IXGH 32N60B IXGH 32N60BD1
IXGT 32N60B IXGT 32N60BD1
AD TO- 247 （ IXGH ）大纲
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
15
25
2700
V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V ， F = 1兆赫
32N60B
32N60BD1
210
240
50
110
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V, V
CE
= 0.5 V
CES
23
40
°
感性负载，T
J
= 25°C
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V
V
CE
= 0.8 V
CES
, R
G
= R
关闭
= 4.7
备注：开关时间可能会增加
V
CE
（钳） > 0.8 V
CES
，更高的温度
J
or
加强研究
G
感性负载，T
J
= 125°C
°
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V
32N60B
32N60BD1
V
CE
= 0.8 V
CES
, R
G
= R
关闭
= 4.7
25
20
100
80
0.6
25
25
0.3
1.0
120
120
1.2
200
150
1.2
150
35
75
S
pF
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
mJ
ns
ns
mJ
0.62 K / W
TO-247
0.25
K / W
DIM 。
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
毫米
分钟。马克斯。
19.81 20.32
20.80 21.46
15.75 16.26
3.55 3.65
4.32
5.4
1.65
-
1.0
10.8
4.7
0.4
1.5
5.49
6.2
2.13
4.5
1.4
11.0
5.3
0.8
2.49
英寸
分钟。马克斯。
0.780
0.819
0.610
0.140
0.170
0.212
0.065
-
0.040
0.426
0.185
0.016
0.087
0.800
0.845
0.640
0.144
0.216
0.244
0.084
0.177
0.055
0.433
0.209
0.031
0.102
g
fs
C
IES
C
OES
C
水库
Q
G
Q
GE
Q
GC
t
D（上）
t
ri
t
D（关闭）
t
fi
E
关闭
t
D（上）
t
ri
E
on
t
D（关闭）
t
fi
E
关闭
R
thJC
R
thCK
I
C
= I
C90
; V
CE
= 10 V,
脉冲测试，T
≤
300
s,
占空比
≤
2 %
备注：开关时间可能
增加V
CE
（钳） > 0.8 V
CES
,
更高的温度
J
或加强研究
G
TO- 268AA （D
3
PAK ）
反向二极管（ FRED ）
符号
V
F
I
RM
t
rr
R
thJC
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
1.6
2.5
6
100
25
V
V
A
ns
ns
1.0 K / W
I
F
= I
C90
, V
GE
= 0 V,
T
J
= 150°C
脉冲测试，T
≤
300
s,
占空比
≤
2 % T
J
= 25°C
I
F
= I
C90
, V
GE
= 0 V ， - 二
F
/ DT = 100 A / μs的
V
R
= 360 V
I
F
= 1 ; -di / DT = 100 A / μs的; V
R
= 30 V
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
DIM 。
A
A
1
A
2
b
b
2
C
D
E
E
1
e
H
L
L1
L2
L3
L4
毫米
分钟。马克斯。
4.9
5.1
2.7
2.9
.02
.25
1.15
1.45
1.9
2.1
.4
.65
13.80 14.00
15.85 16.05
13.3
13.6
5.45 BSC
18.70 19.10
2.40
2.70
1.20
1.40
1.00
1.15
0.25 BSC
3.80
4.10
英寸
分钟。马克斯。
.193 .201
.106 .114
.001 .010
.045 .057
.75
.83
.016 .026
.543 .551
.624 .632
.524 .535
0.215 BSC
.736 .752
.094 .106
.047 .055
.039 .045
0.010 BSC
.150 .161
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利：
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
6,306,728B1
IXGH 32N60B IXGH 32N60BD1
IXGT 32N60B IXGT 32N60BD1
100
T
J
= 25°C
200
T
J
= 25°C
80
I
C
- 安培
I
C
- 安培
60
40
20
V
GE
= 15V
13V
11V
9V
7V
V
GE
= 15V
13V
11V
160
120
80
9V
7V
40
5V
5V
0
0
0
1
2
3
4
5
6
7
0
2
4
6
8
10
V
CE
- 伏特
V
CE
- 伏特
图。 1.饱和电压特性
图。 2.扩展的输出特性
100
T
J
= 125°C
1.75
V
GE
= 15V
I
C
= 64A
V
CE （SAT）
- 归
80
1.50
I
C
- 安培
60
40
20
0
1.25
I
C
= 32A
1.00
I
C
= 16A
0
1
2
3
4
5
6
7
0.75
25
50
75
100
125
150
V
CE
- 伏特
T
J
- 摄氏度
图。 3.饱和电压特性
图。 V 4.温度依赖性
CE （ SAT ）
100
V
CE
= 10V
1.15
1.10
B
V/V
GE （日）
- 归
80
1.05
1.00
0.95
0.90
0.85
0.80
0.75
0.70
-50 -25
V
GE （日）
I
C
= 250A
I
C
- 安培
60
40
T
J
= 125°C
BV
CES
I
C
= 250A
20
T
J
= 25°C
0
3
4
5
6
7
8
9
10
0
25
50
75
100 125 150
V
GE
- 伏特
T
J
- 摄氏度
图。 5.导纳曲线
图。 BV 6.温度依赖性
DSS
＆放大器; V
GE （日）
G32N60B P1
版权所有 2003 IXYS所有权利。
IXGH 32N60B IXGH 32N60BD1
IXGT 32N60B IXGT 32N60BD1
2.5
T
J
= 125°C
5
R
G
= 10
E
（上）
2.5
2.0
T
J
= 125°C
I
C
= 32A
E
（上）
5
4
2.0
E
（上）
- 毫焦耳
4
3
E
（关闭）
E
（关闭）
- 毫焦耳
E
（关闭）
- 毫焦耳
1.5
1.0
0.5
0.0
0
20
40
60
E
（上）
- 毫焦耳
1.5
E
（关闭）
3
2
1
0
60
2
1
0
80
1.0
0.5
0.0
0
10
20
30
40
50
图。 7.依赖TFI和E
关闭
关于我
C
.
I
C
- 安培
R
G
- 欧姆
图。 8.依赖TFI和E
关闭
R上
G
.
15
12
I
C
= 32A
V
CE
= 300V
100
I
C
- 安培
V
GE
- 伏特
10
T
J
= 125°C
9
6
3
0
0
25
50
75
100
125
150
R
G
= 4.7
的dV / dt < 5V / ns的
1
0.1
0
100
200
300
400
500
600
Q
g
- nanocoulombs
V
CE
- 伏特
图。 9.栅极电荷
图。 10.关断安全工作区
1
D=0.5
D=0.2
Z
thJC
（K / W）
0.1
D=0.1
D=0.05
D=0.02
D=0.01
单脉冲
0.01
D =占空比
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
脉冲宽度 - 秒
图。 11.瞬态热阻
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利：
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
6,306,728B1
IXGH 32N60B IXGH 32N60BD1
IXGT 32N60B IXGT 32N60BD1
60
A
50
I
F
40
1000
T = 100℃
VJ
V
R
= 300V
nC
Q
r
800
30
A
25
I
RM
20
15
400
20
10
T
VJ
= 100°C
V
R
= 300V
I
F
= 60A
I
F
= 30A
I
F
= 15A
I
F
= 60A
I
F
= 30A
I
F
= 15A
T
VJ
=150°C
30
600
T
VJ
=100°C
T
VJ
=25°C
10
0
0
1
2
V
F
3 V
200
5
0
A / μs的1000
- 二
F
/ DT
0
200
400
600 A / μs的1000
800
- 二
F
/ DT
0
100
图。 12正向电流I
F
与V
F
图。 13反向恢复电荷Q
r
对 - 二
F
/ DT
90
ns
图。 14峰值反向电流I
RM
对 - 二
F
/ DT
20
T
VJ
= 100°C
I
F
= 30A
V
V
FR
15
1.00
2.0
T
VJ
= 100°C
V
R
= 300V
V
FR
s
t
fr
0.75
1.5
K
f
1.0
t
rr
80
t
fr
I
RM
70
I
F
= 60A
I
F
= 30A
I
F
= 15A
10
0.50
0.5
Q
r
5
0.25
0.0
0
40
80
120 °C 160
T
VJ
60
0
200
400
600
- 二
F
/ DT
800
A / μs的1000
0
0
200
400
0.00
600 A / μs的1000
800
di
F
/ DT
图。 15动态参数Q
r
, I
RM
与牛逼
VJ
1
K / W
图。 16恢复时间t
rr
对 - 二
F
/ DT
图。 17峰值正向电压V
FR
和
t
fr
与迪
F
/ DT
常量Z的
thJC
计算方法：
i
R
THI
（K / W）
0.502
0.193
0.205
t
i
(s)
0.0052
0.0003
0.0162
0.1
Z
thJC
1
2
3
0.01
0.001
0.00001
DSEP 29-06
0.0001
0.001
0.01
0.1
t
s
1
图。 18瞬态热阻结到外壳
版权所有 2003 IXYS所有权利。
IXGH 32N60BD1
IXGT 32N60BD1
AD TO- 247 （ IXGH ）大纲
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
25
2700
V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V ， F = 1兆赫
240
50
110
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V, V
CE
= 0.5 V
CES
22
40
感性负载，T
J
= 25°C
°
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V ， L = 100
H,
V
CE
= 0.8 V
CES
, R
G
= R
关闭
= 4.7
备注：开关时间可能会增加
V
CE
（钳） ＆ GT ; 0.8 V
CES
，更高的温度
J
or
加强研究
G
感性负载，T
J
= 125°C
°
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V ， L = 100
H
V
CE
= 0.8 V
CES
, R
G
= R
关闭
= 4.7
备注：开关时间可能会增加
V
CE
（钳） ＆ GT ; 0.8 V
CES
，更高的温度
J
or
加强研究
G
25
20
100
80
0.6
25
25
1
120
120
1.2
200
150
1.2
S
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
0.62 K / W
TO-247
0.25
K / W
DIM 。
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
毫米
分钟。马克斯。
19.81 20.32
20.80 21.46
15.75 16.26
3.55 3.65
4.32
5.4
1.65
-
1.0
10.8
4.7
0.4
1.5
5.49
6.2
2.13
4.5
1.4
11.0
5.3
0.8
2.49
英寸
分钟。马克斯。
0.780
0.819
0.610
0.140
0.170
0.212
0.065
-
0.040
0.426
0.185
0.016
0.087
0.800
0.845
0.640
0.144
0.216
0.244
0.084
0.177
0.055
0.433
0.209
0.031
0.102
g
fs
C
IES
C
OES
C
水库
Q
g
Q
ge
Q
gc
t
D（上）
t
ri
t
D（关闭）
t
fi
E
关闭
t
D（上）
t
ri
E
on
t
D（关闭）
t
fi
E
关闭
R
thJC
R
thCK
I
C
= I
C90
; V
CE
= 10 V,
脉冲测试，T
≤
300
s,
占空比
≤
2 %
TO- 268AA （D
3
PAK ）
反向二极管（ FRED ）
符号
V
F
I
RM
t
rr
R
thJC
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
1.6
2.5
6
100
25
V
V
A
ns
ns
1.0 K / W
DIM 。
A
A
1
A
2
b
b
2
C
D
E
E
1
e
H
L
L1
L2
L3
L4
毫米
分钟。马克斯。
4.9
5.1
2.7
2.9
.02
.25
1.15
1.45
1.9
2.1
.4
.65
13.80 14.00
15.85 16.05
13.3
13.6
5.45 BSC
18.70 19.10
2.40
2.70
1.20
1.40
1.00
1.15
0.25 BSC
3.80
4.10
英寸
分钟。马克斯。
.193 .201
.106 .114
.001 .010
.045 .057
.75
.83
.016 .026
.543 .551
.624 .632
.524 .535
0.215 BSC
.736 .752
.094 .106
.047 .055
.039 .045
0.010 BSC
.150 .161
I
F
= I
C90
, V
GE
= 0 V,
T
J
= 150°C
脉冲测试，T
≤
300
s,
占空比
≤
2 % T
J
= 25°C
I
F
= I
C90
, V
GE
= 0 V ， - 二
F
/ DT = 100 A / μs的
V
R
= 360 V
I
F
= 1 ; -di / DT = 100 A / μs的; V
R
= 30 V
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利：
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
6,306,728B1
IXGH 32N60BD1
IXGT 32N60BD1
AD TO- 247 （ IXGH ）大纲
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
25
2700
V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V ， F = 1兆赫
240
50
110
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V, V
CE
= 0.5 V
CES
22
40
感性负载，T
J
= 25°C
°
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V ， L = 100
H,
V
CE
= 0.8 V
CES
, R
G
= R
关闭
= 4.7
备注：开关时间可能会增加
V
CE
（钳） ＆ GT ; 0.8 V
CES
，更高的温度
J
or
加强研究
G
感性负载，T
J
= 125°C
°
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V ， L = 100
H
V
CE
= 0.8 V
CES
, R
G
= R
关闭
= 4.7
备注：开关时间可能会增加
V
CE
（钳） ＆ GT ; 0.8 V
CES
，更高的温度
J
or
加强研究
G
25
20
100
80
0.6
25
25
1
120
120
1.2
200
150
1.2
S
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
0.62 K / W
TO-247
0.25
K / W
DIM 。
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
毫米
分钟。马克斯。
19.81 20.32
20.80 21.46
15.75 16.26
3.55 3.65
4.32
5.4
1.65
-
1.0
10.8
4.7
0.4
1.5
5.49
6.2
2.13
4.5
1.4
11.0
5.3
0.8
2.49
英寸
分钟。马克斯。
0.780
0.819
0.610
0.140
0.170
0.212
0.065
-
0.040
0.426
0.185
0.016
0.087
0.800
0.845
0.640
0.144
0.216
0.244
0.084
0.177
0.055
0.433
0.209
0.031
0.102
g
fs
C
IES
C
OES
C
水库
Q
g
Q
ge
Q
gc
t
D（上）
t
ri
t
D（关闭）
t
fi
E
关闭
t
D（上）
t
ri
E
on
t
D（关闭）
t
fi
E
关闭
R
thJC
R
thCK
I
C
= I
C90
; V
CE
= 10 V,
脉冲测试，T
≤
300
s,
占空比
≤
2 %
TO- 268AA （D
3
PAK ）
反向二极管（ FRED ）
符号
V
F
I
RM
t
rr
R
thJC
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
1.6
2.5
6
100
25
V
V
A
ns
ns
1.0 K / W
DIM 。
A
A
1
A
2
b
b
2
C
D
E
E
1
e
H
L
L1
L2
L3
L4
毫米
分钟。马克斯。
4.9
5.1
2.7
2.9
.02
.25
1.15
1.45
1.9
2.1
.4
.65
13.80 14.00
15.85 16.05
13.3
13.6
5.45 BSC
18.70 19.10
2.40
2.70
1.20
1.40
1.00
1.15
0.25 BSC
3.80
4.10
英寸
分钟。马克斯。
.193 .201
.106 .114
.001 .010
.045 .057
.75
.83
.016 .026
.543 .551
.624 .632
.524 .535
0.215 BSC
.736 .752
.094 .106
.047 .055
.039 .045
0.010 BSC
.150 .161
I
F
= I
C90
, V
GE
= 0 V,
T
J
= 150°C
脉冲测试，T
≤
300
s,
占空比
≤
2 % T
J
= 25°C
I
F
= I
C90
, V
GE
= 0 V ， - 二
F
/ DT = 100 A / μs的
V
R
= 360 V
I
F
= 1 ; -di / DT = 100 A / μs的; V
R
= 30 V
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利：
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
6,306,728B1
QQ：2881677436 复制
