IXGE
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C,除非另有规定编)
MIN 。 TYP 。
马克斯。
50
75
S
200N60B
SOT- 227B miniBLOC
g
fs
I
C
= 60 A; V
CE
= 10 V,
脉冲测试,T
≤
300
s,
占空比
≤
2 %
C
IES
C
OES
C
水库
Q
g
Q
ge
Q
gc
t
D(上)
t
ri
E
on
t
D(关闭)
t
ri
E
关闭
t
D(上)
t
ri
E
on
t
D(关闭)
t
ri
E
关闭
感性负载,T
J
= 25°C
°
I
C
= 100A ,V
GE
= 15 V
V
CE
= 0.8 V
CES
, R
G
= R
关闭
= 2.4
备注:开关时间
可能增加
V
CE
(钳) > 0.8 V
CES
,
更高的温度
J
或加强研究
G
感性负载,T
J
= 125°C
°
I
C
= 100A ,V
GE
= 15 V
V
CE
= 0.8 V
CES
, R
G
= R
关闭
= 2.4
备注:开关时间
可能会增加V
CE
(钳) > 0.8 V
CES
,
更高的温度
J
或加强研究
G
I
C
= 120A ,V
GE
= 15 V, V
CE
= 0.5 V
CES
V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V , F = 1兆赫
11000
680
190
350
72
131
60
45
2.4
200
160
5.5
360
280
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
mJ
ns
ns
9.6兆焦耳
60
60
4.8
290
250
8.7
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
R
thJC
R
thCK
0.07
0.25 K / W
K / W
IXYS保留更改限制,试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利:
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
6,306,728B1