【HiPerFAST IGBT光速TM系列TMIXGA 7N60CIXGP 7N60CVCESIC25】,IC型号IXGA7N60C,IXGA7N60C PDF资料,IXGA7N60C经销商,ic,电子元器件-51电子网

HiPerFAST IGBT

光速

系列

IXGA 7N60C

IXGP 7N60C

CES

C25

CE （ SAT ）

= 600 V

= 14 A

= 2.7 V

- 45纳秒

符号

CES

CGR

GES

创业板

C25

C90

SSOA

（ RBSOA ）

英镑

测试条件

= 25 ℃至150 ℃的

= 25 ℃至150 ℃;

= 1 M

连续

短暂

= 25°C

= 90°C

= 25 ° C， 1毫秒

= 15 V ，T

= 125 ° C，R

= 22

钳位感性负载， L = 300

= 25°C

最大额定值

600

±20

±30

= 14

@ 0.8 V

CES

-55 ... +150

150

-55 ... +150

300

M3.5

TO- 220AB （ IXGP ）

TO- 263 AA （ IXGA ）

C（ TAB ）

G =门，

E =发射器，

C =收藏家，

TAB =收藏家

最大无铅焊接温度的

从案例10秒1.6毫米（ 0.062英寸）

重量

安装扭矩，（ TO- 220 ）

TO-220

TO-263

特点

国际标准封装

JEDEC TO- 263表面

安装和JEDEC TO- 220 AB

高频IGBT

高电流处理能力

HiPerFAST

HDMOS

过程

MOS栅极导通

- 驱动器的简单

应用

不间断电源（ UPS ）

开关模式和谐振模

电源

交流电机调速

直流伺服和机器人的驱动器

直流斩波器

优势

高功率密度

适于表面安装

极低的开关损耗高

频率的应用

0.45 / 4牛米/ lb.in 。

0.55 / 10牛米/ lb.in 。

符号

测试条件

特征值

= 25 ° C，除非另有规定编）

分钟。典型值。马克斯。

600

2.5

5.5

100

500

±100

2.0

2.7

CES

GE （日）

CES

GES

CE （ SAT ）

= 250

= 0 V

= 250

= V

= 25°C

= 125°C

= 0.8 V

CES

= 0 V

= 0 V, V

= ±20 V

= I

C90

, V

= 15 V

98564A (06/02)

IXGA 7N60C

IXGP 7N60C

符号

测试条件

特征值

= 25 ° C，除非另有规定编）

MIN 。 TYP 。

马克斯。

500

= 25 V, V

= 0 V ， F = 1兆赫

= I

C90

, V

= 15 V, V

= 0.5 V

CES

感性负载，T

= 25°C

= I

C90

, V

= 15 V ， L = 300

= 0.8 V

CES

, R

= R

关闭

= 22

备注：开关时间可能

增加V

（钳） > 0.8 V

CES

更高的温度

或加强研究

感性负载，T

= 125°C

= I

C90

, V

= 15 V ， L = 300

= 0.8 V

CES

, R

= R

关闭

= 22

备注：开关时间可能

增加V

（钳） > 0.8 V

CES

更高的温度

或加强研究

0.07

0.12

0.07

120

0.22

130

110

DIM 。

引脚：

2 - 集电极

4 - 集电极

毫米

分钟。马克斯。

12.70 13.97

14.73 16.00

9.91 10.66

3.54

4.08

5.85

6.85

2.54

3.18

1.15

1.65

2.79

5.84

0.64

1.01

2.54

BSC

4.32

4.82

1.14

1.39

0.35

0.56

2.29

2.79

1 - GATE

3极 - 发射极

底侧

的TO-220 AB概要

IES

OES

水库

D（上）

D（关闭）

关闭

D（上）

D（关闭）

关闭

thJC

thCK

= I

C90

; V

= 10 V,

脉冲测试，T

≤

300

占空比

≤

2 %

0.25兆焦耳

2.3 K / W

英寸

分钟。马克斯。

0.500 0.550

0.580 0.630

0.390 0.420

0.139 0.161

0.230 0.270

0.100 0.125

0.045 0.065

0.110 0.230

0.025 0.040

0.100

BSC

0.170 0.190

0.045 0.055

0.014 0.022

0.090 0.110

TO- 263 AA大纲

(TO-220)

0.25

K / W

门

集热器

辐射源

集热器

底侧

英寸

分钟。

马克斯。

.160

.080

.020

.045

.018

.045

.340

.280

.380

.270

.100

.575

.090

.040

.050

.018

.190

.110

.039

.055

.029

.055

.380

.320

.405

.320

BSC

.625

.110

.055

.070

.015

.029

分钟。推荐足迹

（尺寸以英寸毫米）

DIM 。

毫米

分钟。

马克斯。

4.06

2.03

0.51

1.14

0.46

1.14

8.64

7.11

9.65

6.86

2.54

14.61

2.29

1.02

1.27

0.46

4.83

2.79

0.99

1.40

0.74

1.40

9.65

8.13

10.29

8.13

BSC

15.88

2.79

1.40

1.78

0.38

0.74

IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。

IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利：

4,835,592

4,850,072

4,881,106

4,931,844

5,017,508

5,034,796

5,049,961

5,063,307

5,187,117

5,237,481

5,486,715

5,381,025

6,306,728B1

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