55 ... +150
G =门
E =发射器
C =收藏家
TAB =收藏家
W
°C
°C
°C
°C
°C
纳米/ lb.in 。
g
特点
最大无铅焊接温度的
从案例10秒1.6毫米（ 0.062英寸）
最大的塑料体温10秒
安装力矩
300
260
1.3/10
5.5
国际标准套餐
低V
CE （ SAT ）
- 最低的通态传导
损失
MOS栅极导通
- 驱动器的简单
应用
PDP屏驱动
符号测试条件
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
V
GE （日）
I
CES
I
C
= 1毫安， V
CE
= V
GE
V
CE
= 270 V
V
GE
= 0 V
I
GES
V
CE （ SAT ）
V
CE
= 0 V, V
GE
= ±20 V
V
GE
= 15V,
注1
I
C
= 50 A
T
J
= 125°C
特征值
分钟。典型值。马克斯。
3.0
5.5
V
1
μA
200
μA
±100 nA的
1.3
1.3
1.67
1.80
2.1
V
V
V
V
DS99609B(02/07)
T
J
= 125°C
I
C
= 100 A
T
J
= 125°C
2006 IXYS所有权利
IXGQ90N27PB
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
g
fs
C
IES
C
OES
C
水库
Q
g
Q
ge
Q
gc
t
D（上）
t
ri
t
D（关闭）
t
fi
t
D（上）
t
ri
t
D（关闭）
t
fi
R
thJC
R
乡镇卫生院
注1 ：脉冲测试，T < 300我们，占空比< 2 ％
TO-3P概要
特征值
分钟。
典型值。马克斯。
30
48
2750
S
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
350
ns
ns
ns
ns
ns
0.833 K / W
0.25
K / W
I
C
= 45 A，V
CE
= 10 V ，注1
V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V ， F = 1兆赫
180
48
79
I
C
= 45 A，V
GE
= 15 V, V
CE
= 0.5 V
CES
16
29
阻性负载，T
J
= 25°C
I
C
= 50 A，V
GE
= 15 V
V
CE
= 200 V ，R
G
= 5
Ω
21
43
82
170
21
阻性负载，T
J
= 125°C
I
C
= 50 A，V
GE
= 15 V
V
CE
= 200 V ，R
G
= 5
Ω
68
88
340
PRELIMINARYTECHNICALINFORMATION
本文中所呈现的产品正在开发中。技术规格提供
从在初步工程的客观刻画收集的数据导出
地段;而且还可能包含在预生产设计提供了一些资料
评价。 IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利
恕不另行通知。
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT均受4835592
一个或moreof以下美国专利： 4850072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,381,025
5,486,715
6,162,665
6,259,123 B1
6,306,728 B1
6,404,065 B1
6,534,343
6,583,505
6,683,344
6,710,405B2
6,710,463
6,727,585
6,759,692
6,771,478 B2
IXGQ90N27PB
图。 1.输出特性
@ 25C
180
160
140
V
GE
= 15V
13V
11V
300
V
GE
= 15V
13V
图。 2. Exteded输出特性
@ 25C
250
11V
I
C
-
安培
I
C
- 安培
120
100
80
60
40
20
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
7V
9V
200
150
9V
100
50
7V
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
V
CE
- 伏特
V
CE
- 伏特
图。 3.输出特性
@ 125C
180
160
140
V
GE
= 15V
13V
11V
1.7
1.6
1.5
图。 4.依赖的V
CE （ SAT ）
on
结温
V
GE
= 15V
I
C
= 180A
V
CE （ SAT ）
- 归
I
C
- 安培
120
100
80
60
40
20
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
7V
9V
1.4
1.3
1.2
1.1
1
0.9
I
C
= 45A
0.8
0.7
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I
C
= 90A
V
CE
- 伏特
T
J
- 摄氏
图。 5.集电极 - 发射极电压
V秒。门极 - 发射极电压
5.0
4.5
4.0
T
J
= 25C
200
180
160
I
C
= 180A
90A
45A
140
图。 6.输入导纳
V
CE
- 伏特
3.5
3.0
2.5
2.0
I
C
-
安培
120
100
80
60
40
T
J
= 125C
25C
- 40C
1.5
1.0
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
20
0
4
5
6
7
8
9
10
V
GE
- 伏特
V
GE
- 伏特
2006 IXYS所有权利
IXGQ90N27PB
图。 7.跨导
70
110
R
G
= 5Ω
60
100
V
GE
= 15V
V
CE
= 240V
I
C
= 90A
图。 8. Resistiv e打开，上升时间
V秒。结温
40
T
J
= - 40C
25C
125C
t
r
- 纳秒
50
90
g
F小号
-
SIEMENS
80
30
70
20
60
I
C
= 45A
10
50
0
0
25
50
75
100
125
150
175
200
40
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
125
I
C
- 安培
T
J
- 摄氏
图。 9. Resistiv e打开，上升时间
V秒。集电极电流
110
R
G
= 5Ω
100
V
GE
= 15V
V
CE
= 200V
T
J
= 125C
140
160
150
图。 10. Resistiv ê开启开关时间
V秒。栅极电阻
26
t
r
t
D（上）
- - - -
25
T
J
= 125°C ，V
GE
= 15V
V
CE
= 200V
t
D（上）
t
r
- 纳秒
t
r
- 纳秒
90
130
120
110
100
90
80
70
I
C
= 45A
22
I
C
= 90A
23
24
80
70
- 纳秒
60
T
J
= 25C
50
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
60
4
6
8
10
12
14
16
18
20
21
I
C
- 安培
R
G
- 欧姆
图。 11. Resistiv e打开，关闭开关时间
V秒。结温
450
94
480
图。 12. Resistiv e打开，关闭开关时间
V秒。集电极电流
110
t
f
400
350
t
D（关闭）
- - - -
I
C
= 45A
90
440
400
t
f
t
D（关闭）
- - - -
105
100
95
R
G
= 5Ω , V
GE
= 15V
V
CE
= 200V
R
G
= 5Ω , V
GE
= 15V
V
CE
= 200V
t
t
D（关闭）
D（关闭）
t
f
- 纳秒
86
t
f
- 纳秒
360
T
J
= 125C
320
280
240
200
T
J
= 25C
300
250
82
78
90
85
80
75
70
65
20
30
40
50
60
70
80
90
- 纳秒
- 纳秒
200
150
I
C
= 90A
74
70
160
120
100
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
66
125
T
J
- 摄氏
I
C
- 安培
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXGQ90N27PB
图。 13. Resistiv e打开，关闭开关时间
V秒。栅极电阻
440
180
16
14
400
I
C
= 45A
160
V
CE
= 150V
I
C
= 45A
I
G
= 10毫安
图。 14.栅极电荷
t
12
D（关闭）
t
f
- 纳秒
360
140
320
I
C
= 90A
V
GE
- 伏特
10
8
6
4
2
- 纳秒
120
280
100
t
f
240
V
CE
= 200V
200
4
6
8
10
12
14
t
D（关闭）
- - - -
80
T
J
= 125°C ，V
GE
= 15V
60
16
18
20
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
R
G
- 欧姆
Q
G
- nanocoulombs
图。 15.冯ERSE偏置安全工作区
100
90
10,000
F = 1 MHz的
图。 16.电容
电容 - 皮法
80
70
IES
1,000
I
C
- 安培
60
50
40
30
T
J
= 150C
20
10
0
50
100
150
200
250
300
350
R
G
= 20
Ω
的dV / dt < 10V / ns的
OES
100
RES
10
0
5
10
15
20
25
30
35
40
V
CE
- 伏特
V
CE
- 伏特
图。 17.最大瞬态热阻
1.00
R
（日） JC
- C / W
0.10
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
脉冲W ID - 秒
2006 IXYS所有权利
查看更多IXGQ90N27PBPDF信息
推荐型号
IXGM20N80A
ILD205T
IRKLF132-08FL
IDT82V2052EPF
IRKNF132-04EL
IP7815AG-BSS2
IDT71V3577S85BQG
IA186EM_04
ICL7641BMSD
IDT74FCT645ADB
IKC03
IS61NF12832-10B
ISL9205AIRZ
IRF6100PBF
IDT54FCT2648ATE
IPB100P03P3L-04
IS24C16A-2PLI
IDT71T75802S150BG
IRF840LCSTRR
IRKUF82-04GK
供货商
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封装
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    深圳市壹芯创科技有限公司
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    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    IXGQ90N27PB
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
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联系人：李小姐
地址：深圳市福田区华强北振兴路101号华匀大厦2栋5楼508-510室 本公司可以开13%增值税发票 以及3%普通发票！！
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2016+
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只做进口原装现货！或订货假一赔十！
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2016+
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