IGBT
Combi机包
初步数据表
V
CES
IXGA/IXGP12N100U1
IXGA/IXGP12N100AU1
1000 V
1000 V
I
C25
24 A
24 A
V
CE （ SAT ）
3.5 V
4.0 V
符号
V
CES
V
CGR
V
GES
V
创业板
I
C25
I
C90
I
CM
SSOA
（ RBSOA ）
P
C
T
J
T
JM
T
英镑
M
d
重量
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25 ℃至150 ℃;
GE
= 1兆瓦
连续
短暂
T
C
= 25°C
T
C
= 90°C
T
C
= 25 ° C， 1毫秒
V
GE
= 15 V ，T
VJ
= 125 ° C，R
G
= 150
W
钳位感性负载， L = 300
mH
T
C
= 25°C
最大额定值
1000
1000
±20
±30
24
12
48
I
CM
= 24
@ 0.8 V
CES
100
-55 ... +150
150
-55 ... +150
W
°C
°C
°C
V
V
V
V
A
A
A
TO-220AB(IXGP)
克碳
E
TO- 263 AA （ IXGA ）
G
A
E
C（ TAB ）
安装扭矩与M3螺丝
安装扭矩螺钉M3.5
0.45 / 4牛米/ lb.in 。
0.55 / 10牛米/ lb.in 。
4
300
g
°C
最大无铅焊接温度的
从案例10秒1.6毫米（ 0.062英寸）
特点
国际标准封装
JEDEC TO- 220AB和TO- 263AA
IGBT与反平行FRED在一
包
第二代HDMOS
TM
过程
低V
CE （ SAT ）
- 最低的通态传导
损失
MOS栅极导通
- 驱动器的简单
快速恢复外延二极管（ FRED ）
- 软恢复低我
RM
应用
交流电机调速
直流伺服和机器人的驱动器
直流斩波器
不间断电源（UPS ）
开关模式和谐振模式
电源
优势
易于使用一颗螺丝安装
节省空间（在一两个设备
包）
减少装配时间和成本
高功率密度
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
BV
CES
V
GE （日）
I
CES
I
C
= 3毫安， V
GE
= 0 V
I
C
= 250
毫安，
V
GE
= V
GE
V
CE
= 0.8, V
CES
V
GE
= 0 V
I
GES
V
CE （ SAT ）
V
CE
= 0 V, V
GE
=
±20
V
I
C
= I
CE90
, V
GE
= 15
12N100
12N100A
分钟。
1000
2.5
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
特征值
典型值。
马克斯。
V
5.5
300
3
±100
3.5
4.0
V
mA
mA
nA
V
V
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
95592A (3/97)
版权所有2000 IXYS所有权利。
1-4
IXGA12N100U1
IXGA12N100AU1
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
g
fs
Q
g
Q
ge
Q
gc
t
D（上）
t
ri
t
D（关闭）
t
fi
E
关闭
t
D（上）
t
ri
E
on
t
D（关闭）
t
fi
E
关闭
R
thJC
R
thCK
0.25
感性负载，T
J
= 25°C
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V ， L = 300
mH
V
CE
= 800 V ，R
G
= R
关闭
= 120
W
备注：开关时间可能
增加V
CE
（钳） ＆ GT ; 0.8 V
CES
,
更高的温度
J
或加强研究
G
感性负载，T
J
= 125°C
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V ， L = 300
mH
V
CE
= 800 V ，R
G
= R
关闭
= 120
W
备注：开关时间可能
增加V
CE
（钳） ＆ GT ; 0.8 V
CES
,
更高的温度
J
或加强研究
G
12N100A
12N100A
12N100
12N100A
I
C
= I
C90
; V
CE
= 10 V,
脉冲测试，T
300
女士，
占空比
2 %
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V, V
CE
= 0.5 V
CES
特征值
分钟。典型值。马克斯。
6
10
S
IXGP12N100U1
IXGP12N100AU1
TO- 220 AB （ IXGP ）大纲
65
8
24
100
200
850
500
90
20
45
nC
nC
nC
ns
ns
1000
700
ns
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
ns
ns
ns
mJ
mJ
DIM 。
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
M
N
Q
R
毫米
分钟。马克斯。
12.70 13.97
14.73 16.00
9.91 10.66
3.54
4.08
5.85
6.85
2.54
3.18
1.15
1.65
2.79
5.84
0.64
1.01
2.54 BSC
4.32
4.82
1.14
1.39
0.35
0.56
2.29
2.79
英寸
分钟。马克斯。
0.500 0.550
0.580 0.630
0.390 0.420
0.139 0.161
0.230 0.270
0.100 0.125
0.045 0.065
0.110 0.230
0.025 0.040
0.100 BSC
0.170 0.190
0.045 0.055
0.014 0.022
0.090 0.110
800 1000
4
6
100
200
1.1
900
950
12N100
1250
12N100A
8
12N100
10
1.25
K / W
K / W
TO- 263 AA （ IXGA ）大纲
反向二极管（ FRED ）
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
符号
测试条件
V
F
I
F
= 8A ，V
GE
= 0 V,
脉冲测试，T
300
女士，
占空比
2 %
I
RM
t
rr
I
F
I
F
R
thJC
= I
C90
, V
GE
= 0 V ， - 二
F
/ DT = 100 A / MS
= 1 A， -di / DT = 50 A / MS ，V
R
= 30 V T，
J
= 25°C
6.5
140
50
60
2.5
A
ns
ns
K / W
特征值
分钟。
典型值。
马克斯。
2.75
V
V
R
= 100 V，T
J
= 125°C
DIM 。
A
A1
毫米
分钟。
马克斯。
4.06
2.03
0.51
1.14
0.46
1.14
8.64
7.11
9.65
6.86
2.54
14.61
2.29
1.02
1.27
0
0.46
4.83
2.79
0.99
1.40
0.74
1.40
9.65
8.13
10.29
8.13
BSC
15.88
2.79
1.40
1.78
0.38
0.74
英寸
分钟。马克斯。
.160
.080
.020
.045
.018
.045
.340
.280
.380
.270
.100
.575
.090
.040
.050
0
.018
.190
.110
.039
.055
.029
.055
.380
.320
.405
.320
BSC
.625
.110
.055
.070
.015
.029
分钟。推荐足迹
b
b2
c
c2
D
D1
E
E1
e
L
L1
L2
L3
L4
R
版权所有2000 IXYS所有权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利：
4,835,592
4,881,106
5,017,508
5,049,961
5,187,117
5,486,715
4,850,072
4,931,844
5,034,796
5,063,307
5,237,481
5,381,025
2-4
QQ：2881677436 复制
