【高级技术信息HiPerFETTM功率MOSFETQ3-ClassN沟道增强模式额定雪崩快速内在整流器】,IC型号IXFX64N60Q3,IXFX64N60Q3 PDF资料,IXFX64N60Q3经销商,ic,电子元器件-51电子网

高级技术信息

HiPerFET

TM

功率MOSFET

Q3-Class

N沟道增强模式

额定雪崩

快速内在整流器

符号

V

DSS

V

DGR

V

GSS

V

GSM

I

D25

I

DM

I

A

E

AS

dv / dt的

P

D

T

J

T

JM

T

英镑

T

L

T

出售

M

d

F

C

重量

1.6毫米（ 0.062英寸）从案例10秒

塑料机身10秒

安装扭矩（ TO- 264 ）

安装力

TO-264

PLUS247

(PLUS247)

测试条件

T

J

= 25 ℃至150 ℃的

T

J

= 25° C到150° C，R

GS

= 1MΩ

连续

短暂

T

C

= 25°C

IXFK64N60Q3

IXFX64N60Q3

V

DSS

I

D25

R

DS （ ON）

t

rr

=

≤

600V

64A

95mΩ

Ω

300ns

TO- 264 （ IXFK ）

最大额定值

600

±30

±40

64

250

64

3

50

1250

-55 ... +150

150

-55 ... +150

300

260

1.13/10

20..120 /4.5..27

10

6

V

A

J

V / ns的

W

°C

纳米/ lb.in 。

N /磅。

g

G

D

S

TAB

PLUS247 （ IXFX ）

T

C

= 25 ° C，脉冲宽度限制T

JM

T

C

= 25°C

T

C

= 25°C

I

S

≤

I

DM

, V

DD

≤

V

DSS

, T

J

≤

150°C

T

C

= 25°C

G

D

S

TAB

D =漏

TAB =漏

G =门

S =源

特点

低的固有栅极电阻

低封装电感

快速内在整流器

低R

DS （ ON）

和Q

G

优势

高功率密度

易于安装

节省空间

符号

测试条件

(T

J

= 25 ° C除非另有规定编）

BV

DSS

V

GS （ TH）

I

GSS

I

DSS

R

DS （ ON）

V

GS

= 0V时，我

D

= 1毫安

V

DS

= V

GS

, I

D

= 4毫安

V

GS

=

±30V,

V

DS

= 0V

V

DS

= V

DSS

, V

GS

= 0V

T

J

= 125°C

特征值

分钟。

典型值。

马克斯。

600

3.5

6.5

V

应用

DC- DC转换器

电池充电器

开关模式和谐振模

电源

直流斩波器

温度和照明控制

±200

nA

50

μA

1.5毫安

95 mΩ

V

GS

= 10V ，我

D

= 0.5 I

D25

注意1

DS100350(06/11)

IXFK64N60Q3

IXFX64N60Q3

符号

测试条件

(T

J

= 25 ° C除非另有规定编）

g

fs

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

R

Gi

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

Q

G（ ON）的

Q

gs

Q

gd

R

thJC

R

乡镇卫生院

0.15

V

GS

= 10V, V

DS

= 0.5 V

DSS

, I

D

= 0.5 I

D25

门输入电阻

电阻开关时间

V

GS

= 10V, V

DS

= 0.5 V

DSS

, I

D

= 0.5 I

D25

R

G

= 1Ω （外部）

V

GS

= 0V, V

DS

= 25V ， F = 1MHz的

V

DS

= 20V ，我

D

= 0.5 I

D25

注意1

特征值

分钟。

典型值。

马克斯。

26

42

9930

1090

90

0.13

45

15

50

11

190

67

78

S

pF

Ω

ns

nC

0.10

° C / W

DIM 。

A

A1

A2

b

b1

b2

c

D

E

e

J

K

L

L1

P

Q

Q1

R

R1

S

T

毫米

分钟。

马克斯。

4.82

5.13

2.54

2.89

2.00

2.10

1.12

1.42

2.39

2.69

2.90

3.09

0.53

0.83

25.91 26.16

19.81 19.96

5.46 BSC

0.00

0.25

0.00

0.25

20.32 20.83

2.29

2.59

3.17

3.66

6.07

6.27

8.38

8.69

3.81

4.32

1.78

2.29

6.04

6.30

1.57

1.83

端子： 1 - 门

2 - 漏极

3 - 来源

4 - 漏极

英寸

分钟。

马克斯。

.190

.202

.100

.114

.079

.083

.044

.056

.094

.106

.114

.122

.021

.033

1.020

1.030

.780

.786

0.215 BSC

.000

.010

.000

.010

.800

.820

.090

.102

.125

.144

.239

.247

.330

.342

.150

.170

.070

.090

.238

.248

.062

.072

TO- 264 AA大纲

源极 - 漏极二极管

符号

测试条件

(T

J

= 25 ° C除非另有规定编）

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

Q

RM

I

RM

V

GS

= 0V

重复，脉冲宽度为T有限公司

JM

I

F

= I

S

, V

GS

= 0V ，说明1

I

F

= 32A ， -di / DT = 100A / μs的

V

R

= 100V, V

GS

= 0V

2.1

16.6

特征值

分钟。

典型值。

马克斯。

64

256

1.4

A

V

PLUS 247

TM

概要

300纳秒

μC

A

记

1.脉冲检验，t

≤

300μS ，占空比D

≤

2%.

端子： 1 - 门

2 - 漏极

3 - 来源

DIM 。

A

1

A

2

b

1

b

2

C

D

E

e

L

L1

Q

R

高级技术信息

本文中所呈现的产品正在开发中。所提供的技术规格衍生

从主观设计的评价，基于先前的知识和经验，并构成

"considered reflection"的预期效果。 IXYS保留更改限制的权利，测试

条件和尺寸，恕不另行通知。

IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。

IXYS MOSFET和IGBT覆盖

4,835,592

通过以下一种或多项美国专利： 4850072

4,881,106

4,931,844

5,017,508

5,034,796

5,049,961

5,063,307

5,187,117

5,237,481

5,381,025

5,486,715

6,162,665

6,259,123 B1

6,306,728 B1

6,404,065 B1

6,534,343

6,583,505

毫米

分钟。马克斯。

4.83

5.21

2.29

2.54

1.91

2.16

1.14

1.40

1.91

2.13

2.92

3.12

0.61

0.80

20.80 21.34

15.75 16.13

5.45 BSC

19.81 20.32

3.81

4.32

5.59

6.20

4.32

4.83

英寸

分钟。马克斯。

.190 .205

.090 .100

.075 .085

.045 .055

.075 .084

.115 .123

.024 .031

.819 .840

.620 .635

0.215 BSC

.780 .800

.150 .170

.220 0.244

.170 .190

7,157,338B2

6,683,344

6,727,585

7,005,734 B2

6,710,405 B2 6,759,692

7,063,975 B2

6,710,463

6,771,478 B2 7,071,537

IXFK64N60Q3

IXFX64N60Q3

图。 1.输出特性@ T

J

= 25C

60

V

GS

= 10V

9V

140

120

8V

100

图。 2.扩展的输出特性@ T

J

= 25C

V

GS

= 10V

9V

50

I

D

- 安培

40

I

D

- 安培

80

60

40

7V

8V

30

7V

20

10

6V

0

1

2

3

4

5

6

7

20

6V

0

5

10

15

20

25

30

V

DS

- 伏特

V

DS

- 伏特

图。 3.输出特性@ T

J

= 125C

3.4

60

V

GS

= 10V

8V

图。 4.

DS （ ON）

归到我

D

= 32A与价值

结温

V

GS

= 10V

3.0

2.6

2.2

I

D

= 32A

1.8

1.4

1.0

50

R

DS （ ON）

- 归

7V

I

D

= 64A

I

D

- 安培

40

30

20

6V

10

5V

0

2

4

6

8

10

12

14

16

0.6

0.2

-50

-25

0

25

50

75

100

125

150

V

DS

- 伏特

T

J

- 摄氏

图。 5.

DS （ ON）

归到我

D

= 32A与价值

漏电流

3.0

V

GS

= 10V

2.6

T

J

= 125C

60

70

图。 6，最大漏极电流与

外壳温度

R

DS （ ON）

- 归

50

2.2

I

D

- 安培

40

1.8

T

J

= 25C

1.4

30

20

1.0

10

0.6

0

20

40

60

80

100

120

140

0

-50

-25

0

25

50

75

100

125

150

I

D

- 安培

T

C

- 摄氏

IXFK64N60Q3

IXFX64N60Q3

图。 7.输入导纳

80

70

60

50

40

30

20

10

0

3.5

4.0

4.5

5.0

5.5

6.0

6.5

7.0

7.5

8.0

8.5

T

J

= 125C

70

T

J

= - 40C

60

25C

50

图。 8.跨导

g

F小号

- 西门子

125C

I

D

- 安培

40

25C

- 40C

30

20

10

0

10

20

30

40

50

60

70

80

90

V

GS

- 伏特

I

D

- 安培

图。征二极管9.正向电压降

200

16

14

160

12

V

DS

= 300V

I

D

= 32A

I

G

= 10毫安

图。 10.栅极电荷

I

S

- 安培

V

GS

- 伏特

T

J

= 125C

T

J

= 25C

0.3

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

1.0

1.1

1.2

1.3

120

10

8

6

4

80

40

2

0

50

100

150

200

250

V

SD

- 伏特

Q

G

- nanocoulombs

图。 11.电容

100,000

1000

图。 12.正向偏置安全工作区

R

DS （ ON）

极限

f

= 1兆赫

电容 - 皮法

西塞

10,000

25s

100

I

D

- 安培

科斯

1,000

100s

10

100

CRSS

1

T

J

= 150C

T

C

= 25C

单脉冲

1ms

10

0

5

10

15

20

25

30

35

40

0.1

10

100

1,000

V

DS

- 伏特

V

DS

- 伏特

IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。

IXFK64N50Q3

IXFX64N50Q3

图。 13.最大瞬态热阻抗

1

图。 13.最大瞬态热阻抗

0.2

aaaaa

0.1

Z

（日） JC

- C / W

0.01

0.001

0.0001

0.001

0.01

0.1

1

10

脉冲宽度 - 秒

IXYS REF ： F_64N60Q3 （ Q8 ） 11年6月21日