【初步技术信息GenX3TM1200V IGBT高速PT型IGBT的10-50kHz切换IXGH24N】,IC型号IXGH24N120C3H1,IXGH24N120C3H1 PDF资料,IXGH24N120C3H1经销商,ic,电子元器件-51电子网

初步技术信息

GenX3

TM

1200V IGBT

高速PT型IGBT的

10-50kHz切换

IXGH24N120C3H1

V

CES

=

I

C25

=

V

CE （ SAT ）

≤

t

网络连接（典型值）

=

1200V

48A

4.2V

110ns

符号

V

CES

V

CGR

V

GES

V

创业板

I

C25

I

C100

I

CM

I

A

E

AS

SSOA

（ RBSOA ）

P

C

T

J

T

JM

T

英镑

M

d

T

L

T

出售

重量

测试条件

T

J

= 25 ℃至150 ℃的

T

J

= 25° C到150° C，R

GE

= 1MΩ

连续

短暂

T

C

= 25°C

T

C

= 100°C

T

C

= 25 ° C， 1毫秒

T

C

= 25°C

T

C

= 25°C

V

GE

= 15V ，T

J

= 125 ° C，R

G

= 5Ω

钳位感性负载@V

CE

≤

1200V

T

C

= 25°C

最大额定值

1200

±20

±30

48

24

96

20

250

I

CM

= 48

250

-55 ... +150

150

-55 ... +150

V

A

mJ

A

W

°C

纳米/ lb.in 。

°C

g

TO-247AD

G

C

E

TAB

G =门

E =发射器

C =收藏家

TAB =收藏家

特点

国际标准封装：

JEDEC TO- 247AD

IGBT和一个反并联FRD

包

MOS栅极导通

- 驱动器的简单

声波FRD二极管

- 软恢复低我

RM

额定雪崩

应用

安装力矩

最大无铅焊接温度的

1.6毫米（ 0.062英寸）从案例10秒

1.13/10

300

260

6

符号

测试条件

(T

J

= 25 ° C，除非另有规定编）

BV

CES

V

GE （日）

I

CES

I

GES

V

CE （ SAT ）

I

C

I

C

= 250μA ，V

GE

= 0V

= 250μA ，V

CE

= V

GE

T

J

= 125°C

特征值

分钟。

典型值。

马克斯。

1200

2.5

5.0

100

1.5

±100

T

J

= 125°C

3.6

3.1

4.2

V

μA

mA

nA

V

CE

= V

CES

V

GE

= 0V

V

CE

= 0V, V

GE

=

±20V

I

C

= 20A ，V

GE

= 15V ，注意2

交流电机调速

直流伺服和机器人的驱动器

直流斩波器

不间断电源（ UPS ）

开关模式和谐振模

电源

DS99942(01/08)

IXGH24N120C3H1

符号

测试条件

(T

J

= 25 ° C，除非另有规定编）

g

fs

C

IES

C

OES

C

水库

Q

g

Q

ge

Q

gc

t

D（上）

t

ri

E

on

t

D（关闭）

t

fi

E

关闭

t

D（上）

t

ri

E

on

t

D（关闭）

t

fi

E

关闭

R

thJC

R

thCK

感性负载，T

J

= 125°C

°

I

C

= 20A ，V

GE

= 15V

V

CE

= 600V ，R

G

= 5Ω

注1

感性负载，T

J

= 25°C

°

I

C

= 20A ，V

GE

= 15V

V

CE

= 600V ，R

G

= 5Ω

注1

I

C

= 24A ，V

GE

= 15V, V

CE

= 0.5

V

CES

I

C

= 24A ，V

CE

= 10V ，注意2

V

CE

= 25V, V

GE

= 0V ， F = 1MHz的

特征值

分钟。

典型值。

马克斯。

10

17

1900

125

52

79

12

36

16

27

1.16

93

110

0.47

16

35

2.18

125

305

1.18

0.85

S

pF

nC

ns

mJ

ns

mJ

ns

mJ

ns

mJ

TO- 247 （ IXGH ） AD纲要

1 - 门

2 =收藏家

3 =发射器

TAB =收藏家

2.00

0.25

0.50

° C / W

反向二极管（ FRED ）

符号

测试条件

(T

J

= 25 ° C，除非另有规定编）

V

F

I

RM

t

rr

R

thJC

注意事项：

1.

2.

切换时间可能会增加V

CE

（钳） > 0.8 V

CES

,

更高的温度

J

或加强研究

G

.

脉冲测试，T

≤

300μS ;占空比D

≤

2%.

I

F

= 20A ，V

GE

= 0V

T

J

= 125°C

I

F

= 20A ， - 二

F

/ DT = 750A / μs的，V

R

= 800V

V

GE

= 0V

19

70

特征值

MIN 。 TYP 。

马克斯。

3.0

2.8

V

A

ns

0.9

° C / W

初步技术信息

本文中所呈现的产品正在开发中。所提供的技术规格衍生

从过程的初步工程很多客观的刻画收集的数据;但也可能还

包含在预生产设计评价提供了一些信息。 IXYS保留权利

更改限制，试验条件和尺寸，恕不另行通知。

IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。

IXYS MOSFET和IGBT覆盖

4,835,592

通过以下一种或多项美国专利： 4850072

4,881,106

4,931,844

5,017,508

5,034,796

5,049,961

5,063,307

5,187,117

5,237,481

5,381,025

5,486,715

6,162,665

6,259,123 B1

6,306,728 B1

6,404,065 B1

6,534,343

6,583,505

6,683,344

6,727,585

7,005,734 B2

6,710,405 B2 6,759,692

7,063,975 B2

6,710,463

6,771,478 B2 7,071,537

7,157,338B2

IXGH24N120C3H1

图。 1.输出特性

@ 25C

50

45

40

35

30

25

20

15

10

5

0

0.0

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

3.5

4.0

4.5

5.0

5.5

5V

0

2

4

6

8

10

12

14

16

18

20

22

24

26

7V

V

GE

= 15V

13V

11V

180

V

GE

= 15V

160

140

13V

图。 2.扩展的输出特性

@ 25C

I

C

-

安培

I

C

- 安培

9V

120

100

80

60

40

20

7V

9V

11V

V

CE

- 伏特

V

CE

- 伏特

图。 3.输出特性

@ 125C

50

45

40

35

V

GE

= 15V

13V

11V

1.4

1.3

图。 4.依赖的V

CE （ SAT ）

on

结温

V

GE

= 15V

I

9V

C

= 48A

V

CE （ SAT ）

- 归

1.2

1.1

1.0

0.9

0.8

I

C

I

C

- 安培

30

25

20

15

10

5

0

0.0

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

3.5

4.0

4.5

5.0

5.5

5V

7V

= 24A

0.7

0.6

-50

-25

0

25

50

I

C

= 12A

75

100

125

150

V

CE

- 伏特

T

J

- 摄氏

图。 5.集电极 - 发射极电压

与门极 - 发射极电压

8.0

7.5

7.0

6.5

I

= 48A

24A

12A

T

J

= 25C

60

55

50

C

图。 6.输入导纳

45

T

J

= - 40C

25C

125C

6.0

5.5

5.0

4.5

I

C

-

安培

40

35

30

25

20

15

V

CE

- 伏特

4.0

3.5

3.0

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

15

10

5

0

4.0

4.5

5.0

5.5

6.0

6.5

7.0

7.5

8.0

8.5

9.0

V

GE

- 伏特

V

GE

- 伏特

IXGH24N120C3H1

图。 7.跨导

26

24

22

20

25C

T

J

= - 40C

14

12

16

V

CE

= 600V

I

C

= 24A

I

G

= 10毫安

图。 8.栅极电荷

g

F小号

-

SIEMENS

18

16

14

12

10

8

6

4

2

0

10

20

30

40

50

60

125C

V

GE

- 伏特

70

80

10

8

6

4

2

0

10

20

30

40

50

60

70

80

I

C

- 安培

Q

G

- nanocoulombs

图。 9.电容

10,000

55

图。 10.反向偏置安全工作区

50

45

f

= 1兆赫

电容 - 皮法

I

C

- 安培

1,000

资本投资者入境计划

40

35

30

25

20

15

10

T

J

= 125C

R

G

= 5

Ω

的dV / dt < 10V / ns的

卓越中心

100

CRES

10

0

5

10

15

20

25

30

35

40

5

0

200

400

600

800

1000

1200

1400

V

CE

- 伏特

V

CE

- 伏特

图。 11.最大瞬态热阻抗

1.00

Z

（日） JC

- C / W

0.10

0.01

0.00001

0.0001

0.001

0.01

0.1

1

10

脉冲宽度 - 秒

IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。

IXYS REF ： G_24N120C3H1 （ 4N ） 01-15-08C

IXGH24N120C3H1

图。 12.感应开关

能量损耗与栅极电阻

1.4

1.3

1.2

I

E

关闭

V

CE

= 600V

0.9

0.8

0.7

0.6

0.5

4

6

8

10

12

14

16

18

20

I

C

= 10A

1.6

1.4

1.2

1.0

0.8

E

on

-

C

图。 13.感应开关

能量损失与集电极电流

2.6

2.4

1.8

1.6

1.4

E

关闭

V

CE

= 600V

E

on

2.2

----

2.0

1.8

R

G

= 5

Ω

,

V

GE

= 15V

= 20A

2.2

E

关闭

- 毫焦耳

E

关闭

- 毫焦耳

1.1

1.0

---

2.0

1.8

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

0.0

10

11

12

13

14

15

16

17

18

19

20

T

J

= 25C

T

J

= 125C

1.6

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

E

on

- 毫焦耳

T

J

= 125℃ ，V

GE

= 15V

- 毫焦耳

R

G

- 欧姆

I

C

- 安培

图。 14.感应开关

能量损失与结温

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

I

C

= 10A

0.2

0.0

25

35

45

55

65

75

85

95

105

115

0.4

0.0

125

E

关闭

V

CE

= 600V

E

on

2.8

360

340

320

图。 15.感应开启关闭

开关时间与栅极电阻

400

----

I

C

= 20A

R

G

= 5

Ω

,

V

GE

= 15V

2.4

2.0

t

f

V

CE

= 600V

t

D（关

)

- - - -

360

320

280

T

J

= 125°C ，V

GE

= 15V

t

D（关闭）

- 纳秒

E

关闭

- 毫焦耳

t

f

- 纳秒

E

- 毫焦耳

300

280

260

I

240

220

200

4

6

8

10

12

14

16

18

20

C

on

1.6

1.2

0.8

I

C

= 20A

240

200

= 10A

160

120

80

T

J

- 摄氏

R

G

- 欧姆

图。 16.感应开启关闭

开关时间与集电极电流

380

340

300

130

125

300

120

350

图。 17.感应开启关闭

开关时间与结温

140

t

f

V

CE

= 600V

t

D（关闭）

- - - -

130

R

G

= 5

Ω

, V

GE

= 15V

t

D（关闭）

- 纳秒

t

f

- 纳秒

t

f

- 纳秒

T

J

= 125C

260

220

180

140

100

60

20

10

11

12

13

14

15

16

17

18

19

20

T

J

= 25C

115

D（关闭）

250

I

200

C

120

= 20A

110

- 纳秒

t

f

V

CE

= 600V

t

D（关

)

- - - -

110

105

100

95

R

G

= 5

Ω

, V

GE

= 15V

150

I

C

= 10A

100

90

85

50

25

35

45

55

65

75

85

95

105

115

90

80

125

I

C

- 安培

T

J

- 摄氏