IXGT40N60C2D1 IXGJ40N60C2D1
IXGH40N60C2D1
符号测试条件
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
g
fs
I
C
= 30A ，V
CE
= 10V ，注1
V
CE
= 25V, V
GE
= 0V ， F = 1MHz的
特征值
分钟。
典型值。
马克斯。
20
36
2500
220
54
95
14
36
18
20
90
32
0.20
18
20
0.60
130
80
0.50
0.25
140
0.37
S
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
0.42 ° C / W
° C / W
e
的TO- 247概要
C
IES
C
OES
C
水库
Q
g
Q
ge
Q
gc
t
D（上）
t
ri
t
D（关闭）
t
fi
E
关闭
t
D（上）
t
ri
E
on
t
D（关闭）
t
fi
E
关闭
R
thJC
R
乡镇卫生院
1
2
3
P
I
C
= 30A ，V
GE
= 15V, V
CE
= 0.5 V
CES
感性负载，T
J
= 25°C
I
C
= 30A ，V
GE
= 15V
V
CE
= 400V ，R
G
= 3
Ω
注2
电感
负载，T
J
= 125°C
I
C
= 30A ，V
GE
= 15V
V
CE
= 400V ，R
G
= 3
Ω
注2
的TO- 247 & TO- 268
反向二极管（ FRED ）
符号测试条件
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
V
F
I
RM
t
rr
R
thJC
注意事项：
I
F
= 30A ，V
GE
= 0V ，说明1
特征值
MIN 。 TYP 。
马克斯。
2.5
T
J
= 150°C
1.6
4
100
25
V
V
A
ns
ns
1 =门2 =收藏家
3 =发射器
DIM 。
毫米
英寸
分钟。马克斯。
分钟。马克斯。
A
4.7
5.3
.185 .209
2.2
2.54
.087 .102
A
1
2.2
2.6
.059 .098
A
2
b
1.0
1.4
.040 .055
1.65
2.13
.065 .084
b
1
b
2
2.87
3.12
.113 .123
C
.4
.8
.016 .031
D
20.80 21.46
.819 .845
E
15.75 16.26
.610 .640
e
5.20
5.72 0.205 0.225
L
19.81 20.32
.780 .800
L1
4.50
.177
P
3.55
3.65
.140 .144
Q
5.89
6.40 0.232 0.252
R
4.32
5.49
.170 .216
S
6.15 BSC
242 BSC
TO- 268引线大纲
T
J
= 100°C
I
F
= 30A ，V
GE
= 0V ， - 二
F
/ DT = 100A / μs的，
V
R
= 100V
T
J
= 100°C
I
F
= 1A ，V
GE
= 0V ， - 二
F
/ DT = 100A / μs的，V
R
= 30V
0.9 ° C / W
1.脉冲检验，t
≤
300μS ，占空比D
≤
2%.
2.切换时间&能量损失可能会增加更高的V
CE
（钳） ，T
J
或R
G
.
TO- 268外形
1 = 2,4门=收藏家
3 =发射器
1 = 2,4门=收藏家
3 =发射器
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT覆盖
4,835,592
通过以下一种或多项美国专利： 4850072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,381,025
5,486,715
6,162,665
6,259,123 B1
6,306,728 B1
6,404,065 B1
6,534,343
6,583,505
6,683,344
6,727,585
7,005,734 B2
6,710,405 B2 6,759,692
7,063,975 B2
6,710,463
6,771,478 B2 7,071,537
7,157,338B2
IXGT40N60C2D1 IXGJ40N60C2D1
IXGH40N60C2D1
图。 1.输出特性
@ 25度。
60
V
摹ê
= 15V
13V
11V
9V
1
80
1
50
21
0
V
摹ê
= 15V
13V
11V
9V
图。 2.扩展的输出特性
@ 25度。
50
40
I
C
- 安培
7V
30
I
C
- 安培
1
20
90
20
1
0
7V
60
30
5V
0
0.5
1
1
.5
2
2.5
3
3.5
5V
0
0
1
2
3
4
5
6
7
V
权证
- 伏特
V
权证
- 伏特
图。 3.输出特性
@ 125度。
60
V
摹ê
= 15V
13V
11V
9V
1
.2
1
.3
图。 V 4.温度依赖性
CE （ SAT ）
V
权证（SAT）
- 归
50
40
I
C
= 60A
V
摹ê
= 15V
1
.1
1
0.9
0.8
0.7
0.6
I
C
- 安培
7V
30
I
C
= 30A
20
1
0
5V
I
C
= 15A
0
0.5
1
1
.5
2
2.5
3
25
50
75
1
00
1
25
1
50
V
CE
- 伏特
T
J
- 摄氏
图。 5.集电极 - 发射极电压
与门极 - 发射极电压
4
T
J
= 25
C
3.5
3
21
0
1
80
1
50
1
20
90
60
30
0
5
6
7
8
9
1
0
1
1
1
2
1
3
1
4
1
5
4
图。 6.输入导纳
2.5
I
C
= 60A
2
30A
1
.5
15A
1
I
C
- 安培
V
权证
- 伏特
T
J
= 125
C
25
C
-40
C
5
6
7
8
9
1
0
V
摹ê
- 伏特
V
摹ê
- 伏特
2010 IXYS公司，版权所有
IXGT40N60C2D1 IXGJ40N60C2D1
IXGH40N60C2D1
图。 7.跨导
70
60
50
40
30
20
1
0
0
0
30
60
90
1
20
1
50
1
80
T
J
= -40
C
25
C
125
C
图。 8.依赖的E
关闭
R上
G
1
.8
1
.6
1
.4
T
J
= 125
C
V
摹ê
= 15V
V
权证
= 400V
I
C
= 60A
E
关闭
- 毫焦耳
g
F小号
- 西门子
1
.2
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
2
I
C
= 45A
I
C
= 30A
I
C
= 15A
4
6
8
1
0
1
2
1
4
1
6
I
C
- 安培
R
G
- 欧姆
图。 9.依赖的E
关闭
关于我
C
1
.6
1
.4
R
G
= 3欧姆
R
G
= 10欧姆
- - - - -
V
摹ê
= 15V
V
权证
= 400V
1
.6
1
.4
1
.2
图。 10.依赖的E
关闭
对T emperature
R
G
= 3欧姆
R
G
= 10欧姆
- - - - -
V
摹ê
= 15V
V
权证
= 400V
I
C
= 60A
E
关闭
- 毫焦耳
1
.2
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
1
0
E
关闭
- 毫焦耳
1
0.8
0.6
0.4
I
C
= 30A
I
C
= 15A
0
I
C
= 45A
T
J
= 125
C
T
J
= 25
C
20
30
40
50
60
0.2
25
50
75
1
00
1
25
I
C
- 安培
T
J
- 摄氏
图。 11.栅极电荷
1
5
V
权证
= 300V
I
C
= 30A
I
G
= 10毫安
1
0000
图。 12.电容
F = 100万赫兹
电容 - P F
1
2
IES
1
000
V
摹ê
- 伏特
9
6
OES
1
00
3
RES
0
0
20
40
60
80
1
00
1
0
0
5
1
0
1
5
20
25
30
35
40
Q
G
- nanocoulombs
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
V
权证
- 伏特
IXGT40N60C2D1 IXGJ40N60C2D1
IXGH40N60C2D1
图。 13.最大瞬态热阻抗
1
.00
Z
（ TH） J·C
- （ C / W）
0.1
0
0.01
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
1
0
脉冲宽度 - 秒
2010 IXYS公司，版权所有
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