【HiPerFASTTMIGBTIXGH40N30AVCESIC25VCE （ SAT ）tfi= 3】,IC型号IXGH40N30A,IXGH40N30A PDF资料,IXGH40N30A经销商,ic,电子元器件-51电子网

HiPerFAST

IGBT

IXGH40N30A

CES

C25

CE （ SAT ）

= 300 V

60 A

2.1 V

= 120纳秒

初步数据

符号

CES

CGR

GES

创业板

C25

C90

SSOA

（ RBSOA ）

英镑

测试条件

= 25 ℃至150 ℃的

= 25 ℃至150 ℃;

= 1兆瓦

连续

短暂

= 25°C

= 90°C

= 25 ° C， 1毫秒

= 15 V ，T

= 125 ° C，R

= 10

钳位感性负载， L = 30

= 25°C

最大额定值

300

±20

±30

160

= 80

@ 0.8 V

CES

200

-55 ... +150

150

-55 ... +150

300

°C

的TO- 247的AD

C（ TAB ）

C =收藏家，

TAB =收藏家

G =门，

E =发射器，

特点

国际标准套餐

JEDEC TO- 247 AD

高电流处理能力

最新一代HDMOS

过程

MOS栅极导通

- 驱动器的简单

最大无铅焊接温度的

从案例10秒1.6毫米（ 0.062英寸）

重量

安装扭矩（ M3 ）

1.13 / 10牛米/ lb.in 。

的TO- 247的AD

应用

交流电机调速

直流伺服和机器人的驱动器

直流斩波器

不间断电源（ UPS ）

开关模式和谐振模

电源

符号

测试条件

特征值

= 25 ° C，除非另有规定编）

分钟。典型值。马克斯。

300

2.5

= 25°C

= 125°C

CES

GE （日）

CES

GES

CE （ SAT ）

= 250

毫安，

= 0 V

= 250

毫安，

= V

200

±100

2.1

优势

高功率密度

适用于表面贴装

开关速度高频率

应用

易于使用1个螺丝安装，

（隔绝安装螺纹孔）

= 0.8 V

CES

= 0 V

= 0 V, V

±20

= I

C90

, V

= 15 V

IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。

97507B (7/00)

1-2

IXGH40N30A

符号

测试条件

特征值

= 25 ° C，除非另有规定编）

分钟。典型值。马克斯。

2500

= 25 V, V

= 0 V ， F = 1兆赫

210

145

= I

C90

, V

= 15 V, V

= 0.5 V

CES

感性负载，T

= 25°C

= I

C90

, V

= 15 V ， L = 100

mH的，

= 0.8 V

CES

, R

= R

关闭

= 1.0

备注：开关时间可能

增加V

（钳） > 0.8 V

CES

更高的温度

或加强研究

感性负载，T

= 125°C

= I

C90

, V

= 15 V ， L = 100

= 0.8 V

CES

, R

= R

关闭

= 1.0

备注：开关时间可能

增加V

（钳） > 0.8 V

CES

更高的温度

或加强研究

100

120

0.75

0.3

150

220

1.6

300

330

2.4

170

暗淡。毫米

分钟。马克斯。

19.81 20.32

20.80 21.46

15.75 16.26

3.55 3.65

4.32 5.49

5.4

6.2

1.65 2.13

4.5

1.0

1.4

10.8 11.0

4.7

0.4

5.3

0.8

英寸

分钟。马克斯。

0.780 0.800

0.819 0.845

0.610 0.640

0.140 0.144

0.170 0.216

0.212 0.244

0.065 0.084

0.177

0.040 0.055

0.426 0.433

0.185 0.209

0.016 0.031

0.087 0.102

AD TO- 247 （ IXGH ）大纲

IES

OES

水库

D（上）

D（关闭）

关闭

D（上）

D（关闭）

关闭

thJC

thCK

= I

C90

; V

= 10 V,

脉冲测试，T

300

女士，

占空比

2 %

1.5 2.49

0.62 K / W

0.25

K / W

IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利：

4,835,592

4,881,106

5,017,508

5,049,961

5,187,117

5,486,715

4,850,072

4,931,844

5,034,796

5,063,307

5,237,481

5,381,025

2-2

HiPerFAST

IGBT

CES

C25

CE （ SAT ）

1.8 V

2.1 V

2.4 V

220ns

120ns

75纳秒

IXGH 40N30 / S

300 V 60 A

IXGH 40N30A / S

300 V 60 A

IXGH 40N30B / S

300 V 60 A

符号

CES

CGR

GES

创业板

C25

C90

SSOA

（ RBSOA ）

英镑

测试条件

= 25 ℃至150 ℃的

= 25 ℃至150 ℃;

= 1 M

连续

短暂

= 25°C

= 90°C

= 25 ° C， 1毫秒

= 15 V ，T

= 125 ° C，R

= 10

钳位感性负载， L = 30

= 25°C

最大额定值

300

±20

±30

160

= 80

@ 0.8 V

CES

200

-55 ... +150

150

-55 ... +150

的TO- 247贴片*

C（ TAB ）

的TO- 247的AD

C（ TAB ）

°C

G =门，

C =收藏家，

E =发射器，

TAB =收藏家

*添加后缀字母"S"表面贴装

包

特点

国际标准封装

JEDEC TO-247和AD面

安装的TO- 247贴片

高电流处理能力

最新一代HDMOS

过程

MOS栅极导通

- 驱动器的简单

应用

最大无铅焊接温度的

300

从案例10秒1.6毫米（ 0.062英寸）

最高温度标签焊接SMD器件10秒260

重量

安装扭矩（ M3 ）

的TO- 247的AD

的TO- 247贴片

1.13 / 10牛米/ lb.in 。

符号

测试条件

特征值

= 25 ° C，除非另有规定编）

分钟。典型值。马克斯。

300

2.5

200

±100

40N30

40N30A

40N30B

1.8

2.1

2.4

CES

GE （日）

CES

GES

CE （ SAT ）

= 250

= 0 V

= 250

= V

= 25°C

= 125°C

交流电机调速

直流伺服和机器人的驱动器

直流斩波器

不间断电源（ UPS ）

开关模式和谐振模

电源

= 0.8 V

CES

= 0 V

= 0 V, V

= ±20 V

= I

C90

, V

= 15 V

优势

高功率密度

适于表面安装

开关速度高频率

应用

易与1个螺丝安装，

（隔绝安装螺纹孔）

97506E(11/01)

IXGH 40N30 IXGH 40N30A

IXGH 40N30B

IXGH 40N30S IXGH 40N30AS IXGH 40N30BS

符号

测试条件

特征值

= 25 ° C，除非另有规定编）

MIN 。 TYP 。

马克斯。

2500

= 25 V, V

= 0 V ， F = 1兆赫

210

145

= I

C90

, V

= 15 V, V

= 0.5 V

CES

感性负载，T

= 25°C

= I

C90

, V

= 15 V,

L = 100

= 0.8 V

CES

= R

关闭

= 1.0

切换时间可能

增加V

（钳）

> 0.8 V

CES

，更高的温度

加强研究

40N30

40N30A

40N30B

40N30

40N30A

40N30B

40N30

40N30A

40N30B

170

100

230

120

1.6

0.75

0.3

感性负载，T

= 125°C

= I

C90

, V

= 15 V,

L = 100

= 0.8 V

CES

= R

关闭

= 1.0

切换时间可能

增加V

（钳）

> 0.8 V

CES

，更高的温度

加强研究

40N30

40N30A

40N30B

40N30

40N30A

40N30B

40N30

40N30A

40N30B

0.3

250

150

350

220

130

3.3

1.6

0.6

170

的TO- 247的AD概要

IES

OES

水库

D（上）

D（关闭）

关闭

= I

C90

; V

= 10 V,

脉冲测试，T

≤

300

占空比

≤

2 %

500纳秒

300纳秒

180纳秒

600纳秒

330纳秒

230纳秒

4.8兆焦耳

2.4兆焦耳

1.4兆焦耳

0.62 K / W

1 - GATE

2 - 漏极（集电极）

DIM 。

3 - 源（发射器

4 - 漏极（集电极

英寸

分钟。

.190

.090

.075

.045

.075

.024

.819

马克斯。

.205

.100

.085

.055

.084

.031

.840

DIM 。

D（上）

D（关闭）

关闭

毫米

分钟。马克斯。

4.7

5.3

2.2

2.54

2.2

2.6

1.0

1.4

1.65

2.13

2.87

3.12

20.80 21.46

15.75 16.26

5.20

5.72

19.81 20.32

4.50

3.55

3.65

5.89

6.40

4.32

5.49

6.15 BSC

英寸

分钟。马克斯。

.185 .209

.087 .102

.059 .098

.040 .055

.065 .084

.113 .123

.016 .031

.819 .845

.610 .640

0.205 0.225

.780 .800

.177

.140 .144

0.232 0.252

.170 .216

242 BSC

的TO- 247贴片概要

thJC

thCK

分钟。推荐足迹

（尺寸以英寸毫米）

0.25

K / W

毫米

分钟。

马克斯。

4.83

2.29

1.91

1.14

1.19

0.61

20.80

5.21

2.54

2.16

1.40

2.13

0.80

21.34

15.75

16.13

5.45 BSC

4.90

2.70

2.10

0.00

1.90

5.10

2.90

2.30

0.10

2.10

.620

.635

0.215 BSC

.193

.106

.083

.000

.075

.201

.114

.091

.004

.083

3.55

3.65

5.59

6.20

4.32

4.83

6.15 BSC

.140

.144

.220

.244

.170

.190

0.242 BSC

IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。

IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利：

4,835,592

4,850,072

4,881,106

4,931,844

5,017,508

5,034,796

5,049,961

5,063,307

5,187,117

5,237,481

5,486,715

5,381,025