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高压IGBT

对于电容器放电

应用

初步数据表

IXGH 25N160

IXGT 25N160

V

CES

= 1600 V

I

C25

= 75 A

V

CE （ SAT ）

= 2.5 V

符号

V

CES

V

CGR

V

GES

V

创业板

I

C25

I

C110

I

CM

SSOA

（ RBSOA ）

P

C

T

J

T

JM

T

英镑

测试条件

T

J

= 25 ℃至150 ℃的

T

J

= 25 ℃至150 ℃;

GE

= 1 MΩ

连续

短暂

T

C

= 25°C

T

C

= 110°C

T

C

= 25 ° C，V

GE

= 20 V ， 1毫秒

V

GE

= 15 V ，T

VJ

= 125 ° C，R

G

= 20

Ω

钳位感性负载

T

C

= 25°C

最大额定值

1600

± 20

± 30

75

25

200

I

CM

= 100

@ 0.8 V

CES

300

-55 ... +150

150

-55 ... +150

300

260

V

A

W

°C

TO- 247 （ IXGH ）

G

C

E

C（ TAB ）

TO- 268 （ IXGT ）

G

E

C（ TAB ）

G =门，

E =发射器，

C =收藏家，

TAB =收藏家

特点

高的峰值电流能力

低饱和电压

MOS栅极导通

-drive简约

坚固的结构不扩散核武器条约

国际标准封装

- JEDEC TO- 268和

AD JEDEC TO- 247 -

成型环氧符合UL 94 V- 0

易燃性分类科幻阳离子

应用

电容放电

脉冲发生器电路

优势

高功率密度

适于表面安装

易与1个螺丝安装，

（隔绝安装螺纹孔）

最大无铅焊接温度的

从案例10秒1.6毫米（ 0.062英寸）

最高选项卡下的10秒贴片焊接设备

M

d

重量

安装扭矩（ TO- 247 ）

TO-247

TO-268

1.13 / 10牛米/磅 - 英寸

6

4

g

符号

测试条件

特征值

(T

J

= 25 ° C除非另有规定编）

分钟。典型值。马克斯。

1600

3.0

T

J

= 125°C

V

μA

mA

nA

V

BV

CES

V

GE （日）

I

CES

I

GES

V

CE （ SAT ）

I

C

I

C

= 250

μA,

V

GE

= 0 V

= 250

μA,

V

CE

= V

GE

5.0

50

1

±100

2.5

4.7

V

CE

= 0.8 V

CES

V

GE

= 0 V

V

CE

= 0 V, V

GE

= ±30 V

I

C

I

C

= I

C110

, V

GE

= 15 V

= 100 A，V

GE

= 20 V

DS99381(12/05)

IXGH 25N160

IXGT 25N160

符号

测试条件

特征值

(T

J

= 25 ° C除非另有规定编）

分钟。典型值。马克斯。

14

21

200

2090

94

34

I

C

= 50 A，V

GE

= 15 V, V

CE

= 0.5 V

CES

84

15

37

阻性负载

I

C

= 100 A，V

GE

= 15 V ，注1

V

CE

= 1200 V ，R

G

= 10

Ω

47

236

86

440

S

A

pF

nC

ns

0.42 K / W

(TO-247)

0.25

K / W

DIM 。

e

P

的TO- 247的AD概要

g

fs

I

C（ ON）

C

IES

C

OES

C

水库

Q

g

Q

ge

Q

gc

t

D（上）

t

ri

t

D（关闭）

t

fi

R

thJC

R

thCK

I

C

= 50 A; V

CE

= 10 V ，注1

V

GE

= 15V, V

CE

= 10V ，注1

V

CE

= 25 V, V

GE

= 0 V ， F = 1兆赫

注：1 。

脉冲测试，T < 300

μs,

占空比< 2 ％

TO- 268 ：最低建议足迹

毫米

分钟。马克斯。

A

4.7

5.3

A

1

2.2

2.54

A

2

2.2

2.6

b

1.0

1.4

b

1

1.65

2.13

b

2

2.87

3.12

C

.4

.8

D

20.80 21.46

E

15.75 16.26

e

5.20

5.72

L

19.81 20.32

L1

4.50

P

3.55

3.65

Q

5.89

6.40

R

4.32

5.49

S

6.15 BSC

英寸

分钟。马克斯。

.185 .209

.087 .102

.059 .098

.040 .055

.065 .084

.113 .123

.016 .031

.819 .845

.610 .640

0.205 0.225

.780 .800

.177

.140 .144

0.232 0.252

.170 .216

242 BSC

TO- 268外形

DIM 。

A

1

A

2

b

2

C

D

E

1

e

H

L

L1

L2

L3

L4

初步技术信息

本文中所呈现的产品正在开发中。技术规格

提供的是从过程中的初步目标刻画收集的数据导出

工程地段;而且还可能包含在一个主观的提供了一些资料

生产前设计评估。 IXYS保留更改限制，试验条件的权利，

和尺寸，恕不另行通知。

IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。

IXYS MOSFET和IGBT均受4835592

一个或moreof以下美国专利： 4850072

4,881,106

4,931,844

5,017,508

5,034,796

5,049,961

5,063,307

5,187,117

5,237,481

5,381,025

5,486,715

6,162,665

6,259,123 B1

6,306,728 B1

6,404,065 B1

6,534,343

6,583,505

毫米

分钟。马克斯。

4.9

5.1

2.7

2.9

.02

.25

1.15

1.45

1.9

2.1

.4

.65

13.80 14.00

15.85 16.05

13.3

13.6

5.45 BSC

18.70 19.10

2.40

2.70

1.20

1.40

1.00

1.15

0.25 BSC

3.80

4.10

英寸

分钟。马克斯。

.193 .201

.106 .114

.001 .010

.045 .057

.75

.83

.016 .026

.543 .551

.624 .632

.524 .535

0.215 BSC

.736 .752

.094 .106

.047 .055

.039 .045

0.010 BSC

.150 .161

6,683,344

6,710,405B2

6,710,463

6,727,585

6,759,692

6771478 B2

IXGH 25N160

IXGT 25N160

图。 1.输出特性

@ 25C

150

V

GE

= 25V

20V

125

275

250

225

200

V

GE

= 25V

20V

图。 2. Exteded输出特性

@ 25C

I

C

-

安培

I

C

- 安培

100

15V

175

150

125

100

75

15V

75

10V

50

10V

25

50

25

0

1

2

3

4

5

6

0

2

4

6

8

10

12

14

16

18

20

V

CE

- 伏特

V

CE

- 伏特

图。 3.输出特性

@ 125C

150

V

GE

= 25V

20V

125

2.1

图。 4.依赖的V

CE （ SAT ）

on

结温

V

GE

= 15V

1.9

I

C

- 安培

100

15V

V

CE （ SAT ）

- 归

1.7

1.5

1.3

I

C

= 150A

75

10V

50

I

C

= 100A

1.1

0.9

25

0.7

0

1

2

3

4

5

6

7

8

0.5

-50

-25

0

25

I

C

= 50A

50

75

100

125

150

V

CE

- 伏特

T

J

- 摄氏

图。 5.集电极 - 发射极电压

与门极 - 发射极电压

10

9

8

T

J

= 25C

200

180

160

I

C

= 150A

100A

50A

140

图。 6.输入导纳

V

CE

- 伏特

7

6

5

4

I

C

-

安培

T

J

= - 40C

25C

125C

120

100

80

60

40

3

2

7

9

11

13

15

17

19

21

23

25

20

0

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

15

V

GE

- 伏特

V

GE

- 伏特

IXGH 25N160

IXGT 25N160

图。 7.跨导

27

24

21

18

15

12

9

6

3

0

20

40

60

80

100

120

140

160

180

200

T

J

= - 40C

25C

125C

480

440

400

I

C

= 150A

图。 8.电阻导通上升时间

- 结温

t

r

- 纳秒

g

F小号

-

SIEMENS

360

320

280

240

200

160

25

R

G

= 10

Ω

V

GE

= 15V

V

CE

= 1200V

I

C

= 100A

I

C

= 50A

35

45

55

65

75

85

95

105

115

125

I

C

- 安培

T

J

- 摄氏

图。 9.电阻导通上升时间

与集电极电流

500

460

420

R

G

= 10

Ω

V

GE

= 15V

V

CE

= 1200V

700

650

600

图。 10.电阻导通开关时间

与栅极电阻

t

r

t

D（上）

- - - -

82

78

74

I

C

= 150A

T

J

= 125°C ，V

GE

= 15V

V

CE

= 1200V

t

（O N）

- 纳秒

t

r

- 纳秒

380

340

300

260

220

180

140

50

60

70

80

90

100

110

120

130

140

150

T

J

= 25C

T

J

= 125C

t

r

- 纳秒

550

500

450

400

350

300

250

200

10

15

20

25

30

35

40

45

50

I

C

= 50A, 100A

70

66

62

58

54

50

46

42

I

C

- 安培

R

G

- 欧姆

图。 11.电阻关断开关时间

- 结温

1200

1100

1000

900

I

C

= 50A

125

120

115

图。 12.电阻关断开关时间

与集电极电流

1140

124

t

f

980

t

D（关闭）

- - - -

116

R

G

= 10

Ω

, V

GE

= 15V

V

CE

= 1200V

t

（O F F ）

- 纳秒

t

（O F F ）

- 纳秒

t

f

- 纳秒

110

105

100

95

t

f

- 纳秒

800

700

600

500

400

300

200

100

25

35

820

T

J

= 25C

660

108

t

f

t

D（关闭）

- - - -

R

G

= 10

Ω

, V

GE

= 15V

V

CE

= 1200V

I

C

= 100A, 150A

100

90

85

80

75

500

T

J

= 25C

340

92

84

45

55

65

75

85

95

70

105 115 125

180

50

60

70

80

90

76

100 110 120 130 140 150

T

J

- 摄氏

I

C

- 安培

IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。

IXGH 25N160

IXGT 25N160

图。 13.电阻关断开关时间

与栅极电阻

1000

450

16

14

V

CE

= 800V

I

C

= 50A

I

G

= 10毫安

图。 14.栅极电荷

t

f

900

800

t

D（关闭）

- - - -

400

350

I

C

= 50A

300

250

200

150

100

50

T

J

= 125°C ，V

GE

= 15V

V

CE

= 1200V

t

（O F F ）

- 纳秒

12

t

f

- 纳秒

600

500

400

300

200

10

15

20

25

30

35

40

45

50

V

GE

- 伏特

700

10

8

6

4

2

0

10

20

30

40

50

60

70

80

90

I

C

= 150A, 100A

R

G

- 欧姆

Q

G

- nanocoulombs

图。 15.反向偏置安全工作区

110

100

10,000

F = 1 MHz的

图。 16.电容

80

70

60

50

40

30

20

10

0

200

400

600

800

1000

1200

1400

1600

T

J

= 125C

R

G

= 20

Ω

的dV / dt < 10V / ns的

电容 - 皮法

90

IES

I

C

- 安培

1,000

OES

100

RES

10

0

5

10

15

20

25

30

35

40

V

CE

- 伏特

V

CE

- 伏特

图。 17.最大瞬态热阻

1.00

R

（日） JC

- C / W

0.10

0.01

0.0001

0.001

0.01

0.1

1

10

脉冲宽度 - 秒