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超低V
CE ( SAT )
IGBT与二极管
IXGH 31N60U1
V
CES
I
C25
V
CE ( SAT )
= 600 V
= 40 A
= 1.8 V
Combi机包
符号
V
CES
V
CGR
V
GES
V
创业板
I
C25
I
C90
I
CM
SSOA
( RBSOA )
P
C
T
J
T
JM
T
英镑
M
d
重量
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25 ℃至150 ℃;
GE
= 1 M
连续
短暂
T
C
= 25°C
T
C
= 90°C
T
C
= 25 ° C, 1毫秒
V
GE
= 15 V ,T
VJ
= 125 ° C,R
G
= 10
钳位感性负载, L = 100
H
T
C
= 25°C
最大额定值
600
600
±20
±30
40
31
80
I
CM
= 62
@ 0.8 V
CES
150
-55 ... +150
150
-55 ... +150
V
V
V
V
A
A
A
A
W
°C
°C
°C
的TO- 247的AD
G
C
E
C =收藏家,
TAB =收藏家
G =门,
E =发射器,
特点
l
l
l
l
安装扭矩( M3 )
1.13 / 10牛米/ lb.in 。
6
300
g
°C
l
l
最大无铅焊接温度的
从案例10秒1.6毫米( 0.062英寸)
国际标准套餐
JEDEC TO- 247 AD
IGBT和反并联FRED在一个
第二代HDMOS
TM
过程
低V
CE ( SAT )
- 最低的通态传导
损失
MOS栅极导通
- 驱动器的简单
快速恢复外延二极管( FRED )
- 软恢复低我
RM
应用
l
l
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C,除非另有规定编)
分钟。典型值。马克斯。
600
2.5
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
5.5
500
8
±100
1.8
V
V
A
mA
nA
V
l
l
l
BV
CES
V
GE (日)
I
CES
I
GES
V
CE ( SAT )
I
C
I
C
= 750
A,
V
GE
= 0 V
= 250
A,
V
CE
= V
GE
交流电机调速
直流伺服和机器人的驱动器
直流斩波器
不间断电源( UPS )
开关模式和谐振模
电源
优势
l
V
CE
= 0.8 V
CES
V
GE
= 0 V
V
CE
= 0 V, V
GE
=
±20
V
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V
l
l
l
节省空间(二合一设备
包)
易与1个螺丝安装
(隔绝安装螺纹孔)
降低了装配时间和费用
高功率密度
版权所有1996 IXYS所有权利。
92798D (3/96)
IXGH 31N60U1
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C,除非另有规定编)
分钟。典型值。马克斯。
9
14
1500
V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V , F = 1兆赫
170
40
80
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V, V
CE
= 0.5 V
CES
感性负载,T
J
= 25°C
°
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V , L = 100
H,
V
CE
= 0.8 V
CES
, R
G
= R
关闭
= 10
备注:开关时间可能会增加
对于V
CE
(钳) > 0.8 V
CES
,更高的温度
J
or
加强研究
G
感性负载,T
J
= 125°C
°
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V , L = 100
H
V
CE
= 0.8 V
CES
, R
G
= R
关闭
= 10
备注:开关时间可能会增加
对于V
CE
(钳) > 0.8 V
CES
,更高的温度
J
or
加强研究
G
15
30
50
160
700
800
12
50
160
2
850
1700
19
1100
1100
100
30
40
S
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
0.83 K / W
0.25
K / W
1 - 门
2 =收藏家
3 =发射器
TAB =收藏家
的TO- 247的AD概要
g
fs
C
IES
C
OES
C
水库
Q
g
Q
ge
Q
gc
t
D(上)
t
ri
t
D(关闭)
t
fi
E
关闭
t
D(上)
t
ri
E
on
t
D(关闭)
t
fi
E
关闭
R
thJC
R
thCK
I
C
= I
C90
; V
CE
= 10 V,
脉冲测试,T
300
s,
占空比
2 %
反向二极管( FRED )
符号
V
F
I
RM
t
rr
R
thJC
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C,除非另有规定编)
分钟。典型值。马克斯。
1.6
V
I
F
= I
C90
, V
GE
= 0 V,
脉冲测试,T
300
s,
占空比
2 %
I
F
= I
C90
, V
GE
= 0 V , - 二
F
/ DT = 240 A / μs的
V
R
= 360 V
T
J
= 125°C
I
F
= 1 ; -di / DT = 100 A / μs的; V
R
= 30 V T,
J
= 25°C
10
120
35
15
50
A
ns
ns
1 K / W
IXYS保留更改限制,试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利:
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    IXGH31N60U1
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:0755-83268779
联系人:吴
地址:深圳市福田区华强北赛格科技园4栋西6楼A座611(本公司为一般纳税人,可以开17%增值税)
IXGH31N60U1
TO-247
1377
TO-247
IXYS
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电话:0755-23915992/23140719
联系人:李
地址:深圳市福田区振华路中航苑鼎城大夏1709室
IXGH31N60U1
IXYS
24+
2177
MODULE
公司大量 现货随时可以发货
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电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
IXGH31N60U1
IXYS/艾赛斯
21+
15360
TO
全新原装正品/质量有保证
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联系人:李小姐
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IXGH31N60U1
IXYS
24+
2177
MODULE
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电话:0755-82789296
联系人:朱先生/公司可以开13%的税
地址:深圳市福田区华强北振兴路华康大厦2栋211室。
IXGH31N60U1
IXYS
1504+
8600
TO
一级代理原装现货热卖!
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联系人:刘经理
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IXGH31N60U1
IXYS/艾赛斯
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全新原装正品/质量有保证
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联系人:朱生
地址:深圳市福田区华强北赛格科技园4栋中12楼A座
IXGH31N60U1
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1377
TO-247
IXYS
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IXYS
1905+
3000
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专业模块供应商
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电话:13910052844(微信同步)
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IXGH31N60U1
√ 欧美㊣品
▲10/11+
9678
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