初步技术信息
高增益的IGBT
IXGA50N60B4
IXGP50N60B4
IXGH50N60B4
V
CES
= 600V
I
C110
= 36A
V
CE （ SAT ）
≤
1.80V
TO- 263 AA （ IXGA ）
低甚小孔径终端PT沟道IGBT
G
E
C（ TAB ）
符号
V
CES
V
CGR
V
GES
V
创业板
I
C25
I
C110
I
CM
SSOA
（ RBSOA ）
P
C
T
J
T
JM
T
英镑
T
L
T
出售
F
C
M
d
重量
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25° C到150° C，R
GE
= 1MΩ
连续
短暂
T
C
= 25°C
T
C
= 110°C
T
C
= 25 ° C， 1毫秒
V
GE
= 15V ，T
VJ
= 125 ° C，R
G
= 10Ω
钳位感性负载
T
C
= 25°C
最大额定值
600
600
±20
±30
100
36
230
I
CM
= 72
V
CE
≤
V
CES
290
-55 ... +150
150
-55 ... +150
V
V
V
V
A
A
A
A
W
°C
°C
°C
°C
°C
N /磅。
纳米/ lb.in 。
g
g
g
TO- 220AB （ IXGP ）
G
CE
C（ TAB ）
TO- 247 （ IXGH ）
G
C
E
C（ TAB ）
G =门
S =发射器
特点
D
=收藏家
TAB =收藏家
最大无铅焊接温度的
1.6毫米（ 0.062英寸）从案例10秒
安装力（ TO- 263 ）
安装扭矩（ TO- 220 & TO- 247 ）
TO-263
TO-220
TO-247
300
260
10..65 / 2.2..14.6
1.13 / 10
2.5
3.0
6.0
优化的低通和
开关损耗
国际标准封装
广场RBSOA
优势
符号
测试条件
(T
J
= 25℃ ，除非另有说明
BV
CES
V
GE （日）
I
CES
I
GES
V
CE （ SAT ）
I
C
I
C
= 250μA ，V
GE
= 0V
= 250μA ，V
CE
= V
GE
T
J
= 125°C
V
CE
= 0V, V
GE
=
±20V
I
C
= 36A ，V
GE
= 15V ，注1
T
J
= 125°C
特征值
分钟。
典型值。
马克斯。
600
4.0
6.5
V
V
易于安装
节省空间
应用
电源逆变器
UPS
电机驱动
SMPS
PFC电路
电池充电器
灯镇流器
V
CE
= V
CES
, V
GE
= 0V
25
μA
1毫安
±100
1.43
1.40
1.80
nA
V
V
2011 IXYS公司，版权所有
DS100319A(04/11)
IXGA50N60B4 IXGP50N60B4
IXGH50N60B4
符号测试条件
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
特征值
分钟。
典型值。
马克斯。
20
30
1860
105
60
110
I
C
=
I
C110
, V
GE
= 15V, V
CE
= 0.5
V
CES
13
43
感性负载，T
J
= 25°C
I
C
= 36A ，V
GE
= 15V
注2
V
CE
= 400V ，R
G
= 10
Ω
37
68
0.93
330
80
1.00
31
45
0.94
280
220
1.90
0.21
0.50
S
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
0.43 ° C / W
° C / W
° C / W
的TO-220概要
1.脉冲检验，t
≤
300μS ，占空比D
≤
2%.
2.切换时间&能量损失可能会增加更高的V
CE
（钳） ，T
J
或R
G
.
的TO- 247概要
DIM 。
毫米
分钟。马克斯。
A
4.7
5.3
A
1
2.2
2.54
A
2
2.2
2.6
b
1.0
1.4
1.65
2.13
b
1
b
2
2.87
3.12
C
.4
.8
D
20.80 21.46
E
15.75 16.26
e
5.20
5.72
L
19.81 20.32
L1
4.50
P
3.55
3.65
Q
5.89
6.40
R
4.32
5.49
S
6.15 BSC
英寸
分钟。马克斯。
.185 .209
.087 .102
.059 .098
.040 .055
.065 .084
.113 .123
.016 .031
.819 .845
.610 .640
0.205 0.225
.780 .800
.177
.140 .144
0.232 0.252
.170 .216
242 BSC
1 - 门
2 =收藏家
3 =发射器
4 =集热器
TO- 263外形
g
fs
C
IES
C
OES
C
水库
Q
g
Q
ge
Q
gc
t
D（上）
t
ri
E
on
t
D（关闭）
t
fi
E
关闭
t
D（上）
t
ri
E
on
t
D（关闭）
t
fi
E
关闭
R
thJC
R
乡镇卫生院
注意事项：
I
C
=
I
C110
, V
CE
= 10V ，注1
V
CE
= 25V, V
GE
= 0V ， F = 1MHz的
1.80
感性负载，T
J
= 125°C
I
C
= 36A ，V
GE
= 15V
注2
V
CE
= 400V ，R
G
= 10
Ω
TO-247
TO-220
1
2
3
P
1 - 门
2 =收藏家
引脚：
3 =发射1 - 门
2 - 漏极
e
端子： 1 - 门
3极 - 发射极
2 - 集电极
初步技术信息
本文中所呈现的产品正在开发中。所提供的技术规格衍生
从过程的初步工程很多客观的刻画收集的数据;但也可能还
包含在预生产设计评价提供了一些信息。 IXYS保留权利
更改限制，试验条件和尺寸，恕不另行通知。
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT覆盖
4,835,592
通过以下一种或多项美国专利： 4850072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,381,025
5,486,715
6,162,665
6,259,123 B1
6,306,728 B1
6,404,065 B1
6,534,343
6,583,505
6,683,344
6,727,585
7,005,734 B2
6,710,405 B2 6,759,692
7,063,975 B2
6,710,463
6,771,478 B2 7,071,537
7,157,338B2
QQ：2881677436 复制
