IXFH 88N20Q IXFK 88N20Q
IXFX 88N20Q
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
40
55
4150
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
1100
340
18
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
R
G
= 2.0
（外部）
20
61
15
146
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
30
60
0.25
TO-247
TO- 264 ，外加247
0.25
0.15
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
K / W
K / W
K / W
DIM 。
A
A
1
A
2
b
b
1
b
2
C
D
E
e
L
L1
P
Q
R
S
毫米
分钟。
马克斯。
4.7
2.2
2.2
1.0
1.65
2.87
.4
20.80
15.75
5.20
19.81
3.55
5.89
4.32
6.15
5.3
2.54
2.6
1.4
2.13
3.12
.8
21.46
16.26
5.72
20.32
4.50
3.65
6.40
5.49
BSC
英寸
分钟。
马克斯。
.185
.087
.059
.040
.065
.113
.016
.819
.610
0.205
.780
.140
0.232
.170
242
.209
.102
.098
.055
.084
.123
.031
.845
.640
0.225
.800
.177
.144
0.252
.216
BSC
1
2
3
AD TO- 247 （ IXFH ）大纲
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ ON）的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
thCK
V
DS
= 10 V ;我
D
= 0.5 I
D25
，脉冲测试
终端：
1 - GATE
2 - 漏极
3 - 来源
标签 - 漏
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
RM
I
RM
测试条件
V
GS
= 0 V
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。
典型值。马克斯。
88
352
1.3
200
A
A
V
ns
C
A
TO- 264 AA （ IXFK ）大纲
重复;脉冲宽度限制T
JM
I
F
= I
S
, V
GS
= 0 V,
脉冲测试，T
≤
300
s,
占空比
d
≤
2 %
I
F
= 25A -di / DT = 100 A / μs的，V
R
= 100 V
0.8
8
PLUS 247 （ IXFX ）大纲
DIM 。
A
A1
A2
b
b1
b2
c
D
E
e
J
K
L
L1
P
Q
Q1
R
R1
S
T
毫米
分钟。
马克斯。
4.82
5.13
2.54
2.89
2.00
2.10
1.12
1.42
2.39
2.69
2.90
3.09
0.53
0.83
25.91
26.16
19.81
19.96
5.46 BSC
0.00
0.25
0.00
0.25
20.32
20.83
2.29
2.59
3.17
3.66
6.07
6.27
8.38
8.69
3.81
4.32
1.78
2.29
6.04
6.30
1.57
1.83
分钟。
英寸
马克斯。
.190
.202
.100
.114
.079
.083
.044
.056
.094
.106
.114
.122
.021
.033
1.020
1.030
.780
.786
0.215 BSC
.000
.010
.000
.010
.800
.820
.090
.102
.125
.144
.239
.247
.330
.342
.150
.170
.070
.090
.238
.248
.062
.072
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利：
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
6,306,728B1
IXFH 88N20Q IXFK 88N20Q
IXFX 88N20Q
图。 7.输入上将ittance
1
00
80
1
00
80
T
J
= -40C
25C
125C
图。 8.跨导
G
fs
- 西门子
I
D
- 安培
60
40
20
0
3
3.5
4
4.5
5
5.5
6
T
J
= -40C
25C
125C
60
40
20
0
0
30
60
90
1
20
1
50
1
80
V
GS
- 伏特
I
D
- 安培
图。 9.源电流和源极到漏极
电压
200
1
0
图。 10.栅极电荷
1
60
8
V
DS
= 100V
I
D
= 44A
I
G
= 10毫安
I
S
- 安培
V
GS
- 伏特
1
.3
1
20
T
J
= 125C
80
T
J
= 25C
40
6
4
2
0
0.4
0.55
0.7
0.85
1
15
.1
0
0
30
60
90
1
20
1
50
V
SD
- 伏特
Q
G
- nanocoulombs
图。 11.电容
1
0000
F = 100万赫兹
1
图。 12.马克西姆嗯瞬态千卡人
阻力
电容 - pF的
R
（日） JC
- （ C / W）
20
25
30
35
40
C
国际空间站
1
000
C
OSS
0.1
C
RSS
1
00
0
5
1
0
1
5
0.01
1
1
0
1
00
1
000
V
DS
- 伏特
脉冲宽度 - 毫秒
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利：
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
6,306,728B1
QQ：2881677436 复制
