HiPerFAST
TM
IGBT具有快速
二极管
IXGH 50N90B2D1
IXGK 50N90B2D1
IXGX 50N90B2D1
B2级高速IGBT
与快速二极管
初步数据表
符号
V
CES
V
CGR
V
GES
V
创业板
I
C25
I
C110
I
CM
SSOA
（ RBSOA ）
P
C
T
J
T
JM
T
英镑
最大无铅焊接温度的
从案例10秒1.6毫米（ 0.062英寸）
M
d
F
C
重量
安装力矩（ TO- 247 ， TO- 264 ）
安装力（ PLUS247 ）
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25 ℃至150 ℃;
GE
= 1 MΩ
连续
短暂
T
C
= 25°C （受引线）
T
C
= 110°C
T
C
= 25 ° C， 1毫秒
V
GE
= 15 V ，T
VJ
= 125 ° C，R
G
= 10
Ω
钳位感性负载@
≤
600V
T
C
= 25°C
最大额定值
900
900
±
20
±
30
75
50
200
I
CM
= 100
400
-55 ... +150
150
-55 ... +150
300
V
V
V
V
A
A
A
A
V
CES
I
C25
V
CE （ SAT ）
t
fi
典型值
= 900 V
= 75 A
= 2.7 V
= 200纳秒
TO- 247 （ IXGH ）
C（ TAB ）
G
C
E
PLUS247 （ IXGX ）
C（ TAB ）
W
°C
°C
°C
°C
G
D
G
C
E
TO- 264 （ IXGK ）
1.13/10Nm/lb.in.
20..120 / 4.5..25
TO-247
TO-264
PLUS247
6
10
6
N /磅
g
g
g
S
C（ TAB ）
C =收藏家
TAB =收藏家
G =门
E =发射器
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
V
GE （日）
I
CES
I
GES
V
CE （ SAT ）
I
C
= 250
μA,
V
CE
= V
GE
V
CE
= V
CES
V
GE
= 0 V
V
CE
= 0 V, V
GE
=
±
20 V
I
C
= I
C110
, V
GE
= 15 V ，注1
T
J
= 150°C
特征值
分钟。典型值。马克斯。
3.0
5.0
50
1
±
100
2.2
T
J
= 125°C
2.7
V
μA
mA
nA
V
V
特点
高频IGBT
高电流处理能力
MOS栅极导通
- 驱动器的简单
应用
PFC电路
不间断电源（ UPS ）
开关模式和谐振模
电源
交流电机调速
直流伺服和机器人的驱动器
直流斩波器
优势
高功率密度
非常快的开关速度高
频率的应用
DS99393(01/06)
2006 IXYS所有权利
IXGH 50N90B2D1 IXGK 50N90B2D1
IXGX 50N90B2D1
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
g
fs
C
IES
C
OES
C
水库
Q
g
Q
ge
Q
gc
t
D（上）
t
ri
t
D（关闭）
t
fi
E
关闭
t
D（上）
t
ri
E
on
t
D（关闭）
t
fi
E
关闭
R
thJC
R
thCH
0.21
感性负载，T
J
= 125°C
°
I
C
= I
C110
, V
GE
= 15 V
V
CE
= 720 V ，R
G
= R
关闭
= 5
Ω
感性负载
I
C
= I
C110
, V
GE
= 15 V
V
CE
= 720 V ，R
G
= R
关闭
= 5
Ω
I
C
= I
C110
, V
GE
= 15 V, V
CE
= 0.5 V
CES
V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V ， F = 1兆赫
I
C
= I
C110
; V
CE
= 10 V ，注1
特征值
分钟。典型值。马克斯。
25
40
2500
205
75
135
23
50
20
28
350
200
4.7
20
28
1.5
400
420
8.7
500
S
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
7.5兆焦耳
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
0.31 K / W
K / W
二极管
符号
I
F25
条件
T
C
= 115°C
最大额定值
30
A
符号
条件
(T
J
= 25 ° C除非另有说明
)
V
F
I
RM
t
rr
R
thJC
R
thCH
I
F
= 30 A;注1
T
VJ
= 150°C
特征值
分钟。
典型值。马克斯。
2.5
1.8
5.5
200
0.25
2.75
11.5
V
V
A
ns
I
F
= 10 A;迪
F
/ DT = -100 A / μs的;牛逼
VJ
= 100°C
V
R
= 100 V; V
GE
= 0 V
传热贴
0.9 K / W
K / W
注1 ：
脉冲测试，T
≤
300
μs,
占空比
≤
2 %
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖
下面的一个美国专利或多个：
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,381,025
5,486,715
6,162,665
6,259,123 B1
6,306,728 B1
6,404,065 B1
6,534,343
6,583,505
6,683,344
6,710,405B2
6,710,463
6,727,585
6,759,692
6771478 B2
IXGH 50N90B2D1 IXGK 50N90B2D1
IXGX 50N90B2D1
图。 1.输出特性
@ 25
C
100
90
80
70
V
GE
=15V
13V
11V
9V
250
图。 2.扩展的输出特性
@ 25
C
300
V
GE
= 15V
1
3V
I
C
- 安培
60
50
40
30
20
10
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5V
7V
I
C
- 安培
200
11V
150
9V
100
7V
50
5V
0
3
6
9
12
15
0
V
权证
- 伏特
图。 3.输出特性
@ 125
C
100
90
80
V
GE
= 15V
13V
11V
9V
1.3
V
GE
= 15V
1.2
V
权证
- 伏特
图。 4.依赖的V
CE （ SAT ）
on
tem温度
I
C
= 100A
I
C
- 安培
70
60
50
40
30
20
10
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
V
权证（SAT）
- 归
1.1
1.0
I
C
= 50A
0.9
7V
0.8
5V
0.7
3.5
4
4.5
-50
-25
0
25
50
75
I
C
= 25A
100
125
150
V
CE
- 伏特
图。 5.收集到EM伊特尔电压
与门到EM伊特尔电压
6.5
6.0
5.5
50A
25A
T
J
= 25
C
I
C
= 100A
250
225
200
T
J
- 摄氏
图。 6.输入上将ittance
T
J
= -40
C
25
C
125
C
I
C
- 安培
5.0
175
150
125
100
75
50
25
0
V
权证
- 伏特
4.5
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
5
6
7
8
V
摹ê
- 伏特
9
10
11
12
13
14
15
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
V
摹ê
- 伏特
2006 IXYS所有权利
IXGH 50N90B2D1 IXGK 50N90B2D1
IXGX 50N90B2D1
图。 7.跨导
55
50
45
40
35
30
25
20
1
5
1
0
5
I
C
= 25A
0
0
25
50
75
100
125
150
175
200
225
0
30
60
90
1
20
1
50
I
C
= 50A
T
J
= 125
C
V
GE
= 15V
I
C
= 100A
图。 8.依赖性关断
R上的能量损失
G
35
30
25
20
15
10
5
0
T
J
= -40
C
25
C
125
C
E
F F
- 毫焦耳
40
g
F小号
- 西门子
V
CE
= 720V
I
C
- 安培
图。 9.依赖的导通关
在我的能量损失
C
20
18
16
R
G
= 5Ω
V
GE
= 15V
T
J
= 125
C
20
18
16
R
G
- 欧姆
图。 10.依赖性的Turn-关闭
在tem温度能量损失
I
C
= 100A
E
F F
- 毫焦耳
E
F F
- 毫焦耳
14
12
10
8
6
4
2
0
20
V
CE
= 720V
14
12
10
8
6
4
2
0
I
C
= 25A
25
35
45
55
65
75
85
95
105 115 125
R
G
= 5Ω
V
GE
= 15V
V
CE
= 720V
I
C
= 50A
T
J
= 25
C
30
40
50
60
70
80
90
100
I
C
- 安培
图。 11.依赖的关断
SW瘙痒添ê R上
G
1300
1200
600
T
J
- 摄氏
图。 12.依赖性的Turn-关闭
SW痒蒂姆E在我
C
550
500
450
400
350
300
250
200
150
T
J
= 25
C
T
J
= 125
C
t
D（关闭）
t
fi
- - - - - -
T
J
= 125C
V
GE
= 15V
V
CE
= 720V
I
C
= 100A
50A
25A
t
D（关闭）
V
CE
= 720V
t
fi
- - - - -
切换时间 - 纳秒
切换时间 - 纳秒
1100
1000
900
800
700
600
500
400
300
200
5
I
C
= 25A
50A
100A
R
G
= 5Ω, V
GE
= 15V
10
15
20
25
30
35
40
45
50
20
30
40
50
60
70
80
90
100
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
R
G
- 欧姆
I
C
- 安培
IXGH 50N90B2D1 IXGK 50N90B2D1
IXGX 50N90B2D1
图。 13.依赖的关断
SW瘙痒添E在tem温度
600
15
550
500
450
400
350
300
250
200
150
25
35
45
55
65
75
85
95
105 115 125
I
C
= 100A
50A
25A
图。 14.栅极电荷
t
D（关闭）
t
fi
- - - - - -
R
G
=
5
V
GE
=
1
5V
V
CE
=
720V
I
C
= 25A
50A
100A
切换时间 - 纳秒
13.5
12
10.5
V
CE
= 450V
I
C
= 50A
I
G
= 1
0mA
V
摹ê
- 伏特
9
7.5
6
4.5
3
1.5
0
T
J
- 摄氏
图。 15.电容
10000
F = 1 MHz的
110
100
90
0
20
40
60
80
100
120
140
Q
G
- nanocoulombs
图。 16.反向偏置安全
工作区
电容 - P F
I
C
- 安培
1000
C
IES
80
70
60
50
40
30
T
J
= 125
C
R
G
= 10Ω
的dv / dt < 10V / ns的
C
OES
100
C
水库
10
0
5
10
15
20
25
30
35
40
20
10
0
100
V
权证
- 伏特
200
300
400
500
600
700
800
900
V
权证
- 伏特
图。 17.马克西姆嗯瞬态千卡人抵抗
1
R
T H， J·C
- C / W
0.1
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度 - 毫秒
2006 IXYS所有权利
QQ：2881677436 复制
