【HiPerFASTTMIGBT的B2级高速W /二极管IXGA16N60B2D1IXGP16N60B】,IC型号IXGP16N60B2D1,IXGP16N60B2D1 PDF资料,IXGP16N60B2D1经销商,ic,电子元器件-51电子网

HiPerFAST

IGBT的

B2级高速

W /二极管

IXGA16N60B2D1

IXGP16N60B2D1

IXGH16N60B2D1

CES

C110

CE （ SAT ）

≤

网络连接（典型值）

600V

16A

2.3V

70ns

TO- 263 AA （ IXGA ）

C（ TAB ）

符号

CES

CGR

GES

创业板

C25

C110

F110

SSOA

（ RBSOA ）

英镑

出售

重量

测试条件

= 25 ℃至150 ℃的

= 25° C到150° C，R

= 1MΩ

连续

短暂

= 25°C

= 110°C

= 25 ° C， 1毫秒

最大额定值

600

±20

±30

100

= 32

≤

CES

150

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

纳米/ lb.in 。

N /磅。

°C

TO- 220AB （ IXGP ）

C（ TAB ）

TO- 247 （ IXGH ）

= 15V ，T

= 125 ° C，R

= 22Ω

钳位感性负载

= 25°C

C（ TAB ）

G =门

E =发射器

特点

C =收藏家

TAB =收藏家

安装扭矩（ TO- 220 & TO- 247 ）

安装力（ TO- 263 ）

1.13/10

10..65 / 2.2..14.6

300

260

2.5

3.0

6.0

最大无铅焊接温度的

1.6毫米（ 0.062英寸）从案例10秒

TO-263

TO-220

TO-247

优化的低通和

开关损耗

广场RBSOA

反并联超快二极管

国际标准封装

优势

高功率密度

低栅极驱动要求

应用

符号

测试条件

= 25 ° C，除非另有规定编）

GE （日）

CES

GES

CE （ SAT ）

= 250μA ，V

= V

= 125°C

= 0V, V

±20V

= 12A ，V

= 15V ，注1

= 125°C

= V

CES

= 0V

特征值

分钟。

典型值。

马克斯。

3.0

5.5

μA

1毫安

±100

2.30

1.65

电源逆变器

UPS

电机驱动

SMPS

PFC电路

电池充电器

焊接机

灯镇流器

DS99178B(08/10)

IXGA16N60B2D1

符号

测试条件

= 25 ° C，除非另有规定编）

IES

OES

水库

G（ ON）的

D（上）

D（关闭）

关闭

D（上）

D（关闭）

关闭

thJC

thCK

感性负载，T

= 125°C

= 12A ，V

= 15V

= 400V ，R

= 22Ω

注2

感性负载，T

= 25°C

= 12A ，V

= 15V

= 400V ，R

= 22Ω

注2

= 12A ，V

= 15V, V

= 0.5

CES

= 12A ，V

= 10V ，注1

= 25V, V

= 0V ， F = 1MHz的

特征值

分钟。

典型值。

马克斯。

675

0.16

0.12

0.26

140

125

0.38

0.50

0.21

0.22兆焦耳

0.83

° C / W

IXGP16N60B2D1

IXGH16N60B2D1

TO-220

TO-247

反向二极管（ FRED ）

符号

测试条件

= 25 ° C，除非另有规定编）

thJC

= 10A ，V

= 0V ，说明1

= 125°C

特征值

分钟。

典型值。

马克斯。

3.0

1.7

2.5

110

2.5 ° C / W

= 12A ，V

= 0V,

- 二

/ DT = 100A / μs的，V

= 100V ，T

= 125°C

= 1A ，V

= 0V ， - 二

/ DT = 100A / μs的，V

= 30V

注意事项：

1.脉冲检验，t

≤

300μS ，占空比D

≤

2%.

2.切换时间&能量损失可能会增加更高的V

（钳），T

或R

IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。

IXYS MOSFET和IGBT覆盖

4,835,592

通过以下一种或多项美国专利： 4850072

4,881,106

4,931,844

5,017,508

5,034,796

5,049,961

5,063,307

5,187,117

5,237,481

5,381,025

5,486,715

6,162,665

6,259,123 B1

6,306,728 B1

6,404,065 B1

6,534,343

6,583,505

6,683,344

6,727,585

7,005,734 B2

6,710,405 B2 6,759,692

7,063,975 B2

6,710,463

6,771,478 B2 7,071,537

7,157,338B2

IXGA16N60B2D1

IXGP16N60B2D1

IXGH16N60B2D1

TO- 263 （ IXGA ）大纲

TO- 220 （ IXGP ）大纲

TO- 247 （ IXGH ） AD纲要

门

集热器

辐射源

集热器

底侧

DIM 。

毫米

分钟。

马克斯。

4.06

0.51

1.14

0.40

1.14

8.64

8.00

9.65

6.22

2.54

14.61

2.29

1.02

1.27

4.83

0.99

1.40

0.74

1.40

9.65

8.89

10.41

8.13

BSC

15.88

2.79

1.40

1.78

0.13

英寸

分钟。马克斯。

.160

.020

.045

.016

.045

.340

.280

.380

.270

.100

.575

.090

.040

.050

.190

.039

.055

.029

.055

.380

.320

.405

.320

BSC

.625

.110

.055

.070

.005

引脚：

1 - GATE

3极 - 发射极

2 - 集电极

1 - 门

2 =收藏家

3 =发射器

IXGA16N60B2D1

IXGP16N60B2D1

IXGH16N60B2D1

图。 1.输出特性@ T

= 25C

= 15V

13V

12V

100

11V

图。 2.扩展的输出特性@ T

= 25C

= 15V

- 安培

14V

13V

12V

11V

10V

安培

0.5

1.5

2.5

- 伏特

图。 3.输出特性@ T

= 125C

= 15V

13V

12V

1.4

11V

1.3

1.2

1.1

1.0

0.9

0.8

0.7

0.6

= 15V

图。 4.依赖的V

CE （ SAT ）

结温

- 安培

10V

CE （ SAT ）

- 归

= 24A

= 12A

0.5

1.5

2.5

= 6A

100

125

150

- 伏特

- 摄氏

图。 5.集电极 - 发射极电压 -

门极 - 发射极电压

5.0

4.5

4.0

= 25C

图。 6.输入导纳

安培

- 伏特

3.5

3.0

2.5

2.0

1.5

1.0

12A

= 24A

= - 40C

25C

125C

- 伏特

IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。

IXGA16N60B2D1

IXGP16N60B2D1

IXGH16N60B2D1

图。 7.跨导

= - 40C

= 300V

= 12A

= 10毫安

图。 8.栅极电荷

F小号

SIEMENS

25C

- 伏特

125C

- 安培

- nanocoulombs

图。 9.电容

10,000

图。 10.反向偏置安全工作区

= 1兆赫

电容 - 皮法

- 安培

1,000

资本投资者入境计划

= 125C

= 22

的dV / dt < 10V / ns的

100

卓越中心

CRES

100

150

200

250

300

350

400

450

500

550

600

650

- 伏特

图。 11.最大瞬态热阻抗

（日） JC

- C / W

0.1

0.01

0.00001

0.0001

0.001

0.01

0.1

脉冲宽度 - 秒

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