PolarHV
TM
HiPerFET
功率MOSFET
N沟道增强模式
快恢复二极管
额定雪崩
IXFH 30N60P
IXFT 30N60P
IXFV 30N60P
IXFV 30N60PS
V
DSS
= 600
V
I
D25
= 30
A
R
DS （ ON）
≤
240 m
t
rr
≤
200纳秒
PLUS220 （ IXFV ）
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
V
GSM
I
D25
I
DM
I
AR
E
AR
E
AS
dv / dt的
P
D
T
J
T
JM
T
英镑
T
L
T
出售
M
d
F
C
重量
从案例10秒1.6毫米（ 0.062英寸）
塑料机身10秒
安装力矩
安装力
TO-247
TO-268
PLUS220
(TO-247)
(PLUS220)
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25 ℃至150 ℃;
GS
= 1 M
连续
短暂
T
C
= 25° C
T
C
= 25 ℃，脉冲宽度限制T
JM
T
C
= 25° C
T
C
= 25° C
T
C
= 25° C
I
S
≤
I
DM
， di / dt的
≤
100 A / μs的，V
DD
≤
V
DSS
,
T
J
≤
150℃ ，R
G
= 4
T
C
= 25° C
最大额定值
600
600
±30
±40
30
80
30
50
1.5
20
500
-55 ... +150
150
-55 ... +150
300
260
V
V
V
V
A
A
A
mJ
J
V / ns的
W
°C
°C
°C
°C
°
C
G
D
D（ TAB ）
S
G
S
D（ TAB ）
G
D
S
D（ TAB ）
PLUS220 SMD （ IXFV ... S）
TO- 247 （ IXFH ）
TO- 268 （ IXFT ）
1.13 / 10牛米/ lb.in 。
11..65/2.5..15
N /磅。
6
5
4
g
g
g
G
S
D（ TAB ）
D =漏
TAB =漏
符号
测试条件
(T
J
= 25 ℃，除非另有规定）
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 4毫安
V
GS
=
±30
V, V
DS
= 0
V
DS
= V
DSS
V
GS
= 0 V
T
J
= 125° C
特征值
MIN 。 TYP 。
马克斯。
600
2.5
5.0
±100
25
250
240
V
V
nA
A
A
m
G =门
S =源
V
GS
= 10 V，I
D
= 0.5 I
D25
脉冲测试，T
≤
300
s,
占空比
≤
2 %
特点
l
快恢复二极管
l
非钳位感应开关（ UIS）
评级
l
国际标准封装
l
低封装电感
- 易于驾驶和保护
2006 IXYS所有权利
DS99316E(03/06)
IXFH 30N60P IXFT 30N60P
IXFV 30N60P IXFV 30N60PS
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
分钟。典型值。马克斯。
15
27
4000
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
430
42
29
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 I
D25
R
G
= 4
（外部）
20
80
25
82
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
28
28
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
0.25
°
C / W
的TO- 247 ， PLUS220
0.21
°
C / W
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ ON）的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
乡镇卫生院
V
DS
= 20V;我
D
= 0.5 I
D25
，脉冲测试
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
RM
测试条件
V
GS
= 0 V
重复
特征值
(T
J
= 25 ℃，除非另有规定）
分钟。典型值。马克斯。
30
80
1.5
200
0.8
A
A
V
ns
C
I
F
= I
S
, V
GS
= 0 V,
脉冲测试，T
≤
300
s,
占空比
≤
2 %
I
F
= 25A ， -di / DT = 100 A / μs的
V
R
= 100V, V
GS
= 0 V
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT均受4835592
一个或moreof以下美国专利： 4850072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,381,025
5,486,715
6,162,665
6,259,123 B1
6,306,728 B1
6,404,065 B1
6,534,343
6,583,505
6,683,344
6,710,405B2
6,710,463
6,727,585
6,759,692
6,771,478 B2
IXFH 30N60P IXFT 30N60P
IXFV 30N60P IXFV 30N60PS
图。 1.输出Characte RIS抽动
@ 25
C
30
27
24
21
V
GS
= 10V
8V
7V
6.5V
60
55
50
45
40
V
GS
= 10V
8V
7V
图。 2. EXTE NDE D输出Characte RIS抽动
@ 25
C
I
D
- 安培
18
15
12
9
6
3
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
5.5V
5V
6V
I
D
- 安培
35
30
25
20
15
10
5
0
0
3
6
9
12
15
6.5V
6V
5.5V
5V
V
S
- V OLTS
图。 3.输出Characte RIS抽动
@ 125
C
30
27
24
V
GS
= 10V
7V
3.4
3.1
V
S
- V OLTS
18
21
24
27
30
图。 4.
DS （上
)
规范艾莉婕d可我
D
= 15A
价值VS 。结テ米PE叉涂抹
V
GS
= 10V
I
D
- 安培
21
18
15
12
9
6
3
0
0
2
4
6
R
S（O N）
- 归
2.8
2.5
2.2
1.9
1.6
1.3
1
0.7
0.4
I
D
= 15A
I
D
= 30A
6V
5.5V
5V
4.5V
V
S
- V OLTS
8
10
12
14
16
18
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
- 摄氏
图。 6.漏Curre NT VS 。 CAS ê
TE米PE叉涂抹
35
图。 5.
DS （ ON）
也不米艾莉婕d可
I
D
= 15A价值VS 。漏Curre新台币
3
2.8
2.6
V
GS
= 10V
T
J
= 125
C
30
25
R
S（O N）
- 归
2.4
I
D
- 安培
T
J
= 25
C
2.2
2
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0
5
10
15
20
20
15
10
5
0
I
D
- 一个mperes
25
30
35
40
45
50
55
60
-50
-25
T
C
- 摄氏
0
25
50
75
100
125
150
2006 IXYS所有权利
IXFH 30N60P IXFT 30N60P
IXFV 30N60P IXFV 30N60PS
图。 7.输入上将ittance
35
30
25
50
45
40
T
J
= -40
C
25
C
125
C
图。 8.跨导
I
D
- 安培
- 西门子
T
J
= 125
C
25
C
-40
C
fs
35
30
25
20
15
10
5
0
20
15
10
5
0
3.5
4
4.5
5
5.5
6
6.5
7
g
0
5
10
15
20
25
30
35
40
V
的s
- V OLTS
图。 9.酸CE姜黄素重新NT VS 。
来源 - 要漏V oltage
90
80
70
10
9
8
7
V
DS
= 300V
I
D
= 15A
I
G
=一千万
I
D
- 一个mperes
图。 10.门戈字符
I
S
- 安培
60
V
的s
- 伏特
T
J
= 25
C
0.8
0.9
1
1.1
50
40
30
20
10
0
0.4
0.5
0.6
0.7
T
J
= 125
C
6
5
4
3
2
1
0
V
S.D。
- V OLTS
图。 11.电容
10000
F = 1MH
国际空间站
1000
1.00
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
Q
G
- nanocoulombs
图。 12. M的Axim嗯Tr的ANS即新台币RM人
再s是tance
电容 - 皮法
R
T H， J·C
-
C / W
OSS
100
0.10
RS s
10
0
5
10
15
0.01
20
25
30
35
40
0.1
1
10
100
1000
V
S
- V OLTS
脉冲宽度 - 毫秒
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS REF ： T_30N60P （ 7J ） 05年12月5日， B.xls
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