【初步技术信息GenX3TM300V IGBT高速PT型IGBT的50-150kHz开关IXGH100】,IC型号IXGH100N30C3,IXGH100N30C3 PDF资料,IXGH100N30C3经销商,ic,电子元器件-51电子网

初步技术信息

GenX3

TM

300V IGBT

高速PT型IGBT的

50-150kHz开关

IXGH100N30C3

V

CES

I

C110

V

CE （ SAT ）

t

fi

典型值

=

≤

=

300V

100A

1.85V

94ns

符号

V

CES

V

CGR

V

GES

V

创业板

I

C25

I

C110

I

CM

I

A

E

AS

SSOA

（ RBSOA ）

P

C

T

J

T

JM

T

英镑

T

L

T

出售

M

d

重量

测试条件

T

J

= 25 ℃至150 ℃的

T

J

= 25° C到150° C，R

GE

= 1M

连续

短暂

T

C

= 25°C （受引线）

T

C

= 110 ° C（芯片功能）

T

C

= 25 ° C， 1毫秒

T

C

= 25°C

T

C

= 25°C

V

GE

= 15V ，T

VJ

= 125 ° C，R

G

= 2

钳位感性负载@

≤

300V

T

C

= 25°C

最大额定值

300

±20

±30

75

100

500

100

500

I

CM

= 200

460

-55 ... +150

150

-55 ... +150

V

A

mJ

A

TO- 247 （ IXGH ）

G

C

E

（ TAB ）

G =门

E =发射器

C =收藏家

TAB =收藏家

特点

高频IGBT

广场RBSOA

高雪崩能力

开车简约与MOS门

开启

高电流处理能力

W

°C

纳米/ lb.in 。

g

最大无铅焊接温度的

1.6毫米（ 0.062英寸）从案例10秒

安装力矩

300

260

1.13/10

6

应用

PFC电路

PDP系统

开关模式和谐振模

变频器和逆变器

SMPS

交流电机调速

直流伺服和机器人的驱动器

直流斩波器

符号

测试条件

特征值

(T

J

= 25 ° C，除非另有规定编）

MIN 。 TYP 。

马克斯。

300

2.5

T

J

= 125°C

5.0

50

1.0

±100

1.53

1.59

1.85

V

A

mA

nA

V

BV

CES

V

GE （日）

I

CES

I

GES

V

CE （ SAT ）

I

C

I

C

= 250μA ，V

GE

= 0V

= 250μA ，V

CE

= V

GE

V

CE

= V

CES

V

GE

= 0V

V

CE

= 0V, V

GE

=

±

20V

I

C

= 100A ，V

GE

= 15V

T

J

= 125°C

DS99877A(01/08)

IXGH100N30C3

符号

测试条件

(T

J

= 25 ° C，除非另有规定编）

g

fs

C

IES

C

OES

C

水库

Q

g

Q

ge

Q

gc

t

D（上）

t

ri

E

on

t

D（关闭）

t

fi

E

关闭

t

D（上）

t

ri

E

on

t

D（关闭）

t

fi

E

关闭

R

thJC

R

thCK

0.21

感性负载，T

J

= 125°C

°

I

C

= 50A ，V

GE

= 15V

V

CE

= 200V ，R

G

= 2

感性负载，T

J

= 25°C

°

I

C

= 50A ，V

GE

= 15V

V

CE

= 200V ，R

G

= 2

I

C

= I

C110

, V

GE

= 15V, V

CE

= 0.5 V

CES

V

CE

= 25V, V

GE

= 0V ， F = 1MHz的

I

C

= 60A ，V

CE

= 10V,

脉冲测试，T

≤

300μS ;占空比D

≤

2%.

分钟。

40

特征值

典型值。

马克斯。

75

S

P

的TO- 247的AD概要

6300

435

115

162

27

60

23

38

0.23

105

94

0.52

24

37

0.35

131

113

0.75

0.9

160

pF

nC

ns

mJ

ns

mJ

ns

mJ

ns

mJ

0.27

° C / W

DIM 。

e

毫米

分钟。马克斯。

A

4.7

5.3

A

1

2.2

2.54

A

2

2.2

2.6

b

1.0

1.4

1.65

2.13

b

1

b

2

2.87

3.12

C

.4

.8

D

20.80 21.46

E

15.75 16.26

e

5.20

5.72

L

19.81 20.32

L1

4.50

P

3.55

3.65

Q

5.89

6.40

R

4.32

5.49

S

6.15 BSC

英寸

分钟。马克斯。

.185 .209

.087 .102

.059 .098

.040 .055

.065 .084

.113 .123

.016 .031

.819 .845

.610 .640

0.205 0.225

.780 .800

.177

.140 .144

0.232 0.252

.170 .216

242 BSC

初步技术信息

本文中所呈现的产品正在开发中。所提供的技术规格衍生

从过程的初步工程很多客观的刻画收集的数据;但也可能还

包含在预生产设计评价提供了一些信息。 IXYS保留权利

更改限制，试验条件和尺寸，恕不另行通知。

IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。

IXYS MOSFET和IGBT覆盖

4,835,592

由一个或moreof以下美国专利： 4850072

4,881,106

4,931,844

5,017,508

5,034,796

5,049,961

5,063,307

5,187,117

5,237,481

5,381,025

5,486,715

6,162,665

6,259,123 B1

6,306,728 B1

6,404,065 B1

6,534,343

6,583,505

6,683,344

6,727,585

7,005,734 B2

6,710,405 B2 6,759,692

7,063,975 B2

6,710,463

6,771,478 B2 7,071,537

7,157,338B2

IXGH100N30C3

图。 1.输出特性

@ 25C

200

180

160

140

V

GE

= 15V

13V

11V

350

300

250

V

GE

= 15V

13V

11V

图。 2.扩展的输出特性

@ 25C

I

C

- 安培

I

C

-

安培

9V

120

100

80

60

40

7V

9V

200

150

100

7V

50

20

5V

0

0.2

0.4

0.6

0.8

1

1.2

1.4

1.6

1.8

2

2.2

0

1

2

3

4

5

6

V

CE

- 伏特

V

CE

- 伏特

图。 3.输出特性

@ 125C

200

180

160

140

V

GE

= 15V

13V

11V

9V

1.6

1.5

1.4

图。 4.依赖的V

CE （ SAT ）

on

结温

V

GE

= 15V

I

C

= 200A

V

CE （ SAT ）

- 归

I

C

- 安培

1.3

1.2

1.1

1.0

0.9

I

C

120

100

80

60

40

20

0

0.4

0.8

1.2

1.6

2

2.4

5V

7V

= 100A

0.8

0.7

-50

-25

0

25

I

C

= 50A

50

75

100

125

150

V

CE

- 伏特

T

J

- 摄氏

图。 5.集电极 - 发射极电压

与门极 - 发射极电压

4.5

T

J

= 25C

4.0

160

3.5

140

I

= 200A

100A

50A

200

180

图。 6.输入导纳

I

C

-

安培

C

V

CE

- 伏特

3.0

2.5

2.0

1.5

120

100

80

60

40

20

T

J

= 125C

25C

- 40C

1.0

6

7

8

9

10

11

12

13

14

15

0

4

4.5

5

5.5

6

6.5

7

7.5

8

V

GE

- 伏特

V

GE

- 伏特

IXGH100N30C3

图。 7.跨导

120

110

14

100

90

T

J

= - 40C

25C

125C

12

16

V

CE

= 150V

I

C

= 100A

I

G

= 10毫安

图。 8.栅极电荷

g

F小号

-

SIEMENS

80

70

60

50

40

30

20

V

GE

- 伏特

10

8

6

4

2

10

0

20

40

60

80

100

120

140

160

180

200

0

20

40

60

80

100

120

140

160

I

C

- 安培

Q

G

- nanocoulombs

图。 9.电容

10,000

资本投资者入境计划

240

图。 10.反向偏置安全工作区

200

电容 - 皮法

卓越中心

I

C

- 安培

1,000

160

120

100

CRES

80

T

J

= 125C

40

F = 1 MHz的

R

G

= 2

的dV / dt < 10V / ns的

10

0

5

10

15

20

25

30

35

40

0

50

100

150

200

250

300

350

V

CE

- 伏特

V

CE

- 伏特

图。 11.最大瞬态热阻抗

1.00

Z

（日） JC

- C / W

0.10

0.01

0.0001

0.001

0.01

0.1

1

10

脉冲宽度 - 秒

IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。

IXGH100N30C3

图。 12.感应开关

能量损耗与栅极电阻

1.2

1.1

1.0

E

关闭

T

J

= 125C ,

V

CE

= 200V

E

on

0.6

1.6

1.4

0.5

1.2

E

关闭

R

G

= 2

,

V

CE

= 200V

T

J

= 125C, 25C

E

on

图。 13.感应Swiching

能量损失与集电极电流

0.8

----

E

关闭

- 毫焦耳

----

0.7

0.6

V

GE

= 15V

V

GE

= 15V

E

关闭

- 毫焦耳

0.9

0.8

E

on

E

- 毫焦耳

0.4

I

C

1.0

0.8

0.6

0.4

0.5

0.4

0.3

0.2

0.1

0.0

on

- 毫焦耳

= 50A

0.3

0.7

0.6

0.5

0.4

0.3

0.2

2

3

4

5

6

7

I

C

= 25A

0.2

0.1

0.0

25

30

35

40

45

50

55

60

65

70

75

8

9

10

R

G

- 欧姆

I

C

- 安培

图。 14.感应Swiching

能量损失与结温

1.0

0.9

0.8

E

关闭

V

CE

= 200V

E

on

0.5

160

图。 15.感应开启关闭

开关时间与栅极电阻

360

----

0.4

150

t

f

V

CE

= 200V

t

D（关闭）

-

---

320

R

G

= 2

,

V

GE

= 15V

T

J

= 125C,

V

GE

= 15V

t

D（关闭）

- 纳秒

E

关闭

- 毫焦耳

t

f

- 纳秒

0.7

140

I

130

C

280

= 50A

240

E

on

0.6

0.5

0.4

0.3

0.2

I

C

= 50A

0.3

- 毫焦耳

0.2

120

I

110

C

200

= 25A

160

0.1

I

C

= 25A

0.1

0.0

25

35

45

55

65

75

85

95

105

115

0.0

125

100

2

3

4

5

6

7

8

9

10

120

T

J

- 摄氏

R

G

- 欧姆

图。 16.感应开启关闭

开关时间与集电极电流

180

160

140

120

100

80

T

J

= 25C

60

40

25

30

35

40

45

50

55

60

65

70

75

105

100

70

60

135

130

120

图。 17.感应开启关闭

开关时间与结温

135

t

f

V

CE

= 200V

t

D（关闭）

-

---

130

t

f

-

纳秒

R

G

= 2 , V

GE

= 15V

V

CE

= 200V

120

115

110

t

f

-

纳秒

t

f

t

D（关闭）

----

T

J

= 125C

125

R

G

= 2 , V

GE

= 15V

t

D（关闭）

-

纳秒

t

D（关闭）

-

纳秒

110

100

90

80

125

120

I

C

= 50A, 25A

115

110

105

100

125

25

35

45

55

65

75

85

95

105

115

I

C

- 安培

T

J

- 摄氏