【高压IGBTIXGH10N170IXGT10N170VCES= 1700VIC90= 10AVCE 】,IC型号IXGH10N170,IXGH10N170 PDF资料,IXGH10N170经销商,ic,电子元器件-51电子网

高压

IGBT

IXGH10N170

IXGT10N170

V

CES

= 1700V

I

C90

= 10A

V

CE （ SAT ）

≤

4.0V

TO- 247 （ IXGH ）

符号

V

CES

V

CGR

V

GES

V

创业板

I

C25

I

C90

I

CM

SSOA

（ RBSOA ）

P

C

T

J

T

JM

T

英镑

T

L

T

出售

M

d

重量

测试条件

T

C

= 25 ℃至150 ℃的

T

J

= 25° C到150° C，R

GE

= 1M

Ω

连续

短暂

T

C

= 25°C

T

C

= 90°C

T

C

= 25 ° C， 1毫秒

V

GE

= 15V ，T

VJ

= 125 ° C，R

G

= 16

Ω

钳位感性负载

T

C

= 25°C

最大额定值

1700

± 20

± 30

20

10

70

I

CM

= 20

@ 0.8 V

CES

110

-55 ... +150

150

-55 ... +150

W

°C

纳米/ lb.in 。

g

特点

国际标准封装

JEDEC TO- 268和

JEDEC TO- 247 AD

高电流处理能力

MOS栅极导通

- 驱动器的简单

坚固的结构不扩散核武器条约

成型环氧符合UL 94 V- 0

易燃性分类科幻阳离子

应用

V

A

G =门

E =发射器

C

=收藏家

TAB =收藏家

G

C

E

C（ TAB ）

TO- 268 （ IXGT ）

E

C（ TAB ）

1.6毫米（ 0.062英寸）从案例10秒

塑料体10秒

安装扭矩（ TO- 247 ）

TO-247

TO-268

300

260

1.13/10

6

4

符号测试条件

(T

J

= 25 ° C除非另有规定编）

BV

CES

V

GE （日）

I

CES

I

GES

V

CE （ SAT ）

I

C

= 250μA ，V

GE

= 0V

I

C

= 250μA ，V

CE

= V

GE

V

CE

= 0.8 V

CES

V

GE

= 0V

V

CE

= 0V, V

GE

= ± 20V

I

C

= I

C90

, V

GE

= 15V ，注1

T

J

= 125°C

T

J

= 125°C

特征值

MIN 。 TYP 。

马克斯。

1700

3.0

5.0

50

500

±100

2.7

3.4

4.0

V

μA

nA

V

电容放电&脉冲发生器电路

交流电机调速

直流伺服和机器人的驱动器

直流斩波器

不间断电源（ UPS ）

开关模式和谐振模

电源

优势

高功率密度

适于表面安装

易与1个螺丝安装，

（隔绝安装螺纹孔）

DS98992A(10/08)

IXGH10N170

IXGT10N170

符号

测试条件

(T

J

= 25 ° C除非另有规定编）

g

fs

I

C（ ON）

C

IES

C

OES

C

水库

Q

g

Q

ge

Q

gc

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

t

D（上）

t

ri

t

D（关闭）

t

fi

R

thJC

R

乡镇卫生院

(TO-247)

0.25

阻性负载，T

J

= 25°C

I

C

= 10A ，V

GE

= 15V

V

CE

= 850V ，R

G

= 16

Ω

阻性负载，T

J

= 125°C

I

C

= 10A ，V

GE

= 15V

V

CE

= 850V ，R

G

= 16

Ω

I

C

= 10A ，V

GE

= 15V, V

CE

= 0.5 V

CES

V

CE

= 25V, V

GE

= 0V ， F = 1MHz的

I

C

= 10A ，V

CE

= 10V ，注1

V

CE

= 10V, V

GE

= 10V

特征值

分钟。

典型值。

马克斯。

3.8

6.3

33

700

40

14

32

4

16

30

69

132

600

30

270

135

495

1.1

S

A

pF

nC

ns

° C / W

的TO- 247的AD概要

1

2

3

端子： 1 - 门

2 - 漏极

DIM 。

毫米

分钟。马克斯。

A

4.7

5.3

2.2

2.54

A

1

A

2

2.2

2.6

b

1.0

1.4

b

1

1.65

2.13

b

2

2.87

3.12

C

.4

.8

D

20.80 21.46

E

15.75 16.26

e

5.20

5.72

L

19.81 20.32

L1

4.50

P

3.55

3.65

Q

5.89

6.40

R

4.32

5.49

英寸

分钟。马克斯。

.185 .209

.087 .102

.059 .098

.040 .055

.065 .084

.113 .123

.016 .031

.819 .845

.610 .640

0.205 0.225

.780 .800

.177

.140 .144

0.232 0.252

.170 .216

TO- 268外形

注1 ：脉冲检验，t

≤

300μS ，占空比D

≤

2%.

闵推荐足迹

端子： 1 - 门

2 - 漏极

IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。

IXYS MOSFET和IGBT覆盖

4,835,592

通过以下一种或多项美国专利： 4850072

4,881,106

4,931,844

5,017,508

5,034,796

5,049,961

5,063,307

5,187,117

5,237,481

5,381,025

5,486,715

6,162,665

6,259,123 B1

6,306,728 B1

6,404,065 B1

6,534,343

6,583,505

6,683,344

6,727,585

7,005,734 B2

6,710,405 B2 6,759,692

7,063,975 B2

6,710,463

6,771,478 B2 7,071,537

7,157,338B2

IXGH10N170

IXGT10N170

图。 1.输出特性

@ 25C

20

18

16

14

V

GE

= 15V

13V

11V

80

V

GE

= 15V

70

60

13V

图。 2.扩展的输出特性

@ 25C

I

C

- 安培

12

10

8

6

4

2

0

0.0

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

I

C

-

安培

9V

50

40

30

9V

20

11V

7V

5V

3.5

4.0

10

7V

0

2

4

6

8

10

12

14

16

18

20

V

CE

- 伏特

V

CE

- 伏特

图。 3.输出特性

@ 125C

20

18

16

14

V

GE

= 15V

13V

11V

2.0

1.8

图。 4.依赖的V

CE （ SAT ）

on

结温

V

GE

= 15V

I

C

= 20A

V

CE （ SAT ）

- 归

1.6

1.4

I

1.2

1.0

0.8

0.6

I

= 5A

C

I

C

- 安培

12

10

8

6

4

2

0

0.0

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

3.5

4.0

9V

=10A

7V

5V

C

4.5

5.0

-50

-25

0

25

50

75

100

125

150

V

CE

- 伏特

T

J

- 摄氏

图。 5.集电极 - 发射极电压

与门极 - 发射极电压

7.0

6.5

6.0

5.5

25

C

图。 6.输入导纳

35

T

J

= - 40C

25C

125C

T

J

= 25C

30

I

C

-

安培

V

CE

- 伏特

5.0

4.5

4.0

3.5

3.0

2.5

2.0

1.5

6

7

8

5A

I

= 20A

20

15

10

5

0

10A

9

10

11

12

13

14

15

4.5

5.0

5.5

6.0

6.5

7.0

7.5

8.0

8.5

9.0

9.5

10.0

V

GE

- 伏特

V

GE

- 伏特

IXYS REF ： G_10N170 （ 3N ） 08年10月13日-A

IXGH10N170

IXGT10N170

图。 7.跨导

10

9

8

7

25C

12

10

8

6

4

2

1

0

5

10

15

20

25

30

35

2

0

4

8

12

16

20

24

28

32

T

J

= - 40C

14

16

V

CE

= 850V

I

C

= 10A

I

G

= 10毫安

图。 8.栅极电荷

g

F小号

-

SIEMENS

5

4

3

I

C

- 安培

V

GE

- 伏特

6

125C

Q

G

- nanocoulombs

图。 9.反向偏置安全工作区

22

20

1,000

图。 10.电容

16

I

C

- 安培

14

12

10

8

6

T

J

= 150C

R

G

= 16

的dV / dt < 10V / ns的

电容 - 皮法

18

资本投资者入境计划

100

卓越中心

4

10.0

2

0

200

f

= 1兆赫

10

CRES

400

600

800

1000

1200

1400

1600

1800

0

5

10

15

20

25

30

35

40

V

CE

- 伏特

V

CE

- 伏特

图。 11.最大瞬态热阻抗

2.0

1.0

Z

（日） JC

- C / W

0.1

0.0001

0.001

0.01

0.1

1

脉冲宽度 - 二

IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。

IXGH10N170

IXGT10N170

图。 12.电阻导通上升时间

- 结温

350

300

250

200

150

I

100

50

0

25

35

45

55

65

75

85

95

105

115

125

C

图。 13.电阻导通上升时间

与集电极电流

350

R

G

= 16

V

GE

= 15V

V

CE

= 850V

T

J

= 125C

200

150

100

50

0

4

6

8

10

12

14

16

18

20

T

J

= 25C

R

G

= 16

V

GE

= 15V

V

CE

= 850V

I

= 20A

300

250

t

r

- 纳秒

C

= 10A

t

r

- 纳秒

T

J

- 摄氏

I

C

- 安培

图。 14.电阻导通开关时间

与栅极电阻

400

380

360

65

800

700

图。 15.电阻关断开关时间

- 结温

160

t

r

V

CE

= 850V

t

D（上

)

- - - -

T

J

= 125°C ，V

GE

= 15V

I

C

= 20A

60

55

50

I

C

= 10A

45

40

35

30

25

100

t

f

I

C

= 10A

V

CE

= 850V

t

D（关闭）

- - - -

R

G

= 16, V

GE

= 15V

150

t

D（上）

- 纳秒

t

D（关闭）

- 纳秒

t

r

- 纳秒

340

320

300

280

260

240

10

20

30

40

50

60

70

80

90

t

f

- 纳秒

600

500

400

300

200

100

25

35

45

55

65

75

I

C

= 20A

140

130

120

110

100

90

125

85

95

105

115

R

G

- 欧姆

T

J

- 摄氏

图。 16.电阻关断开关时间

与集电极电流

1400

1200

1000

800

600

400

200

0

4

6

8

10

12

14

16

18

20

T

J

= 125C, 25C

210

700

650

600

图。 17.电阻关断开关时间

与栅极电阻

500

450

400

t

f

V

CE

= 850V

t

D（关

)

- - - -

R

G

= 16, V

GE

= 15V

190

t

f

V

CE

= 850V

t

D（关

)

- - - -

T

J

= 125°C ，V

GE

= 15V

t

D（关闭）

- 纳秒

t

D（关闭）

- 纳秒

t

f

- 纳秒

t

f

- 纳秒

170

150

130

110

90

70

550

500

450

400

350

300

250

200

10

350

300

I

C

= 10A

250

200

150

I

C

= 20A

100

50

0

100

20

30

40

50

60

70

80

90

I

C

- 安培

R

G

- 欧姆

IXYS REF ： G_10N170 （ 3N ） 08年10月13日-A