IXFH18N90P IXFV18N90P
IXFT18N90P IXFV18N90PS
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
g
fs
R
Gi
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ ON）的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
乡镇卫生院
（TO- 247 ， PLUS220 ）
0.25
V
GS
= 10V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
电阻开关时间
V
GS
= 10V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
R
G
= 2Ω （外部）
V
GS
= 0V, V
DS
= 25V ， F = 1MHz的
V
DS
= 20V ，我
D
= 0.5 I
D25
注意1
门输入电阻
特征值
分钟。
典型值。
马克斯。
6
10
1.2
5230
366
53
40
33
60
44
97
30
40
S
Ω
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
0.23
° C / W
° C / W
源极 - 漏极二极管
T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
RM
I
RM
V
GS
= 0V
重复，脉冲宽度为T有限公司
JM
I
F
= I
S
, V
GS
= 0V ，说明1
I
F
= 9A ， -di / DT = 100A / μs的
V
R
= 100V, V
GS
= 0V
1.0
10.8
特征值
分钟。
典型值。
马克斯。
18
72
1.5
A
A
V
300纳秒
μC
A
注1.脉冲检验，t
≤
300μS ;占空比D
≤
2%.
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT覆盖
4,835,592
通过以下一种或多项美国专利： 4850072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,381,025
5,486,715
6,162,665
6,259,123 B1
6,306,728 B1
6,404,065 B1
6,534,343
6,583,505
6,683,344
6,727,585
7,005,734 B2
6,710,405 B2 6,759,692
7,063,975 B2
6,710,463
6,771,478 B2 7,071,537
7,157,338B2
IXFH18N90P IXFV18N90P
IXFT18N90P IXFV18N90PS
TO- 247 （ IXFH ）大纲
PLUS220 （ IXFV ）大纲
E
E1
L2
A
A1
E1
D1
D
P
1
2
3
L3
L1
L
3X B
2个ê
c
A2
端子： 1 - 门
3 - 来源
2 - 漏极
标签 - 漏
端子： 1门2漏
DIM 。
毫米
分钟。马克斯。
A
4.7
5.3
A
1
2.2
2.54
A
2
2.2
2.6
b
1.0
1.4
1.65
2.13
b
1
b
2
2.87
3.12
C
.4
.8
D
20.80 21.46
E
15.75 16.26
e
5.20
5.72
L
19.81 20.32
L1
4.50
P
3.55
3.65
Q
5.89
6.40
R
4.32
5.49
S
6.15 BSC
英寸
分钟。马克斯。
.185 .209
.087 .102
.059 .098
.040 .055
.065 .084
.113 .123
.016 .031
.819 .845
.610 .640
0.205 0.225
.780 .800
.177
.140 .144
0.232 0.252
.170 .216
242 BSC
A
A1
A2
b
c
D
D1
E
E1
e
L
L1
L2
L3
PLUS220SMD （ IXFV_S ）大纲
TO- 268 （ IXFT ）大纲
2009 IXYS公司，版权所有
IXYS REF ： F_18N90P （ 76 ） 09年9月11日-A
QQ：2881677436 复制
