【PolarHVTMHiPerFET功率MOSFETN沟道增强模式额定雪崩快速内在二极管IXFK 44】,IC型号IXFX44N80P,IXFX44N80P PDF资料,IXFX44N80P经销商,ic,电子元器件-51电子网

PolarHV

HiPerFET

功率MOSFET

N沟道增强模式

额定雪崩

快速内在二极管

IXFK 44N80P

IXFX 44N80P

DSS

D25

DS （ ON）

= 800

= 44

≤

190 mΩ

≤

250纳秒

符号

DSS

DGR

GSM

D25

dv / dt的

英镑

出售

重量

测试条件

= 25 ℃至150 ℃的

= 25 ℃至150 ℃;

= 1 MΩ

连续

短暂

= 25°C

= 25 ° C，脉冲宽度限制T

= 25°C

≤

， di / dt的

≤

100 A / μs的，V

≤

DSS

≤

150℃ ，R

= 10

= 25°C

最大额定值

800

100

3.4

1040

-55 ... +150

150

-55 ... +150

TO- 264 （ IXFK ）

V / ns的

°C

（ TAB ）

PLUS247 （ IXFX ）

（ TAB ）

从案例10秒1.6毫米（ 0.062英寸）

塑料机身10秒

安装力矩

安装力

（ IXFK ）

（ IXFX ）

（ IXFK ）

（ IXFX ）

300

260

G =门

S =源

D =漏

TAB =漏

10年1月13日牛米/ lb.in 。

20..120 /4.5..25

N /磅

特点

快速内在二极管

国际标准封装

非钳位感应开关（ UIS）

评级

低封装电感

- 易于驾驶和保护

符号

测试条件

= 25 ° C除非另有规定编）

DSS

GS （ TH）

GSS

DSS

DS （ ON）

= 0 V，I

= 800

μA

= V

, I

= 8毫安

30 V

, V

= 0

= V

DSS

= 0 V

= 125°C

特征值

MIN 。 TYP 。

马克斯。

800

3.0

5.0

200

1.5

190

μA

mΩ

优势

易于安装

节省空间

高功率密度

= 10 V，I

= 0.5 I

D25

注意1

2006 IXYS所有权利

DS99478E(01/06)

IXFK 44N80P

IXFX 44N80P

符号

测试条件

特征值

= 25 ° C除非另有规定编）

分钟。

典型值。

马克斯。

= 0 V, V

= 25 V ， F = 1兆赫

910

= 10 V, V

= 0.5 V

DSS

, I

= I

D25

= 1

（外部）

198

= 10 V, V

= 0.5 V

DSS

, I

= 0.5 I

D25

0.12°C/W

0.15

° C / W

DIM 。

毫米

分钟。

马克斯。

4.82

5.13

2.54

2.89

2.00

2.10

1.12

1.42

2.39

2.69

2.90

3.09

0.53

0.83

25.91 26.16

19.81 19.96

5.46 BSC

0.00

0.25

0.00

0.25

20.32 20.83

2.29

2.59

3.17

3.66

6.07

6.27

8.38

8.69

3.81

4.32

1.78

2.29

6.04

6.30

1.57

1.83

英寸

分钟。

马克斯。

.190

.202

.100

.114

.079

.083

.044

.056

.094

.106

.114

.122

.021

.033

1.020

1.030

.780

.786

0.215 BSC

.000

.010

.000

.010

.800

.820

.090

.102

.125

.144

.239

.247

.330

.342

.150

.170

.070

.090

.238

.248

.062

.072

TO- 264 （ IXFK ）大纲

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

D（关闭）

G（ ON）的

thJC

乡镇卫生院

= 20V;我

= 0.5 I

D25

注意1

源极 - 漏极二极管

符号

测试条件

= 0 V

重复

= I

, V

= 0 V ，注1

= 22 A， -di / DT = 100 A / μs的

= 100 V, V

= 0 V

特征值

= 25 ° C除非另有规定编）

分钟。

典型值。

马克斯。

100

1.5

250

0.8

8.0

μC

PLUS 247

（ IXFX ）大纲

注1 ：

脉冲测试，T

≤

300

μs,

占空比

≤

2 %

端子： 1 - 门

2 - 漏极（集电极）

3 - 源（发射极）

4 - 漏极（集电极）

DIM 。

6,162,665

6,259,123 B1

6,306,728 B1

6,404,065 B1

6,534,343

6,583,505

IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。

IXYS MOSFET和IGBT均受4835592

下列一个或多项美国专利： 4850072

4,881,106

4,931,844

5,017,508

5,034,796

5,049,961

5,063,307

5,187,117

5,237,481

5,381,025

5,486,715

毫米

分钟。马克斯。

4.83

5.21

2.29

2.54

1.91

2.16

1.14

1.40

1.91

2.13

2.92

3.12

0.61

0.80

20.80 21.34

15.75 16.13

5.45 BSC

19.81 20.32

3.81

4.32

5.59

6.20

4.32

4.83

6,727,585

6,759,692

6771478 B2

英寸

分钟。马克斯。

.190 .205

.090 .100

.075 .085

.045 .055

.075 .084

.115 .123

.024 .031

.819 .840

.620 .635

0.215 BSC

.780 .800

.150 .170

.220 0.244

.170 .190

6,683,344

6,710,405B2

6,710,463

IXFK 44N80P

IXFX 44N80P

图。 1.输出特性

@ 25

= 10V

100

= 10V

图。 2.扩展的输出特性

@ 25

- 安培

- 伏特

图。 3.输出特性

@ 125

= 10V

2.6

2.4

= 10V

- 伏特

图。 4.

DS （上

)

规范alized 0.5我

D25

值与结tem温度

S（O N）

- 归

2.2

2.0

1.8

1.6

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

= 22A

= 44A

- 安培

-50

-25

100

125

150

- 伏特

图。 5.

DS （ ON）

规范alized 0.5我

D25

值与漏电流

2.4

2.2

= 10V

= 125

1.8

1.6

1.4

1.2

0.8

100

= 25

- 摄氏

图。 6.漏电流与案例

tem温度

S（O N）

- 归

- 安培

-50

-25

100

125

150

- 安培

- 摄氏

2006 IXYS所有权利

IXFK 44N80P

IXFX 44N80P

图。 7.输入上将ittance

= - 40

125

图。 8.跨导

F小号

- 西门子

- 安培

= 125

- 40

3.5

4.5

5.5

6.5

的s

- 伏特

图。 9.源电流和

源 - 漏电压

140

120

100

= 400V

= 22A

= 10毫安

- 安培

图。 10.栅极电荷

- 安培

的s

- 伏特

= 125

= 25

0.3

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

1.1

1.2

1.3

100

125

150

175

200

S.D。

- 伏特

- nanocoulombs

图。 13.马克西姆嗯瞬态千卡人

阻力

1.00

图。 11.电容

100000

F = 1MHz的

国际空间站

10000

电容 - 皮法

T H， J·C

- C / W

0.10

OSS

1000

0.01

100

RSS

0.00

0.0001

0.001

0.01

0.1

- 伏特

IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。

脉冲宽度 - 秒

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