IXFK 90N30
IXFX 90N30
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
注1
40
70
10000
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
1800
700
42
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
R
G
= 1
（外部）
55
100
40
360
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
60
180
0.22
0.15
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
K / W
K / W
A
A
1
A
2
b
b
1
b
2
C
D
E
e
L
L1
Q
R
DIM 。
终端：
1 - GATE
2 - 漏极（集电极）
3 - 源（发射极）
4 - 漏极（集电极）
PLUS 247
TM
概要
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ ON）的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
thCK
V
DS
= 10 V ;我
D
= 0.5 I
D25
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
RM
I
RM
测试条件
V
GS
= 0 V
重复;
脉冲宽度限制T
JM
I
F
= I
S
, V
GS
= 0 V ，注1
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
90
360
1.5
250
A
A
V
ns
C
A
毫米
分钟。
马克斯。
4.83
5.21
2.29
2.54
1.91
2.16
1.14
1.40
1.91
2.13
2.92
3.12
0.61
0.80
20.80 21.34
15.75 16.13
5.45 BSC
19.81 20.32
3.81
4.32
5.59
6.20
4.32
4.83
英寸
分钟。马克斯。
.190 .205
.090 .100
.075 .085
.045 .055
.075 .084
.115 .123
.024 .031
.819 .840
.620 .635
0.215 BSC
.780 .800
.150 .170
.220 0.244
.170 .190
TO- 264 AA大纲
I
F
= 50A ， -di / DT = 100 A / μs的，V
R
= 100 V
1.4
10
DIM 。
注： 1.脉冲检验，t
≤
300
s,
占空比
≤
2 %
毫米
分钟。
马克斯。
4.82
5.13
2.54
2.89
2.00
2.10
1.12
1.42
2.39
2.69
2.90
3.09
0.53
0.83
25.91
26.16
19.81
19.96
5.46 BSC
0.00
0.25
0.00
0.25
20.32
20.83
2.29
2.59
3.17
3.66
6.07
6.27
8.38
8.69
3.81
4.32
1.78
2.29
6.04
6.30
1.57
1.83
5,187,117
5,237,481
分钟。
英寸
马克斯。
A
A1
A2
b
b1
b2
c
D
E
e
J
K
L
L1
P
Q
Q1
R
R1
S
T
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
.190
.202
.100
.114
.079
.083
.044
.056
.094
.106
.114
.122
.021
.033
1.020
1.030
.780
.786
0.215 BSC
.000
.010
.000
.010
.800
.820
.090
.102
.125
.144
.239
.247
.330
.342
.150
.170
.070
.090
.238
.248
.062
.072
5,486,715
5,381,025
6,306,728B1
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利：
IXFK 90N30
IXFX 90N30
10
8
V
DS
= 150 V
I
D
= 45 A
I
G
= 10毫安
20
F = 100KHz的
10
西塞
电容 - nF的
V
GS
- 伏特
6
4
2
0
0
50
100
150
200
250
300
5
科斯
1
CRSS
0.5
0
5
10
15
20
25
30
35
40
栅极电荷 - 数控
V
DS
- 伏特
图7栅极电荷特性曲线
200
图8电容曲线
160
I
D
- 安培
120
80
T
J
= 125
O
C
T
J
= 25
O
C
40
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
V
SD
- 伏特
图9漏极电流与漏极至源极电压
1.000
R（日）
JC
- K / W
0.100
0.010
0.001
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
脉冲宽度 - 秒
图10瞬态热阻抗
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利：
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
6,306,728B1
IXFK 90N30
IXFX 90N30
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
注1
40
70
10000
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
1800
700
42
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
R
G
= 1
（外部）
55
100
40
360
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
60
180
0.22
0.15
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
K / W
K / W
A
A
1
A
2
b
b
1
b
2
C
D
E
e
L
L1
Q
R
DIM 。
终端：
1 - GATE
2 - 漏极（集电极）
3 - 源（发射极）
4 - 漏极（集电极）
PLUS 247
TM
概要
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ ON）的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
thCK
V
DS
= 10 V ;我
D
= 0.5 I
D25
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
RM
I
RM
测试条件
V
GS
= 0 V
重复;
脉冲宽度限制T
JM
I
F
= I
S
, V
GS
= 0 V ，注1
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
90
360
1.5
250
A
A
V
ns
C
A
毫米
分钟。
马克斯。
4.83
5.21
2.29
2.54
1.91
2.16
1.14
1.40
1.91
2.13
2.92
3.12
0.61
0.80
20.80 21.34
15.75 16.13
5.45 BSC
19.81 20.32
3.81
4.32
5.59
6.20
4.32
4.83
英寸
分钟。马克斯。
.190 .205
.090 .100
.075 .085
.045 .055
.075 .084
.115 .123
.024 .031
.819 .840
.620 .635
0.215 BSC
.780 .800
.150 .170
.220 0.244
.170 .190
TO- 264 AA大纲
I
F
= 50A ， -di / DT = 100 A / μs的，V
R
= 100 V
1.4
10
DIM 。
注： 1.脉冲检验，t
≤
300
s,
占空比
≤
2 %
毫米
分钟。
马克斯。
4.82
5.13
2.54
2.89
2.00
2.10
1.12
1.42
2.39
2.69
2.90
3.09
0.53
0.83
25.91
26.16
19.81
19.96
5.46 BSC
0.00
0.25
0.00
0.25
20.32
20.83
2.29
2.59
3.17
3.66
6.07
6.27
8.38
8.69
3.81
4.32
1.78
2.29
6.04
6.30
1.57
1.83
5,187,117
5,237,481
分钟。
英寸
马克斯。
A
A1
A2
b
b1
b2
c
D
E
e
J
K
L
L1
P
Q
Q1
R
R1
S
T
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
.190
.202
.100
.114
.079
.083
.044
.056
.094
.106
.114
.122
.021
.033
1.020
1.030
.780
.786
0.215 BSC
.000
.010
.000
.010
.800
.820
.090
.102
.125
.144
.239
.247
.330
.342
.150
.170
.070
.090
.238
.248
.062
.072
5,486,715
5,381,025
6,306,728B1
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利：
IXFK 90N30
IXFX 90N30
10
8
V
DS
= 150 V
I
D
= 45 A
I
G
= 10毫安
20
F = 100KHz的
10
西塞
电容 - nF的
V
GS
- 伏特
6
4
2
0
0
50
100
150
200
250
300
5
科斯
1
CRSS
0.5
0
5
10
15
20
25
30
35
40
栅极电荷 - 数控
V
DS
- 伏特
图7栅极电荷特性曲线
200
图8电容曲线
160
I
D
- 安培
120
80
T
J
= 125
O
C
T
J
= 25
O
C
40
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
V
SD
- 伏特
图9漏极电流与漏极至源极电压
1.000
R（日）
JC
- K / W
0.100
0.010
0.001
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
脉冲宽度 - 秒
图10瞬态热阻抗
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利：
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
6,306,728B1
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