初步技术信息
GenX3
TM
600V IGBT
W /碳化硅反并联
二极管
IXGA30N60C3C1
IXGP30N60C3C1
IXGH30N60C3C1
V
CES
I
C110
V
CE （ SAT ）
t
网络连接（典型值）
=
=
≤
=
600V
30A
3.0V
47ns
高速PT型IGBT的
40 - 100kHz的开关
TO- 263 （ IXGA ）
G
E
C（ TAB ）
符号
V
CES
V
CGR
V
GES
V
创业板
I
C25
I
C110
I
F110
I
CM
SSOA
（ RBSOA ）
P
C
T
J
T
JM
T
英镑
T
L
T
出售
M
d
重量
测试条件
T
C
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25° C到150° C，R
GE
= 1MΩ
连续
短暂
T
C
= 25°C
T
C
= 110°C
T
C
= 110°C
T
C
= 25 ° C， 1毫秒
V
GE
= 15V ，T
VJ
= 125 ° C，R
G
= 5Ω
钳位感性负载
T
C
= 25°C
最大额定值
600
600
± 20
± 30
60
30
13
150
I
CM
= 60
@
≤
V
CES
220
-55 ... +150
150
-55 ... +150
W
°C
°C
°C
°C
°C
纳米/ lb.in 。
g
g
g
G
C
E
C（ TAB ）
V
V
V
V
A
A
A
A
A
的TO-220 （ IXGP ）
G
C
C（ TAB ）
E
TO- 247 （ IXGH ）
G =门
E =发射器
特点
C
=收藏家
TAB =收藏家
1.6毫米（ 0.062英寸）从案例10秒
塑料体10秒
安装扭矩（ TO- 220 & TO- 247 ）
TO-263
TO-220
TO-247
300
260
1.13/10
2.5
3.0
6.0
优化的低开关损耗
广场RBSOA
反并联肖特基二极管
国际标准封装
优势
符号测试条件
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
V
GE （日）
I
CES
I
GES
V
CE （ SAT ）
I
C
= 250μA ，V
CE
= V
GE
V
CE
= V
CES
, V
GE
= 0V
T
J
= 125°C
V
CE
= 0V, V
GE
= ± 20V
I
C
= 20A ，V
GE
= 15V ，注1
T
J
= 125°C
特征值
分钟。
典型值。
马克斯。
3.5
5.5
25
V
μA
高功率密度
低栅极驱动要求
应用
高频电源逆变器
UPS
电机驱动
SMPS
PFC电路
电池充电器
焊接机
灯镇流器
DS100142A(06/09)
300
μA
±100 nA的
2.6
1.8
3.0
V
V
2009 IXYS公司，版权所有
IXGA30N60C3C1
符号测试条件
特征值
IXGP30N60C3C1
IXGH30N60C3C1
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
g
fs
C
IES
C
OES
C
水库
Q
g
Q
ge
Q
gc
t
D（上）
t
ri
E
on
t
D（关闭）
t
fi
E
关闭
t
D（上）
t
ri
E
on
t
D（关闭）
t
fi
E
关闭
R
thJC
R
乡镇卫生院
TO-220
TO-247
感性负载，T
J
= 125°C
I
C
= 20A ，V
GE
= 15V
V
CE
= 300V ，R
G
= 5Ω
注2
感性负载，T
J
= 25°C
I
C
= 20A ，V
GE
= 15V
V
CE
= 300V ，R
G
= 5Ω
注2
I
C
= 20A ，V
GE
= 15V, V
CE
= 0.5 V
CES
V
CE
= 25V, V
GE
= 0V ， F = 1MHz的
I
C
= 20A ，V
CE
= 10V ，注1
分钟。
9
典型值。
16
1075
196
29
38
8
17
17
20
0.12
42
47
0.09
16
21
0.16
70
90
0.33
0.50
0.21
马克斯。
S
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
mJ
75
0.18
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
0.56 ° C / W
° C / W
° C / W
反向二极管（ SiC）的
符号测试条件
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
V
F
R
thJC
I
F
= 10A ，V
GE
= 0V ，说明1
T
J
= 125°C
特征值
分钟。
典型值。
马克斯。
1.65
1.80
2.10
V
V
1.10 ° C / W
笔记
1.脉冲检验，t
≤
300μS ，占空比D
≤
2%.
2.切换时间&能量损失可能会增加更高的V
CE
（钳） ，T
J
或R
G
.
初步技术信息
本文中所呈现的产品正在开发中。所提供的技术规格衍生
从过程的初步工程很多客观的刻画收集的数据;但也可能还
包含在预生产设计评价提供了一些信息。 IXYS保留权利
更改限制，试验条件和尺寸，恕不另行通知。
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT覆盖
4,835,592
通过以下一种或多项美国专利： 4850072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,381,025
5,486,715
6,162,665
6,259,123 B1
6,306,728 B1
6,404,065 B1
6,534,343
6,583,505
6,683,344
6,710,405 B2
6,710,463
6,727,585
7,005,734 B2
6,759,692
7,063,975 B2
6,771,478 B2 7,071,537
7,157,338B2
IXGA30N60C3C1
IXGP30N60C3C1
IXGH30N60C3C1
图。 7.跨导
24
T
J
= - 40C
20
25C
14
12
V
CE
= 300V
I
C
= 20A
I
G
= 10毫安
16
图。 8.栅极电荷
g
F小号
-
SIEMENS
16
125C
12
V
GE
- 伏特
50
60
70
80
10
8
6
4
8
4
2
0
0
0
10
20
30
40
0
5
10
15
20
25
30
35
40
I
C
- 安培
Q
G
- nanocoulombs
图。 9.电容
10,000
图。 10.反向偏置安全工作区
70
f
= 1兆赫
电容 - 皮法
资本投资者入境计划
60
50
1,000
I
C
- 安培
40
30
20
10
100
卓越中心
T
J
= 125C
R
G
= 5
的dV / dt < 10V / ns的
CRES
10
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0
100
150
200
250
300
350
400
450
500
550
600
650
V
CE
- 伏特
V
CE
- 伏特
图。对于IGBT 11.最大瞬态热阻抗
1.00
Z
（日） JC
- C / W
0.10
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
脉冲宽度 - 秒
2009 IXYS公司，版权所有
IXYS REF ： G_30N60C3C1 （ 4D ） 09年6月3日
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