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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符I型号页 > 首字符I的型号第857页 > IXFX360N10T
初步技术信息
GigaMOS
TM
TRENCH
HiPerFET
TM
功率MOSFET
N沟道增强模式
额定雪崩
快速内在二极管
IXFK360N10T
IXFX360N10T
R
DS ( ON)
t
rr
TO- 264 ( IXFK )
V
DSS
I
D25
=
=
100V
360A
2.9mΩ
Ω
130ns
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
V
GSM
I
D25
I
L( rms)的
I
DM
I
A
E
AS
P
D
dv / dt的
T
J
T
JM
T
英镑
T
L
T
出售
M
d
F
C
重量
测试条件
T
J
= 25 ℃至175 ℃的
T
J
= 25° C到175 ° C,R
GS
= 1MΩ
连续
短暂
T
C
= 25 ° C(芯片功能)
外部引线电流限制
T
C
= 25 ° C,脉冲宽度限制T
JM
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
I
S
I
DM
, V
DD
V
DSS
, T
J
175°C
最大额定值
100
100
±
20
±
30
360
160
900
100
3
1250
20
-55 ... +175
175
-55 ... +175
V
V
V
V
A
A
A
A
J
W
V / ns的
°C
°C
°C
°C
°C
纳米/ lb.in 。
N /磅。
g
g
G
D
TAB
G
D
S
TAB
PLUS247 ( IXFX )
S
G =门
S =源
D =漏
TAB =漏
特点
国际标准封装
高电流处理能力
快速内在二极管
额定雪崩
低R
DS ( ON)
优势
易于安装
节省空间
高功率密度
1.6毫米( 0.062英寸)从案例10秒
塑料机身10秒
安装扭矩( TO- 264 )
安装力
TO-264
PLUS247
(PLUS247)
300
260
1.13/10
20..120 /4.5..27
10
6
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编)
BV
DSS
V
GS ( TH)
I
GSS
I
DSS
R
DS ( ON)
V
GS
= 0V时,我
D
= 1毫安
V
DS
= V
GS
, I
D
= 3毫安
V
GS
=
±
20V, V
DS
= 0V
V
DS
= V
DSS
, V
GS
= 0V
T
J
= 150°C
特征值
分钟。
典型值。
马克斯。
100
2.5
4.5
±
200
V
V
nA
应用
同步Recification
DC- DC转换器
电池充电器
开关模式和谐振模
电源
直流斩波器
交流马达驱动器
不间断电源
高速电源开关
应用
25
μA
2.5毫安
2.9 mΩ
V
GS
= 10V ,我
D
= 100A ,注意事项1 & 2
2011 IXYS公司,版权所有
DS100210A(02/11)
IXFK360N10T
IXFX360N10T
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C,除非另有规定编)
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
Gi
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
G( ON)的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
乡镇卫生院
0.05
V
GS
= 10V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
门输入电阻
电阻开关时间
V
GS
= 10V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 100A
R
G
= 1Ω (外部)
V
GS
= 0V, V
DS
= 25V , F = 1MHz的
V
DS
= 10V ,我
D
= 60A ,注1
特征值
分钟。
典型值。
马克斯。
110
180
33
3160
400
1.20
47
100
80
160
525
145
165
S
nF
pF
pF
Ω
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
0.12
° C / W
° C / W
DIM 。
A
A1
A2
b
b1
b2
c
D
E
e
J
K
L
L1
P
Q
Q1
R
R1
S
T
毫米
分钟。
马克斯。
4.82
5.13
2.54
2.89
2.00
2.10
1.12
1.42
2.39
2.69
2.90
3.09
0.53
0.83
25.91 26.16
19.81 19.96
5.46 BSC
0.00
0.25
0.00
0.25
20.32 20.83
2.29
2.59
3.17
3.66
6.07
6.27
8.38
8.69
3.81
4.32
1.78
2.29
6.04
6.30
1.57
1.83
终端:
1 - GATE
2 - 漏极
3 - 来源
4 - 漏极
TO- 264外形
英寸
分钟。
马克斯。
.190
.202
.100
.114
.079
.083
.044
.056
.094
.106
.114
.122
.021
.033
1.020
1.030
.780
.786
0.215 BSC
.000
.010
.000
.010
.800
.820
.090
.102
.125
.144
.239
.247
.330
.342
.150
.170
.070
.090
.238
.248
.062
.072
源极 - 漏极二极管
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C,除非另有规定编)
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
I
RM
Q
RM
V
GS
= 0V
重复,脉冲宽度为T有限公司
JM
I
F
= 100A ,V
GS
= 0V ,说明1
I
F
= 100A ,V
GS
= 0V
-di / DT = 100A / μs的
V
R
= 50V
6.60
0.33
特征值
分钟。
典型值。
马克斯。
360
1440
1.2
130
A
A
V
ns
A
μC
PLUS 247
TM
概要
注1.脉冲检验,t
300μS ,占空比D
2%.
2.包括导线电阻。
端子: 1 - 门
2 - 漏极(集电极)
3 - 源(发射极)
4 - 漏极(集电极)
DIM 。
A
A
1
A
2
b
b
1
b
2
C
D
E
e
L
L1
Q
R
初步技术信息
本文中所呈现的产品正在开发中。所提供的技术规格衍生
从过程的初步工程很多客观的刻画收集的数据;但也可能还
包含在预生产设计评价提供了一些信息。 IXYS保留权利
更改限制,试验条件和尺寸,恕不另行通知。
IXYS保留更改限制,试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT覆盖
4,835,592
通过以下一种或多项美国专利: 4850072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,381,025
5,486,715
6,162,665
6,259,123 B1
6,306,728 B1
6,404,065 B1
6,534,343
6,583,505
毫米
分钟。马克斯。
4.83
5.21
2.29
2.54
1.91
2.16
1.14
1.40
1.91
2.13
2.92
3.12
0.61
0.80
20.80 21.34
15.75 16.13
5.45 BSC
19.81 20.32
3.81
4.32
5.59
6.20
4.32
4.83
英寸
分钟。马克斯。
.190 .205
.090 .100
.075 .085
.045 .055
.075 .084
.115 .123
.024 .031
.819 .840
.620 .635
0.215 BSC
.780 .800
.150 .170
.220 0.244
.170 .190
7,157,338B2
6,683,344
6,727,585
7,005,734 B2
6,710,405 B2 6,759,692
7,063,975 B2
6,710,463
6,771,478 B2 7,071,537
IXFK360N10T
IXFX360N10T
图。 1.输出特性@ T
J
= 25C
360
V
GS
= 15V
10V
8V
7V
400
350
300
6V
V
GS
= 15V
10V
8V
7V
图。 2.扩展的输出特性@ T
J
= 25C
300
240
I
D
- 安培
180
5.5V
I
D
- 安培
6V
250
200
150
100
5V
50
4V
0
5.5V
120
5V
60
4V
0
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
V
DS
- 伏特
V
DS
- 伏特
图。 3.输出特性@ T
J
= 150C
360
V
GS
= 15V
10V
8V
7V
2.6
图。 4.
DS ( ON)
归到我
D
= 180A的价值
- 结温
V
GS
= 10V
2.2
I
D
= 360A
300
240
R
DS ( ON)
- 归
I
D
- 安培
1.8
I
D
= 180A
1.4
6V
180
120
5V
1.0
60
4V
0
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
0.6
0.2
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
V
DS
- 伏特
T
J
- 摄氏
图。 5.归
DS ( ON)
与漏电流
3.0
V
GS
= 10V
2.6
140
180
160
图。 6.漏电流与外壳温度
外部引线电流限制
R
DS ( ON)
- 归
T
J
= 175C
2.2
120
I
D
- 安培
T
J
= 25C
0
40
80
120
160
200
240
280
320
360
100
80
60
40
20
1.8
1.4
1.0
0.6
0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
I
D
- 安培
T
C
- 摄氏
2011 IXYS公司,版权所有
IXFK360N10T
IXFX360N10T
图。 7.输入导纳
200
180
300
160
140
120
100
80
60
40
20
0
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
50
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
T
J
= 150C
25C
- 40C
250
25C
350
T
J
= - 40C
图。 8.跨导
g
F小号
- 西门子
I
D
- 安培
200
150C
150
100
V
GS
- 伏特
I
D
- 安培
图。征二极管9.正向电压降
320
280
240
7
10
9
8
V
DS
= 50V
I
D
= 180A
I
G
= 10毫安
图。 10.栅极电荷
I
S
- 安培
V
GS
- 伏特
T
J
= 150C
T
J
= 25C
200
160
120
80
40
0
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
6
5
4
3
2
1
0
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
550
V
SD
- 伏特
Q
G
- nanocoulombs
图。 11.电容
100.0
1,000
图。 12.正向偏置安全工作区
R
DS ( ON)
极限
25s
电容 - 纳法
西塞
10.0
100
外部引线限制
100s
科斯
1.0
I
D
- 安培
10
T
J
= 175C
1ms
f
= 1兆赫
0.1
0
5
10
15
20
25
CRSS
1
30
35
40
1
T
C
= 25C
单脉冲
10
DC
10ms
100ms
100
V
DS
- 伏特
V
DS
- 伏特
IXYS保留更改限制,试验条件和尺寸的权利。
IXFK360N10T
IXFX360N10T
图。 13.电阻导通上升时间
- 结温
320
R
G
= 1 , V
GS
= 10V
280
240
V
DS
= 50V
240
I
= 200A
280
R
G
= 1 , V
GS
= 10V
V
DS
= 50V
图。 14.电阻导通上升时间
与漏电流
t
r
- 纳秒
t
r
- 纳秒
D
200
T
J
= 125C
200
160
120
80
40
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
125
160
T
J
= 25C
120
I
D
= 100A
80
40
40
60
80
100
120
140
160
180
200
T
J
- 摄氏
I
D
- 安培
图。 15.电阻导通开关时间
与栅极电阻
700
600
500
400
I
D
= 100A
300
200
100
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
90
60
30
0
210
400
图。 16.电阻关断开关时间
- 结温
120
t
r
V
DS
= 50V
t
D(上)
- - - -
t
f
180
150
I
D
= 200A
120
350
V
DS
= 50V
t
D(关闭)
- - - -
110
T
J
= 125°C ,V
GS
= 10V
R
G
= 1, V
GS
= 10V
t
D(上)
- 纳秒
t
D(关闭)
- 纳秒
t
r
- 纳秒
t
f
- 纳秒
300
100
250
I
D
= 200A
90
200
I
D
= 100A
80
150
70
100
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
60
125
R
G
- 欧姆
T
J
- 摄氏
图。 17.电阻关断开关时间
与漏电流
400
350
300
140
700
图。 18.电阻关断开关时间
与栅极电阻
650
t
f
V
DS
= 50V
t
D(关闭)
- - - -
R
G
= 1, V
GS
= 10V
130
120
t
f
600
V
DS
= 50V
t
D(关闭)
- - - -
550
T
J
= 125°C ,V
GS
= 10V
t
D(关闭)
- 纳秒
t
D(关闭)
- 纳秒
t
f
- 纳秒
250
200
150
T
J
= 25C
100
50
0
40
60
80
100
120
140
160
180
T
J
= 125C
110
100
90
80
70
60
200
t
f
- 纳秒
500
450
400
I
D
= 200A
350
300
I
D
= 100A
200
250
150
100
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
50
I
D
- 安培
R
G
- 欧姆
2011 IXYS公司,版权所有
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批号
数量
封装
单价/备注
操作
    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ:2369405325 复制

    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    IXFX360N10T
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2885615943 复制
电话:0512-82613006
联系人:曾小姐
地址:昆山市朝阳东路99号4楼
IXFX360N10T
IXYS
19+
355
标准封装
一级授权代理IGBT模块 可控硅模块 二极管 晶闸管 熔断器 保证全新原装正品
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881147140 复制

电话:0755-89697985
联系人:李
地址:深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
IXFX360N10T
Littelfuse Inc.
24+
10000
PLUS247?-3
原厂一级代理,原装现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881501652 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881501653 复制

电话:0755-83223003
联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
IXFX360N10T
Littelfuse Inc.
24+
295
PLUS247?-3
全新原装现货,原厂代理。
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:296271020 复制
电话:0755-/83218466/83200833
联系人:销售部
地址:深圳市罗湖区北站路1号中贸大厦402
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