【HiPerFASTTMIGBT表面贴装IXGH50N60AVCESIXGH50N60AS我C25VC】,IC型号IXGH50N60AS,IXGH50N60AS PDF资料,IXGH50N60AS经销商,ic,电子元器件-51电子网

HiPerFAST

IGBT

表面贴装

IXGH50N60A

CES

IXGH50N60AS我

C25

CE （ SAT ）

= 600 V

75 A

= 2.7 V

= 275纳秒

符号

CES

CGR

GES

创业板

C25

C90

SSOA

（ RBSOA ）

英镑

测试条件

= 25 ℃至150 ℃的

= 25 ℃至150 ℃;

= 1 M

连续

短暂

= 25°C

= 90°C

= 25 ° C， 1毫秒

= 15 V ，T

= 125 ° C，R

= 10

钳位感性负载， L = 30

= 25°C

最大额定值

600

±20

±30

200

= 100

@ 0.8 V

CES

250

-55 ... +150

150

-55 ... +150

300

的TO- 247贴片

(50N60AS)

C（ TAB ）

的TO- 247的AD

(50N60A)

C（ TAB ）

°C

C =收藏家，

TAB =收藏家

G =门，

E =发射器，

最大的铅和Tab焊接温度

从案例10秒1.6毫米（ 0.062英寸）

重量

安装扭矩， AD TO- 247

的TO- 247贴片

的TO- 247的AD

1.13 / 10牛米/ lb.in 。

特点

国际标准封装

JEDEC TO-247 SMD表面

安装和JEDEC TO- 247 AD

高频IGBT

高电流处理能力

第二代HDMOS

过程

MOS栅极导通

- 驱动器的简单

应用

交流电机调速

直流伺服和机器人的驱动器

直流斩波器

不间断电源（ UPS ）

开关模式和谐振模

电源

符号

测试条件

特征值

= 25 ° C，除非另有规定编）

分钟。典型值。马克斯。

600

2.5

= 25°C

= 125°C

200

±100

2.7

CES

GE （日）

CES

GES

CE （ SAT ）

= 250

= 0 V

= 250

= V

= 0.8 V

CES

= 0 V

= 0 V, V

±20

= I

C90

, V

= 15 V

优势

高功率密度

适于表面安装

开关速度高频率

应用

易于安装有1个螺丝， TO- 247

（绝缘安装螺丝孔）

92797H(9/96)

IXGH50N60A

符号

测试条件

特征值

= 25 ° C，除非另有规定编）

分钟。典型值。马克斯。

4000

= 25 V, V

= 0 V ， F = 1兆赫

430

100

200

= I

C90

, V

= 15 V, V

= 0.5 V

CES

感性负载，T

= 25°C

= I

C90

, V

= 15 V ， L = 30

= 0.8 V

CES

, R

= R

关闭

= 2.7

备注：开关时间可能会增加

对于V

（钳） > 0.8 V

CES

，高

或加强研究

感性负载，T

= 125°C

= I

C90

, V

= 15 V ， L = 30

= 0.8 V

CES

, R

= R

关闭

= 2.7

备注：开关时间可能会增加

对于V

（钳） > 0.8 V

CES

更高的温度

或加强研究

210

200

275

4.8

240

280

600

9.6

400

250

100

IXGH50N60AS

的TO- 247的AD概要

IES

OES

水库

D（上）

D（关闭）

关闭

D（上）

D（关闭）

关闭

thJC

thCK

= I

C90

; V

= 10 V,

脉冲测试，T

≤

300

占空比

≤

2 %

0.50 K / W

DIM 。

毫米

分钟。马克斯。

4.7

2.2

1.0

1.65

2.87

20.80

15.75

5.20

19.81

5.3

2.54

2.6

1.4

2.13

3.12

21.46

16.26

5.72

20.32

4.50

英寸

分钟。马克斯。

.185

.087

.059

.040

.065

.113

.016

.819

.610

.209

.102

.098

.055

.084

.123

.031

.845

.640

0.205 0.225

.780 .800

.177

.140 .144

0.232 0.252

.170 .216

242 BSC

3.55

3.65

5.89

6.40

4.32

5.49

6.15 BSC

的TO- 247贴片概要

0.25

K / W

分钟。推荐足迹

（尺寸以英寸（毫米））

1.门

2.收集

3.辐射源

4.收集

DIM 。

毫米

分钟。

马克斯。

4.83

5.21

2.29

2.54

1.91

2.16

1.14

1.91

0.61

20.80

15.75

5.45

4.90

2.70

2.10

0.00

1.90

3.55

5.59

4.32

6.15

1.40

2.13

0.80

21.34

16.13

BSC

5.10

2.90

2.30

0.10

2.10

3.65

6.20

4.83

BSC

英寸

分钟。马克斯。

.190

.205

.090

.100

.075

.085

.045

.075

.024

.819

.620

.215

.193

.106

.083

.00

.075

.140

.220

.170

.242

.055

.084

.031

.840

.635

BSC

.201

.114

.091

.004

.083

.144

.244

.190

BSC

IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。

IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利：

4,835,592

4,850,072

4,881,106

4,931,844

5,017,508

5,034,796

5,049,961

5,063,307

5,187,117

5,237,481

5,486,715

5,381,025

IXGH50N60A

图。 1饱和特性

= 25°C

IXGH50N60AS

输出CHARACTERSTICS

13V

11V

= 25°C

图。 2

350

300

= 15V

13V

11V

- 安培

250

200

150

100

10 12 14 16 18 20

- 伏特

图。 3集电极 - 发射极电压

与栅极 - 发射极电压

= 25°C

图。 4

1.5

1.4

温度依赖性

输出饱和电压

= 80A

CE （ SAT ）

- 归

1.3

1.2

1.1

1.0

0.9

0.8

0.7

-50

-25

100 125 150

= 20A

= 40A

- 伏特

9 10 11 12 13 14 15

= 40A

= 20A

- 伏特

- 摄氏度

图。 5输入导纳

图。 6

1.2

的温度依赖性

分解和阈值电压

GE （日）

@ 250A

BV / V

CE （ SAT ）

- 归

= 100V

1.1

1.0

0.9

0.8

0.7

0.6

0.5

-50

-25

100 125 150

CES

@ 3毫安

- 安培

= 25°C

= 125°C

- 伏特

- 摄氏度

IXGH50N60A

图7栅极电荷

= 40A

= 500V

IXGH50N60AS

图8关断安全工作区

100

- 安培

- 伏特

= 125°C

的dV / dt < 3V / ns的

0.1

0.01

100

150

200

250

100

200

300

400

500

600

700

总栅极电荷 - （ NC ）

- 伏特

图9电容曲线

4500

4000

IES

电容 - pF的

3500

3000

2500

2000

1500

1000

500

水库

OES

- 伏特

图10瞬态热阻抗

D=0.5

thJC

（K / W）

0.1

D=0.2

D=0.1

D=0.05

D=0.02

D =占空比

0.01

D=0.01

单脉冲

0.001

0.00001

0.0001

0.001

0.01

0.1

脉冲宽度 - 秒

G50N60 2 JNB

IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。

IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利：

4,835,592

4,850,072

4,881,106

4,931,844

5,017,508

5,034,796

5,049,961

5,063,307

5,187,117

5,237,481

5,486,715

5,381,025

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