IXGH 31N60U1
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C,除非另有规定编)
分钟。典型值。马克斯。
9
14
1500
V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V , F = 1兆赫
170
40
80
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V, V
CE
= 0.5 V
CES
感性负载,T
J
= 25°C
°
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V , L = 100
H,
V
CE
= 0.8 V
CES
, R
G
= R
关闭
= 10
备注:开关时间可能会增加
对于V
CE
(钳) > 0.8 V
CES
,更高的温度
J
or
加强研究
G
感性负载,T
J
= 125°C
°
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V , L = 100
H
V
CE
= 0.8 V
CES
, R
G
= R
关闭
= 10
备注:开关时间可能会增加
对于V
CE
(钳) > 0.8 V
CES
,更高的温度
J
or
加强研究
G
15
30
50
160
700
800
12
50
160
2
850
1700
19
1100
1100
100
30
40
S
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
0.83 K / W
0.25
K / W
1 - 门
2 =收藏家
3 =发射器
TAB =收藏家
的TO- 247的AD概要
g
fs
C
IES
C
OES
C
水库
Q
g
Q
ge
Q
gc
t
D(上)
t
ri
t
D(关闭)
t
fi
E
关闭
t
D(上)
t
ri
E
on
t
D(关闭)
t
fi
E
关闭
R
thJC
R
thCK
I
C
= I
C90
; V
CE
= 10 V,
脉冲测试,T
≤
300
s,
占空比
≤
2 %
反向二极管( FRED )
符号
V
F
I
RM
t
rr
R
thJC
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C,除非另有规定编)
分钟。典型值。马克斯。
1.6
V
I
F
= I
C90
, V
GE
= 0 V,
脉冲测试,T
≤
300
s,
占空比
≤
2 %
I
F
= I
C90
, V
GE
= 0 V , - 二
F
/ DT = 240 A / μs的
V
R
= 360 V
T
J
= 125°C
I
F
= 1 ; -di / DT = 100 A / μs的; V
R
= 30 V T,
J
= 25°C
10
120
35
15
50
A
ns
ns
1 K / W
IXYS保留更改限制,试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利:
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025