IXGA20N120B3
IXGP20N120B3
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
g
fs
C
IES
C
OES
C
水库
Q
g
Q
ge
Q
gc
t
D（上）
t
ri
E
on
t
D（关闭）
t
fi
E
关闭
t
D（上）
t
ri
E
on
t
D（关闭）
t
fi
E
关闭
R
thJC
R
thCK
感性负载，T
J
= 125°C
°
I
C
= 16A ，V
GE
= 15V
V
CE
= 600V ，R
G
= 15Ω
注1
感性负载，T
J
= 25°C
°
I
C
= 16A ，V
GE
= 15V
V
CE
= 600V ，R
G
= 15Ω
注1
I
C
= 16A ，V
GE
= 15V, V
CE
= 0.5
V
CES
I
C
= 16A ，V
CE
= 10V ，注意2
V
CE
= 25V, V
GE
= 0V ， F = 1MHz的
特征值
分钟。
典型值。
马克斯。
7.5
12.5
1070
80
32
51
7.4
23
16
31
0.92
150
155
0.56
16
45
1.60
180
540
1.63
0.50
1.00
S
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
0.69
° C / W
° C / W
TO- 220 （ IXGP ）大纲
TO- 263 （ IXGA ）大纲
TO-220
注意事项：
1.
2.
切换时间可能会增加V
CE
（钳） > 0.5 V
CES
,
更高的温度
J
或加强研究
G
.
脉冲测试，T
≤
300μS ;占空比D
≤
2%.
引脚：
1 - GATE
2 - 漏极
初步技术信息
本文中所呈现的产品正在开发中。所提供的技术规格衍生
从过程的初步工程很多客观的刻画收集的数据;但也可能还
包含在预生产设计评价提供了一些信息。 IXYS保留权利
更改限制，试验条件和尺寸，恕不另行通知。
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT覆盖
4,835,592
通过以下一种或多项美国专利： 4850072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,381,025
5,486,715
6,162,665
6,259,123 B1
6,306,728 B1
6,404,065 B1
6,534,343
6,583,505
6,683,344
6,727,585
7,005,734 B2
6,710,405 B2 6,759,692
7,063,975 B2
6,710,463
6,771,478 B2 7,071,537
7,157,338B2
IXGA20N120B3
IXGP20N120B3
图。 7.跨导
16
T
J
= - 40C
14
12
25C
16
14
12
V
CE
= 600V
I
C
= 16A
I
G
= 10毫安
图。 8.栅极电荷
g
F小号
-
SIEMENS
8
6
4
2
0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
V
GE
- 伏特
10
125C
10
8
6
4
2
0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
I
C
- 安培
Q
G
- nanocoulombs
图。 9.电容
10,000
45
图。 10.反向偏置安全工作区
f
= 1MHz的
电容 - 皮法
资本投资者入境计划
1,000
40
35
30
I
C
- 安培
25
20
15
10
T
J
= 125C
R
G
= 15
的dV / dt < 10V / ns的
100
卓越中心
CRES
10
0
5
10
15
20
25
30
35
40
5
0
200
300
400
500
600
700
800
900 1000 1100 1200 1300
V
CE
- 伏特
V
CE
- 伏特
图。 11.最大瞬态热阻抗
1.00
Z
（日） JC
- C / W
0.10
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
脉冲宽度 - 秒
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS REF ： G_20N120B3 （ 4L ） 09年3月17日
QQ：2880707522 复制
