V
CES
低V
CE （ SAT ）
IGBT
高速IGBT
I
C25
V
CE （ SAT ）
3.5 V
4.0 V
IXGH / IXGM 17 N100 1000 V一34
IXGH / IXGM 17 N100A 1000 V一34
符号
V
CES
V
CGR
V
GES
V
创业板
I
C25
I
C90
I
CM
SSOA
（ RBSOA ）
P
C
T
J
T
JM
T
英镑
M
d
重量
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25 ℃至150 ℃;
GE
= 1 M
连续
短暂
T
C
= 25°C
T
C
= 90°C
T
C
= 25 ° C， 1毫秒
V
GE
= 15 V ，T
VJ
= 125 ° C，R
G
= 82
钳位感性负载， L = 300
H
T
C
= 25°C
最大额定值
1000
1000
±20
±30
34
17
68
I
CM
= 34
@ 0.8 V
CES
150
-55 ... +150
150
-55 ... +150
V
V
V
V
A
A
A
A
W
°C
°C
°C
AD TO- 247 （ IXGH ）
G
C
E
TO- 204 AE （ IXGM ）
C
G =门，
E =发射器，
C =收藏家，
TAB =收藏家
安装扭矩（ M3 ）
1.13 / 10牛米/ lb.in 。
TO- 204 = 18克， TO- 247 = 6克
300
°C
最大无铅焊接温度的
从案例10秒1.6毫米（ 0.062英寸）
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
1000
2.5
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
5
250
1
±100
17N100
17N100A
3.5
4.0
V
V
A
mA
nA
V
V
特点
国际标准封装
第二代HDMOS
TM
过程
低V
CE （ SAT ）
- 低通态传导损耗
高电流处理能力
MOS栅极导通
- 驱动器的简单
额定电压保证在高
温度（125℃ ）
l
l
l
l
l
l
BV
CES
V
GE （日）
I
CES
I
GES
V
CE （ SAT ）
I
C
I
C
= 3毫安， V
GE
= 0 V
= 250
A,
V
CE
= V
GE
V
CE
= 0.8 V
CES
V
GE
= 0 V
V
CE
= 0 V, V
GE
=
±20
V
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V
应用
交流电机调速
直流伺服和机器人的驱动器
直流斩波器
不间断电源（ UPS ）
开关模式和谐振模
电源
l
l
l
l
l
l
l
优势
易与1螺钉安装（ TO- 247 ）
（隔绝安装螺纹孔）
高功率密度
版权所有1996 IXYS所有权利。
91515E (3/96)
IXGH 17N100
IXGH 17N100A
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
6
15
S
IXGM 17N100
IXGM 17N100A
的TO- 247的AD概要
g
fs
C
IES
C
OES
C
水库
Q
g
Q
ge
Q
gc
t
D（上）
t
ri
t
D（关闭）
t
fi
E
关闭
t
D（上）
t
ri
E
on
t
D（关闭）
t
fi
E
关闭
R
thJC
R
thCK
I
C
= I
C90
; V
CE
= 10 V,
脉冲测试，T
≤
300
s,
占空比
≤
2 %
1500
V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V ， F = 1兆赫
175
40
100
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V, V
CE
= 0.5 V
CES
感性负载，T
J
= 25°C
°
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V ， L = 300
H,
V
CE
= 0.8 V
CES
, R
G
= R
关闭
= 82
备注：开关时间
可能增加
对于V
CE
（钳） > 0.8 V
CES
,
更高的温度
J
或加强研究
G
感性负载，T
J
= 125°C
°
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V ， L = 300
H
V
CE
= 0.8 V
CES
, R
G
= R
关闭
= 82
备注：开关时间
可能增加
对于V
CE
（钳） > 0.8 V
CES
,
更高的温度
J
或加强研究
G
17N100
17N100A
17N100
17N100A
17N100
17N100A
17N100A
20
60
100
200
500
750
450
3
100
200
2.5
700
1200
750
8
6
1000
2000
1000
1000
750
120
30
90
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
ns
ns
ns
mJ
mJ
0.83 K / W
1 - 门
2 =收藏家
3 =发射器
TAB =收藏家
TO- 204AE大纲
0.25
K / W
IXGH 17N100和IXGH 17N100的特性曲线位于
IXGH 17N100U1和IXGH 17N100AU1数据表。
1 - 门
2 - 发射极
案例 - 集电极
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利：
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
V
CES
低V
CE （ SAT ）
IGBT
高速IGBT
I
C25
V
CE （ SAT ）
3.5 V
4.0 V
IXGH / IXGM 17 N100 1000 V一34
IXGH / IXGM 17 N100A 1000 V一34
符号
V
CES
V
CGR
V
GES
V
创业板
I
C25
I
C90
I
CM
SSOA
（ RBSOA ）
P
C
T
J
T
JM
T
英镑
M
d
重量
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25 ℃至150 ℃;
GE
= 1 M
连续
短暂
T
C
= 25°C
T
C
= 90°C
T
C
= 25 ° C， 1毫秒
V
GE
= 15 V ，T
VJ
= 125 ° C，R
G
= 82
钳位感性负载， L = 300
H
T
C
= 25°C
最大额定值
1000
1000
±20
±30
34
17
68
I
CM
= 34
@ 0.8 V
CES
150
-55 ... +150
150
-55 ... +150
V
V
V
V
A
A
A
A
W
°C
°C
°C
AD TO- 247 （ IXGH ）
G
C
E
TO- 204 AE （ IXGM ）
C
G =门，
E =发射器，
C =收藏家，
TAB =收藏家
安装扭矩（ M3 ）
1.13 / 10牛米/ lb.in 。
TO- 204 = 18克， TO- 247 = 6克
300
°C
最大无铅焊接温度的
从案例10秒1.6毫米（ 0.062英寸）
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
1000
2.5
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
5
250
1
±100
17N100
17N100A
3.5
4.0
V
V
A
mA
nA
V
V
特点
国际标准封装
第二代HDMOS
TM
过程
低V
CE （ SAT ）
- 低通态传导损耗
高电流处理能力
MOS栅极导通
- 驱动器的简单
额定电压保证在高
温度（125℃ ）
l
l
l
l
l
l
BV
CES
V
GE （日）
I
CES
I
GES
V
CE （ SAT ）
I
C
I
C
= 3毫安， V
GE
= 0 V
= 250
A,
V
CE
= V
GE
V
CE
= 0.8 V
CES
V
GE
= 0 V
V
CE
= 0 V, V
GE
=
±20
V
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V
应用
交流电机调速
直流伺服和机器人的驱动器
直流斩波器
不间断电源（ UPS ）
开关模式和谐振模
电源
l
l
l
l
l
l
l
优势
易与1螺钉安装（ TO- 247 ）
（隔绝安装螺纹孔）
高功率密度
版权所有1996 IXYS所有权利。
91515E (3/96)
IXGH 17N100
IXGH 17N100A
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
6
15
S
IXGM 17N100
IXGM 17N100A
的TO- 247的AD概要
g
fs
C
IES
C
OES
C
水库
Q
g
Q
ge
Q
gc
t
D（上）
t
ri
t
D（关闭）
t
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E
关闭
t
D（上）
t
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t
D（关闭）
t
fi
E
关闭
R
thJC
R
thCK
I
C
= I
C90
; V
CE
= 10 V,
脉冲测试，T
≤
300
s,
占空比
≤
2 %
1500
V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V ， F = 1兆赫
175
40
100
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V, V
CE
= 0.5 V
CES
感性负载，T
J
= 25°C
°
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V ， L = 300
H,
V
CE
= 0.8 V
CES
, R
G
= R
关闭
= 82
备注：开关时间
可能增加
对于V
CE
（钳） > 0.8 V
CES
,
更高的温度
J
或加强研究
G
感性负载，T
J
= 125°C
°
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V ， L = 300
H
V
CE
= 0.8 V
CES
, R
G
= R
关闭
= 82
备注：开关时间
可能增加
对于V
CE
（钳） > 0.8 V
CES
,
更高的温度
J
或加强研究
G
17N100
17N100A
17N100
17N100A
17N100
17N100A
17N100A
20
60
100
200
500
750
450
3
100
200
2.5
700
1200
750
8
6
1000
2000
1000
1000
750
120
30
90
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
ns
ns
ns
mJ
mJ
0.83 K / W
1 - 门
2 =收藏家
3 =发射器
TAB =收藏家
TO- 204AE大纲
0.25
K / W
IXGH 17N100和IXGH 17N100的特性曲线位于
IXGH 17N100U1和IXGH 17N100AU1数据表。
1 - 门
2 - 发射极
案例 - 集电极
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利：
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
QQ：2881677436 复制
