【PolarHVTMHiPerFET功率MOSFETN沟道增强模式额定雪崩快速内在二极管IXFK 64】,IC型号IXFX64N60P,IXFX64N60P PDF资料,IXFX64N60P经销商,ic,电子元器件-51电子网

PolarHV

HiPerFET

功率MOSFET

N沟道增强模式

额定雪崩

快速内在二极管

IXFK 64N60P

IXFX 64N60P

DSS

D25

DS （ ON）

≤

600

200

符号

DSS

DGR

GSS

GSM

D25

dv / dt的

英镑

出售

重量

测试条件

= 25 ℃至150 ℃的

= 25 ℃至150 ℃;

= 1 M

连续

短暂

= 25° C

= 25 ℃，脉冲宽度限制T

= 25° C

≤

， di / dt的

≤

100 A / μs的，V

≤

DSS

≤

150℃ ，R

= 2

= 25° C

最大额定值

600

±30

±40

150

3.5

1040

-55 ... +150

150

-55 ... +150

V / ns的

°C

N /磅

特点

TO- 264 （ IXFK ）

（ TAB ）

PLUS247 （ IXFX ）

（ TAB ）

G =门

S =源

D =漏

TAB =漏

从案例10秒1.6毫米（ 0.062英寸）

塑料机身10秒

安装力（ PLUS247 ）

安装扭矩（ TO- 264 ）

TO-264

PLUS247

300

260

20..120/4.5..25

1.13 / 10牛米/ lb.in 。

符号

测试条件

= 25 ℃，除非另有规定）

DSS

GS （ TH）

GSS

DSS

DS （ ON）

= 0 V，I

= 3毫安

= V

, I

= 8毫安

±30

, V

= 0

= V

DSS

= 0 V

= 125° C

特征值

MIN 。 TYP 。

马克斯。

600

3.0

5.0

±200

1000

国际标准封装

快恢复二极管

非钳位感应开关（ UIS）

评级

低封装电感

- 易于驾驶和保护

优势

易于安装

节省空间

高功率密度

= 10 V，I

= 0.5 I

D25

注意1

2006 IXYS所有权利

DS99442E(01/06)

IXFK 64N60P

IXFX 64N60P

符号

测试条件

特征值

= 25 ℃，除非另有规定）

分钟。典型值。马克斯。

= 0 V, V

= 25 V ， F = 1兆赫

1150

= 10 V, V

= 0.5 V

DSS

, I

=0.5 I

D25

= 1

（外部）

200

= 10 V, V

= 0.5 V

DSS

, I

= 0.5 I

D25

0.12

C / W

0.15

C / W

端子： 1 - 门

2 - 漏极（集电极）

3 - 源（发射极）

4 - 漏极（集电极）

PLUS 247

概要

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

D（关闭）

G（ ON）的

thJC

乡镇卫生院

= 20V;我

= 0.5 I

D25

注意1

DIM 。

源极 - 漏极二极管

符号

注意事项：

测试条件

= 0 V

重复

= I

, V

= 0 V ，注1

= 25A ， -di / DT = 100 A / μs的

= 100V

特征值

= 25 ℃，除非另有规定）

分钟。典型值。马克斯。

150

1.5

200

0.6

6.0

毫米

分钟。马克斯。

4.83

5.21

2.29

2.54

1.91

2.16

1.14

1.40

1.91

2.13

2.92

3.12

0.61

0.80

20.80 21.34

15.75 16.13

5.45 BSC

19.81 20.32

3.81

4.32

5.59

6.20

4.32

4.83

英寸

分钟。马克斯。

.190 .205

.090 .100

.075 .085

.045 .055

.075 .084

.115 .123

.024 .031

.819 .840

.620 .635

0.215 BSC

.780 .800

.150 .170

.220 0.244

.170 .190

TO- 264外形

1.脉冲检验，t

≤

300

占空比

≤

2 %

DIM 。

毫米

分钟。

马克斯。

4.82

5.13

2.54

2.89

2.00

2.10

1.12

1.42

2.39

2.69

2.90

3.09

0.53

0.83

25.91 26.16

19.81 19.96

5.46 BSC

0.00

0.25

0.00

0.25

20.32 20.83

2.29

2.59

3.17

3.66

6.07

6.27

8.38

8.69

3.81

4.32

1.78

2.29

6.04

6.30

1.57

1.83

英寸

分钟。

马克斯。

.190

.202

.100

.114

.079

.083

.044

.056

.094

.106

.114

.122

.021

.033

1.020

1.030

.780

.786

0.215 BSC

.000

.010

.000

.010

.800

.820

.090

.102

.125

.144

.239

.247

.330

.342

.150

.170

.070

.090

.238

.248

.062

.072

IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。

IXYS MOSFET和IGBT均受4835592

一个或moreof以下美国专利： 4850072

4,881,106

4,931,844

5,017,508

5,034,796

5,049,961

5,063,307

5,187,117

5,237,481

5,381,025

5,486,715

6,162,665

6,259,123 B1

6,306,728 B1

6,404,065 B1

6,534,343

6,583,505

6,683,344

6,710,405B2

6,710,463

6,727,585

6,759,692

6,771,478 B2

IXFK 64N60P

IXFX 64N60P

图。 1.输出特性

@ 25C

= 10V

160

140

120

= 10V

图。 2.扩展的输出特性

@ 25C

- 安培

100

- 伏特

图。 3.输出特性

@ 125C

= 10V

3.1

2.8

2.5

图。 4.

DS （ ON）

归到我

= 32A V秒。

结温

= 10V

DS （ ON）

- 归

- 安培

2.2

1.9

1.6

1.3

0.7

0.4

= 64A

= 32A

-50

-25

100

125

150

- 伏特

- 摄氏

图。 5.

DS （ ON）

归到我

= 32A V秒。

漏电流

3.2

2.8

= 10V

= 125C

图。 6，最大漏极电流V秒。

外壳温度

DS （ ON）

- 归

2.6

2.2

1.8

1.6

1.4

1.2

0.8

100

120

140

160

= 25C

- 安培

2.4

-50

-25

100

125

150

- 安培

- 摄氏

2006 IXYS所有权利

IXFK 64N60P

IXFX 64N60P

图。 7.输入导纳

100

130

120

110

100

图。 8.跨导

F小号

- 西门子

= - 40C

25C

125C

- 安培

3.5

4.5

5.5

6.5

= 125C

25C

- 40C

100

- 伏特

- 安培

图。 9.正向电压降

征二极管

140

120

100

= 300V

= 32A

= 10毫安

图。 10.栅极电荷

- 安培

- 伏特

= 25C

= 125C

0.3

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

1.1

1.2

100

120

140

160

180

200

- 伏特

- nanocoulombs

图。 11.电容

100,000

F = 1 MHz的

国际空间站

1,000

图。 12.正向偏置安全工作区

= 150C

= 25C

DS （ ON）

极限

电容 - 皮法

10,000

- 安培

100

25s

100

1ms

10ms

1,000

OSS

100

RSS

100

1000

- 伏特

IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。

图。 13.最大瞬态热阻

1.000

（日） JC

- C / W

0.100

0.010

0.001

0.0001

0.001

0.01

0.1

脉冲W ID - 秒

2006 IXYS所有权利

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