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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符I型号页 > 首字符I的型号第502页 > IXGK28N140B3H1
GenX3
TM
1400V
IGBT的W /二极管
额定雪崩
IXGH28N140B3H1
IXGX28N140B3H1
IXGK28N140B3H1
V
CES
= 1400V
I
C110
= 28A
V
CE ( SAT )
3.60V
TO- 247 ( IXGH )
G
C
E
TAB
符号
V
CES
V
CGR
V
GES
V
创业板
I
C25
I
C110
I
F110
I
CM
I
A
E
AS
SSOA
( RBSOA )
P
C
T
J
T
JM
T
英镑
T
L
T
出售
M
d
F
C
重量
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25° C到150° C,R
GE
= 1MΩ
连续
短暂
T
C
T
C
T
C
T
C
= 25°C
= 110°C
= 110°C
= 25 ° C, 1毫秒
最大额定值
1400
1400
±20
±30
60
28
15
150
28
360
I
CM
= 120
@ V
CES
& LT ; V
CE
300
-55 ... +150
150
-55 ... +150
V
V
V
V
A
A
A
A
A
mJ
A
W
°C
°C
°C
°C
°C
纳米/ lb.in 。
N /磅。
g
g
G =门
C =收藏家
特点
优化的低通和
开关损耗
广场RBSOA
额定雪崩
反并联超快二极管
高电流处理能力
优势
高功率密度
低栅极驱动要求
应用
V
电源逆变器
UPS
电机驱动
SMPS
PFC电路
电池充电器
焊接机
E
- 发射极
TAB =收藏家
G
C
PLUS247 ( IXGX )
E
TAB
TO- 264 ( IXGK )
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
V
GE
= 15V ,T
VJ
= 125 ° C,R
G
= 5Ω
钳位感性负载
T
C
= 25°C
G
C
E
TAB
最大无铅焊接温度的
从案例10 1.6毫米( 0.062英寸)
安装扭矩( IXGH & IXGK )
安装力( IXGX )
的TO- 247 & PLUS247
TO-264
300
260
1.13/10
20..120/4.5..27
6
10
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C,除非另有规定编)
V
GE (日)
I
CES
I
GES
V
CE ( SAT )
I
C
= 250μA ,V
CE
= V
GE
注2 ,T
J
= 125°C
V
CE
= 0V, V
GE
= ±20V
I
C
= I
C110
, V
GE
= 15V ,注1
T
J
= 125°C
V
CE
= V
CES
, V
GE
= 0V
特征值
分钟。
典型值。
马克斯。
3.0
5.0
50
μA
1毫安
±100 nA的
3.00
3.05
3.60
V
2010 IXYS公司,版权所有
DS99736A(11/10)
IXGH28N140B3H1 IXGK28N140B3H1
IXGX28N140B3H1
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C,除非另有规定编)
g
fs
C
IES
C
OES
C
水库
Q
G( ON)的
Q
ge
Q
gc
t
D(上)
t
ri
E
on
t
D(关闭)
t
fi
E
关闭
t
D(上)
t
ri
E
on
t
D(关闭)
t
fi
E
关闭
R
thJC
R
乡镇卫生院
0.21
0.15
感性负载,T
J
= 125°C
I
C
= I
C110
, V
GE
= 15V
V
CE
= 960V ,R
G
= 5Ω
注3
感性负载,T
J
= 25°C
I
C
= I
C110
, V
GE
= 15V
V
CE
= 960V ,R
G
= 5Ω
注3
I
C
= I
C110
, V
GE
= 15V, V
CE
= 0.5 V
CES
V
CE
= 25V, V
GE
= 0V中,f = 1 MHz的
I
C
= I
C110
, V
CE
= 10V ,注1
特征值
分钟。
典型值。
马克斯。
12
19
1830
163
46
88
12
38
16
36
3.6
190
360
3.9
16
50
7.3
215
700
6.5
6.5
400
S
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
mJ
ns
ns
J
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
0.42 ° C / W
° C / W
° C / W
反向二极管( FRED )
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C,除非另有规定编)
V
F
t
rr
I
RM
R
thJC
I
F
= 20A ,V
GE
= 0V ,说明1
T
J
= 150°C
特征值
分钟。
典型值。
马克斯。
3.0
2.65
350
18.5
V
V
ns
A
0.90 ° C / W
I
F
= 20A ,V
GE
= 0V , - 二
F
/ DT = -200A / μs的,
V
R
= 1200V ,T
J
= 125°C
注意事项:
1.脉冲检验,t
300μS ,占空比D
2%.
2.部分必须heatsunk的高温冰块测量。
3.开关时间&能量损失可能会增加对较高的V
CE
(钳) ,T
J
或R
G
.
IXYS保留更改限制,试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT覆盖
4,835,592
通过以下一种或多项美国专利: 4850072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,381,025
5,486,715
6,162,665
6,259,123 B1
6,306,728 B1
6,404,065 B1
6,534,343
6,583,505
6,683,344
6,727,585
7,005,734 B2
6,710,405 B2 6,759,692
7,063,975 B2
6,710,463
6,771,478 B2 7,071,537
7,157,338B2
IXGH28N140B3H1 IXGK28N140B3H1
IXGX28N140B3H1
的TO- 247概要
DIM 。
毫米
分钟。马克斯。
A
4.7
5.3
A
1
2.2
2.54
A
2
2.2
2.6
b
1.0
1.4
1.65
2.13
b
1
b
2
2.87
3.12
C
.4
.8
D
20.80 21.46
E
15.75 16.26
e
5.20
5.72
L
19.81 20.32
L1
4.50
P
3.55
3.65
Q
5.89
6.40
R
4.32
5.49
S
6.15 BSC
英寸
分钟。马克斯。
.185 .209
.087 .102
.059 .098
.040 .055
.065 .084
.113 .123
.016 .031
.819 .845
.610 .640
0.205 0.225
.780 .800
.177
.140 .144
0.232 0.252
.170 .216
242 BSC
1
2
3
P
e
端子: 1 - 门
3 - 发射的
2 - 集电极
PLUS247大纲
DIM 。
A
A
1
A
2
b
b
1
b
2
C
D
E
e
L
L1
Q
R
毫米
分钟。马克斯。
4.83
2.29
1.91
1.14
1.91
2.92
5.21
2.54
2.16
1.40
2.13
3.12
英寸
分钟。马克斯。
.190
.090
.075
.045
.075
.115
.205
.100
.085
.055
.084
.123
终端:
1 - GATE
2 - 集电极
3极 - 发射极
0.61
0.80
20.80 21.34
15.75 16.13
5.45 BSC
19.81 20.32
3.81
4.32
5.59
6.20
4.32
4.83
.024 .031
.819 .840
.620 .635
0.215 BSC
.780 .800
.150 .170
.220 0.244
.170 .190
TO- 264 AA大纲
DIM 。
A
A1
A2
b
b1
b2
c
D
E
e
J
K
L
L1
P
Q
Q1
R
R1
S
T
毫米
分钟。
马克斯。
4.82
5.13
2.54
2.89
2.00
2.10
1.12
1.42
2.39
2.69
2.90
3.09
0.53
0.83
25.91 26.16
19.81 19.96
5.46 BSC
0.00
0.25
0.00
0.25
20.32 20.83
2.29
2.59
3.17
3.66
6.07
6.27
8.38
8.69
3.81
4.32
1.78
2.29
6.04
6.30
1.57
1.83
英寸
分钟。
马克斯。
.190
.202
.100
.114
.079
.083
.044
.056
.094
.106
.114
.122
.021
.033
1.020
1.030
.780
.786
0.215 BSC
.000
.010
.000
.010
.800
.820
.090
.102
.125
.144
.239
.247
.330
.342
.150
.170
.070
.090
.238
.248
.062
.072
背面
终端:
1 - 门
2,4 =收藏家
3 =发射器
2010 IXYS公司,版权所有
IXGH28N140B3H1 IXGK28N140B3H1
IXGX28N140B3H1
图。 1.输出特性@ T
J
= 25C
60
V
GE
= 15V
13V
11V
9V
200
180
160
140
V
GE
= 15V
13V
图。 2.扩展的输出特性@ T
J
= 25C
50
I
C
-
安培
I
C
- 安培
40
11V
120
100
9V
80
60
40
7V
30
7V
20
10
5V
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
20
0
0
5
10
15
5V
20
25
V
CE
- 伏特
V
CE
- 伏特
图。 3.输出特性@ T
J
= 125C
60
V
GE
= 15V
13V
11V
9V
1.6
V
GE
= 15V
1.4
图。 4.依赖的V
CE ( SAT )
on
结温
50
I
C
= 56A
I
C
- 安培
40
V
CE ( SAT )
- 归
1.2
I
1.0
C
30
7V
= 28A
20
10
5V
0.8
I
0.6
C
= 14A
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
5.5
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
V
CE
- 伏特
T
J
- 摄氏
图。 5.集电极 - 发射极电压
与门极 - 发射极电压
8
T
J
= 25C
120
图。 6.输入导纳
T
J
= - 40C
25C
125C
7
I
= 56A
28A
14A
100
5
I
C
-
安培
10
11
12
13
14
15
6
C
80
V
CE
- 伏特
60
4
40
3
20
2
5
6
7
8
9
0
3
4
5
6
7
8
9
10
11
V
GE
- 伏特
V
GE
- 伏特
IXYS保留更改限制,试验条件和尺寸的权利。
IXGH28N140B3H1 IXGK28N140B3H1
IXGX28N140B3H1
图。 7.跨导
28
24
20
16
14
12
V
CE
= 600V
I
C
= 28A
I
G
= 10毫安
图。 8.栅极电荷
g
F小号
-
SIEMENS
16
12
8
4
0
0
20
T
J
= - 40C
25C
125C
V
GE
- 伏特
10
8
6
4
2
0
40
60
80
100
120
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
I
C
- 安培
Q
G
- nanocoulombs
图。 9.电容
10,000
F = 1 MHz的
120
140
图。 10.反向偏置安全工作区
电容 - 皮法
I
C
- 安培
1,000
资本投资者入境计划
100
80
60
40
20
0
200
卓越中心
100
T
J
= 125C
R
G
= 5
的dV / dt < 10V / ns的
CRES
10
0
5
10
15
20
25
30
35
40
400
600
800
1000
1200
1400
V
CE
- 伏特
V
CE
- 伏特
图。 11.最大瞬态热阻抗
1
Z
(日) JC
- C / W
0.1
0.01
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
脉冲宽度 - 秒
2010 IXYS公司,版权所有
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数量
封装
单价/备注
操作
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    IXGK28N140B3H1
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2394092314 复制 点击这里给我发消息 QQ:792179102 复制 点击这里给我发消息 QQ:841523240 复制

电话:021-62153656青岛0532-82001686军工专家真诚为您服务
联系人:李小姐/郭先生/钱先生-本公司可开具13%增值税发票
地址:上海公司:上海市静安区海宁路1399号金城大厦 北京公司:海淀区中关村大街 32 号蓝天科技综合楼 青岛公司:城阳区正阳路205号海都国际A座805
IXGK28N140B3H1
IXYS
25+热销
8000新到货
管3PL
【优势库存】专业代理全新现货特价热卖
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电话:15821228847 // 13764057178 // 15026993318
联系人:销售部
地址:门市:上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
IXGK28N140B3H1
专营IXYS
2024
41150
TO-264
原装现货上海库存,欢迎查询
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电话:0755-83286481李先生/0755-83272821朱小姐
联系人:李先生
地址:深圳市龙岗区坂田街道东坡路3号万致天地商业中心(A塔)1栋一单元1602
IXGK28N140B3H1
IXYS
1711
25
原装
优势库存,实单来谈
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2581021098 复制

电话:0755-22929859
联系人:朱先生
地址:深圳福田区振兴路华康大厦211
IXGK28N140B3H1
IXYS
2025+
26820
TO-264-3
【原装优势★★★绝对有货】
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2885393495 复制

电话:0755-82865294/82517859
联系人:吴小姐
地址:深圳市福田区深南中路电子科技大厦A座36楼C09室
IXGK28N140B3H1
IXYS/艾赛斯
24+
1960
MODULE
假一罚十,原装进口正品现货供应,只做原装
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电话:0755-83223003
联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
IXGK28N140B3H1
IXYS
24+
18650
TO-264
全新原装现货,原厂代理。
QQ: 点击这里给我发消息

电话:18926544209/18025435189
联系人:夏小姐/朱先生
地址:深圳市福田区华强北街道福强社区振华路89号恒邦时代大厦1栋1514
IXGK28N140B3H1
IXYS/艾赛斯
24+
32000
TO-3PL
百分百原装现货,价格优势,欢迎查询!
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1139848500 复制

电话:0755-83798683
联系人:许先生
地址:深圳市前海深港合作区前湾一路 1 号 A 栋 201 室
IXGK28N140B3H1
IXYS/艾赛斯
23+
59580
TO-264U
原装正品 华强现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881290686 复制

电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
IXGK28N140B3H1
IXYS/艾赛斯
22+
32570
TO-264
全新原装正品/质量有保证
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881147140 复制

电话:0755-89697985
联系人:李
地址:深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
IXGK28N140B3H1
IXYS
24+
10000
TO-264(IXGK)
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