【高级技术数据高压IGBTIXGH 6N170AIXGT 6N170AVCESIC25VCE （ SA】,IC型号IXGH6N170A,IXGH6N170A PDF资料,IXGH6N170A经销商,ic,电子元器件-51电子网

高级技术数据

高压

IGBT

IXGH 6N170A

IXGT 6N170A

CES

C25

CE （ SAT ）

网络连接（典型值）

= 1700 V

= 7.0 V

32纳秒

符号

CES

CGR

GES

创业板

C25

C90

SSOA

（ RBSOA ）

英镑

测试条件

= 25 ℃至150 ℃的

= 25 ℃至150 ℃;

= 1 M

连续

短暂

= 25°C

= 90°C

= 25 ° C， 1毫秒

= 15 V ，T

= 125 ° C，R

= 33

钳位感性负载

= 125°C ，V

= 1200 V; V

= 15 V ，R

= 33

= 25°C

最大额定值

1700

±20

±30

= 12

@ 0.8 V

CES

-55 ... +150

150

-55 ... +150

TO- 268 （ IXGT ）

C（ TAB ）

AD TO- 247 （ IXGH ）

C（ TAB ）

C =收藏家，

TAB =收藏家

°C

G =门，

E =发射器，

安装扭矩（ M3 ）

(TO-247)

1.13/10Nm/lb.in.

300

°C

最大无铅焊接温度的

从案例10秒1.6毫米（ 0.062英寸）

重量

TO-247

TO-268

特点

国际标准封装

JEDEC TO- 268和

JEDEC TO- 247 AD

高电流处理能力

MOS栅极导通

- 驱动器的简单

坚固的结构不扩散核武器条约

成型环氧符合UL 94 V- 0

易燃性分类科幻阳离子

应用

电容放电&脉冲发生器电路

交流电机调速

直流伺服和机器人的驱动器

直流斩波器

不间断电源（ UPS ）

开关模式和谐振模

电源

符号

测试条件

特征值

= 25 ° C，除非另有规定编）

分钟。典型值。马克斯。

1700

3.0

注1

= 25°C

= 125°C

CES

GE （日）

CES

GES

CE （ SAT ）

= 250

= 0 V

= 250

= V

5.0

500

±100

= 0.8 V

CES

= 0 V

= 0 V, V

±20

= I

C90

, V

= 15 V

= 25°C

= 125°C

5.5

6.5

7.0

优势

高功率密度

适于表面安装

易与1个螺丝安装，

（隔绝安装螺纹孔）

DS98990A(01/03)

IXGH 6N170A

IXGT 6N170A

符号

测试条件

特征值

= 25 ° C，除非另有规定编）

分钟。典型值。马克斯。

3.5

330

= 25 V, V

= 0 V ， F = 1兆赫

= I

C90

, V

= 15 V, V

= 0.5 V

CES

3.6

感性负载，T

= 25°C

= I

C25

, V

= 15 V

= 33

= 0.5 V

CES

220

0.19

感性负载，T

= 125°C

= I

C25

, V

= 15 V

= 33

= 0.5 V

CES

0.7

230

0.26

450

DIM 。

的TO- 247的AD概要

IES

OES

水库

D（上）

D（关闭）

关闭

D（上）

D（关闭）

关闭

thJC

thCK

= I

C25

; V

= 20 V

注2

0.40兆焦耳

毫米

分钟。

马克斯。

4.7

5.3

2.2

2.54

2.2

2.6

1.0

1.4

1.65

2.13

2.87

3.12

20.80 21.46

15.75 16.26

5.20

5.72

19.81 20.32

4.50

3.55

3.65

5.89

6.40

4.32

5.49

6.15 BSC

英寸

分钟。马克斯。

.185 .209

.087 .102

.059 .098

.040 .055

.065 .084

.113 .123

.016 .031

.819 .845

.610 .640

0.205 0.225

.780 .800

.177

.140 .144

0.232 0.252

.170 .216

242 BSC

TO- 268外形

(TO-247)

0.25

1.65 K / W

K / W

注：1 。

设备必须heatsunk高温漏电流

测量，以避免热失控。

脉冲测试，T

≤

300

占空比

≤

2 %

DIM 。

毫米

分钟。

马克斯。

4.9

5.1

2.7

2.9

.02

.25

1.15

1.45

1.9

2.1

.65

13.80 14.00

15.85 16.05

13.3

13.6

5.45 BSC

18.70 19.10

2.40

2.70

1.20

1.40

1.00

1.15

0.25 BSC

3.80

4.10

英寸

分钟。马克斯。

.193 .201

.106 .114

.001 .010

.045 .057

.75

.83

.016 .026

.543 .551

.624 .632

.524 .535

0.215 BSC

.736 .752

.094 .106

.047 .055

.039 .045

0.010 BSC

.150 .161

IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。

IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利：

4,835,592

4,850,072

4,881,106

4,931,844

5,017,508

5,034,796

5,049,961

5,063,307

5,187,117

5,237,481

5,486,715

5,381,025

6,306,728B1

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IXYS/艾赛斯

2404+

3300

TO-247AD

现货正品原装，假一赔十

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IXYS

1327

21+

原包装原标现货，假一罚十，

0.1

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1800

TO-247

全新原装正品/质量有保证

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IXGH6N170A

IXYS

19+

355

标准封装

一级授权代理IGBT模块可控硅模块二极管晶闸管熔断器保证全新原装正品

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电话：0755-83361530

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地址：深圳褔田区华强北上步工业区201栋303A

IXGH6N170A

IXYS/Littelfuse

23+

450

TO-247

450￥/片,7-10天交期

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IXGH6N170A

IXYS

25+

32560

TO-247

【原装优势★★★绝对有货】

深圳市巨盛邦电子有限公司

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电话：19129493510

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IXGH6N170A

IXYS

22+

1532

TO-247

原装正品

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IXYS/Littelfuse

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IXGH6N170A

IXYS

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