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超低V
CE （ SAT ）
IGBT与二极管
IXGH 31N60D1
IXGT 31N60D1
V
CES
I
C25
V
CE （ SAT ）
= 600 V
= 60 A
= 1.7 V
初步数据
符号
V
CES
V
CGR
V
GES
V
创业板
I
C25
I
C90
I
CM
SSOA
（ RBSOA ）
P
C
T
J
T
JM
T
英镑
M
d
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25 ℃至150 ℃;
GE
= 1兆瓦
连续
短暂
T
C
= 25°C
T
C
= 90°C
T
C
= 25 ° C， 1毫秒
V
GE
= 15 V ，T
VJ
= 125 ° C，R
G
= 10
W
钳位感性负载， L = 100
mH
T
C
= 25°C
最大额定值
600
600
±20
±30
60
31
80
I
CM
= 62
@ 0.8 V
CES
150
-55 ... +150
150
-55 ... +150
V
V
V
V
A
A
A
A
W
°C
°C
°C
°C
g
g
TO-268
（ IXGT ）
G
E
C（ TAB ）
的TO- 247的AD
（ IXGH ）
G
C（ TAB ）
C
E
C =收藏家，
TAB =收藏家
G =门，
E =发射器，
安装扭矩（ M3 ） TO- 247
1.13 / 10牛米/ lb.in 。
300
6
4
最大无铅焊接温度的
从案例10秒1.6毫米（ 0.062英寸）
重量
TO-247
TO-268
特点
IGBT和反并联FRED在一个
包
低V
CE （ SAT ）
- 最低的通态传导
损失
MOS栅极导通
- 驱动器的简单
快速恢复外延二极管（ FRED ）
- 软恢复低我
RM
应用
交流电机调速
直流伺服和机器人的驱动器
直流斩波器
不间断电源（ UPS ）
开关模式和谐振模式
电源
优势
节省空间（在一两个设备
包）
易于使用1个螺丝安装
（隔绝安装螺纹孔）
减少装配时间和成本
高功率密度
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
600
2.5
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
5.5
200
3
±100
1.7
V
V
mA
mA
nA
V
BV
CES
V
GE （日）
I
CES
I
GES
V
CE （ SAT ）
I
C
I
C
= 250
毫安，
V
GE
= 0 V
= 250
毫安，
V
CE
= V
GE
V
CE
= 0.8 V
CES
V
GE
= 0 V
V
CE
= 0 V, V
GE
=
±20
V
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
98559A (7/00)
版权所有2000 IXYS所有权利。
1-2
IXGH 31N60D1
IXGT 31N60D1
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
10
16
1500
V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V ， F = 1兆赫
130
40
80
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V, V
CE
= 0.5 V
CES
15
30
感性负载，T
J
= 25°C
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V ， L = 100
mH的，
V
CE
= 0.8 V
CES
, R
G
= R
关闭
= 10
W
备注：开关时间可能会增加
对于V
CE
（钳） > 0.8 V
CES
，更高的温度
J
or
加强研究
G
感性负载，T
J
= 125°C
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V ， L = 100
mH
V
CE
= 0.8 V
CES
, R
G
= R
关闭
= 10
W
备注：开关时间可能会增加
对于V
CE
（钳） > 0.8 V
CES
，更高的温度
J
or
加强研究
G
15
25
400
400
6
15
25
1
800
800
12
800
800
100
30
40
S
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
0.83 K / W
0.25
K / W
TO- 268AA （D
3
PAK ）
暗淡。毫米
分钟。马克斯。
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
19.81 20.32
20.80 21.46
15.75 16.26
3.55 3.65
4.32 5.49
5.4
6.2
1.65 2.13
-
4.5
1.0
1.4
10.8 11.0
4.7
0.4
5.3
0.8
英寸
分钟。马克斯。
0.780 0.800
0.819 0.845
0.610 0.640
0.140 0.144
0.170 0.216
0.212 0.244
0.065 0.084
-
0.177
0.040 0.055
0.426 0.433
0.185 0.209
0.016 0.031
0.087 0.102
AD TO- 247 （ IXGH ）大纲
g
fs
C
IES
C
OES
C
水库
Q
g
Q
ge
Q
gc
t
D（上）
t
ri
t
D（关闭）
t
fi
E
关闭
t
D（上）
t
ri
E
on
t
D（关闭）
t
fi
E
关闭
R
thJC
R
thCK
I
C
= I
C90
; V
CE
= 10 V,
脉冲测试，T
300
女士，
占空比
2 %
1.5 2.49
反向二极管（ FRED ）
符号
V
F
I
RM
t
rr
R
thJC
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
1.6
2.5
6
100
25
V
V
A
ns
ns
1 K / W
I
F
= I
C90
, V
GE
= 0 V,
T
J
= 150°C
脉冲测试，T
300
女士，
占空比
2 % T
J
= 25°C
I
F
= I
C90
, V
GE
= 0 V ， - 二
F
/ DT = 100 A / MS
V
R
= 100 V
I
F
= 1 ; -di / DT = 100 A / MS; V
R
= 30 V
T
J
=100°C
T
J
= 25°C
DIM 。
A
A
1
A
2
b
b
2
C
D
E
E
1
e
H
L
L1
L2
L3
L4
分钟。推荐足迹
毫米
分钟。马克斯。
4.9
5.1
2.7
2.9
.02
.25
1.15
1.45
1.9
2.1
.4
.65
13.80 14.00
15.85 16.05
13.3
13.6
5.45 BSC
18.70 19.10
2.40
2.70
1.20
1.40
1.00
1.15
0.25 BSC
3.80
4.10
英寸
分钟。马克斯。
.193 .201
.106 .114
.001 .010
.045 .057
.75
.83
.016 .026
.543 .551
.624 .632
.524 .535
0.215 BSC
.736 .752
.094 .106
.047 .055
.039 .045
0.010 BSC
.150 .161
版权所有2000 IXYS所有权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利：
4,835,592
4,881,106
5,017,508
5,049,961
5,187,117
5,486,715
4,850,072
4,931,844
5,034,796
5,063,307
5,237,481
5,381,025
2-2
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IP120IG-12
IRG4PF40SD
IDT74FCT245DTQ
IR3899MTR1PBF
IP237R
IRFP350LCPBF
IRKUF82-06DP
IDT74FCT373DB
IDT54FCT646TE
IDT72V223L15PF
IDT7204S65D
IC61C6416-20TI
IPB60R600CP
供货商
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